美光、闪迪引领人工智能内存拉力赛-现在有一只2X ETF想加入

一项新提议的杠杆ETF旨在利用华尔街最热门的人工智能交易之一：存储芯片。

Themes ETF Trust已向美国证券交易委员会提交申请，推出Leverage Shares 2X Long Memory Daily ETF，该基金旨在提供两倍于Roundhill内存ETF（BATS：RAM）的每日业绩。提交该文件之际，基础的动态随机

拟议的杠杆基金将使用掉期、期权和其他衍生品来放大与动态存储器相关的每日回报，动态存储器本身就是蓬勃发展的人工智能存储芯片市场的集中市场。招股说明书警告称，该ETF旨在进行短期交易，而不是长期持有，理由是存在与波动性衰退、每日再平衡和放大的下行风险相关的风险。

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与多元化的半导体ETF不同，RAM专门关注与高带宽存储器（HBM）、动态存储器芯片、与非闪存、SSD和相关存储技术相关的公司，这些技术越来越被视为人工智能工作负载的关键基础设施。

ETF中的顶级持股包括：

人工智能的繁荣极大地重塑了投资者对存储领域的信心，该领域曾被认为是半导体行业周期性更强的领域之一。随着公司竞相构建更大的人工智能模型和数据中心，存储芯片已成为一个关键限制因素，因为训练和推理工作负载需要巨大的带宽和存储容量。

需求激增已转化为内存相关股票以及跟踪它们的ETF的爆炸性上涨。

Sandisk股价今年飙升约460%，而Micron股价飙升逾150%。由于人们对人工智能基础设施支出的乐观情绪日益高涨，希捷股价也上涨了190%以上。

供应条件收紧也推动了本轮涨势。行业报告显示，由于需求超过产能，第一季度存储芯片价格上涨80%至90%。

这种定价优势提振了整个行业的盈利。Sandisk最近报告季度收入同比增长97%，而Micron第二财季收入增长75%。希捷也取得了强劲的业绩，首席执行官戴夫·莫斯利表示，该公司正在进入“结构性增长的新时代”。"

动态存储器的集中结构（仅包含一小篮子公司）也使其成为寻求有针对性地参与人工智能基础设施建设的投资者的高Beta动量交易。

尽管如此，存储芯片库存的快速上涨已开始引发人们对过热的担忧。

投资者迈克尔·伯里（Michael Burry）最近对半导体市场部分领域的泡沫状况发出警告，而技术指标显示，几家与内存相关的公司在深度超买区域交易。

DSA ETF本身的相对强弱指数已升至80以上，这一水平通常与动能紧张和回调风险升高有关。

美国证券交易委员会的文件还强调了杠杆产品的风险，并指出，由于复合效应和波动性衰退，超过单日期限的回报可能与简单地将ETF的累积业绩翻倍存在显着差异。

即便如此，拟议的2X DSA ETF表明发行人认为，投资者对有针对性的人工智能基础设施投资的兴趣仍远未耗尽，尤其是在市场供应最受限制的角落之一。

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