博润投资中美科技博弈系列（二）：AI浪潮下的存储新格局

（来源：博润投资）

2021年，博润投资微信公众号首次推出“博润科技创新投资精彩故事”系列，以笔为媒，记录硬科技浪潮下的投资逻辑。2022年底，ChatGPT横空出世，点燃全球技术革命，人工智能的宏大叙事就此拉开序幕。2024年、2025年，博润投资接续推出“全球科技创新”与“中国科技创新”两大系列，持续跟踪研究全球科技巨头，在变局中锚定方向。进入2026年，中美科技博弈步入白热化阶段。博润投资微信公众号聚焦AI生态竞争中的中美角力，本期与您分享——AI浪潮下的存储新格局。

AI引爆存储“史诗级超级周期”

2026年的全球存储行业，正经历一场由AI引爆的“史诗级超级周期”。量价齐升、供给紧缺、卖方主导成为当下竞争格局的关键词。根据公开数据，2026年全球DRAM与NAND Flash市场规模预计突破6000亿美元。IDC预测，存储总营收将从2025年的2260亿美元，在2026年激增至5947亿美元，其中DRAM领域2026年营收预计达4186亿美元，年增率高达177%。行业进入史无前例的黄金期。

图1:全球DRAM/NAND Flash市场规模（亿美元，含预测）

资料来源：CFM闪存市场白皮书，博润整理

从供给端看，全球存储产能正经历一场剧烈的结构性调整。三星、SK海力士、美光三大原厂将约18%至28%的DRAM产能分配给HBM，约70%的DRAM产能已被数据中心锁定。资本开支虽在2026年显著提速——三星约200亿美元、SK海力士205亿美元、美光约135亿美元——但投资重心高度集中于HBM及先进制程，新建产能释放需至2027年以后，导致短期有效供给弹性严重受限。高盛预计2026年全球DRAM供需缺口将达4.9%，为近15年来最严重。

从需求端看，AI推理驱动存储需求成倍增长，数据中心将取代移动端成为最大单一市场。2023至2030年，数据中心DRAM与NAND的复合年增长率预计分别达28.3%与32.6%，远超传统终端增速。自2025年第四季度起，DRAM与NAND价格全面上涨，涨价态势预计延续至2026年全年。存储行业全面进入卖方市场。

在本轮AI浪潮中，传统存储三巨头（三星、SK海力士、美光）业绩弹性充分释放。SK海力士与三星电子凭借HBM的先发优势，近乎垄断了英伟达等AI巨头的全部高端订单。美光科技虽在HBM4世代面临被英伟达平台“缺席”的风险，但其通用DRAM产品依然强势，且通过长协锁定巨额订单，全力押注高毛利的AI服务器赛道。从资本市场的表现来看，过去几年传统三巨头股价涨幅显著。

图2：全球存储三巨头（三星、SK海力士、美光）近三年市场表现

资料来源：公开资料，博润整理

中美存储博弈：非对称竞争，中国迎结构性红利

中国存储器产业起步较晚，长期受贸易制裁影响。但本轮超级周期带来的结构性红利正悄然向中国倾斜。全球三大原厂将产能悉数转向高利润的HBM和服务器DDR5，消费级DRAM、移动NAND等成熟制程产能被系统性压缩，下游厂商面临严峻的供应短缺——甚至连美光的核心客户“仅能获得其需求的50%到三分之二”。

在此背景下，中国存储器龙头长江存储与长鑫存储成为填补全球供应缺口的重要力量，美国大厂甚至开始考虑引入中国存储芯片来缓解供应危机。自2025年第四季度起，长江存储与长鑫存储已全面进入“先款排产”模式——客户必须先付全款，再排队等待产能。中国厂商首次在卖方市场中掌握了定价话语权，国产替代加速推进迎来最佳窗口期。

当前中美存储竞争呈现典型的“非对称”对抗格局：

• 美国：核心优势是底层技术标准与生态霸权，以美光为代表，掌握英伟达等AI算力巨头的话语权，并通过CXL等新协议重构数据中心存储架构；但制造“空心化”问题突出，新厂投产滞后，短期内供给弹性严重不足。

• 中国：最大优势是庞大的消费市场与举国体制下的超强迭代能力，在NAND Flash领域已量产232层产品，正向300层技术迈进；但受制于EUV等先进设备获取严重受限，HBM尚无量产能力，致使在这轮AI暴利期中遗憾“缺位”。

表1：中美存储器行业多维对比

资料来源：公开资料，博润整理

后摩尔时代的三大突围方向

展望未来，全球存储器行业的发展将跳出单纯的制程微缩，转向架构创新+AI应用原生优化。“存储墙”成为行业核心痛点，三大突围方向已清晰可见。

方向一：存算一体技术的商业化落地。传统冯·诺依曼架构导致数据在处理器与存储器间频繁搬运，功耗与延迟巨大。将计算单元直接集成在存储芯片内部，不仅能大幅提升AI训练集群效率，更是中国实现“换道超车”的潜在路径。

方向二：面向“Token工厂”的端到端存储重构。随着AI从训练转向推理，数据中心正演变为生产Token的工厂。这要求存储系统不仅要快，更要具备极强的数据吞吐一致性和极低时延。英伟达Rubin平台配置每GPU 16TB独立存储机柜，DeepSeek Engram架构利用DRAM/SSD卸载HBM压力，均验证了新路径，也为中国厂商参与AI存储标准制定提供了思路。

方向三：新型材料与堆叠工艺。HBM4将采用12层乃至16层混合键合堆叠，NAND向400层以上演进。对中国而言，由于在传统光刻路径上面临封锁，向3D堆叠、先进封装以及新架构突围，将是撕开铁幕、实现半导体产业自主的关键一役。

当前全球存储格局可以概括为：韩国双雄把持高端、美国凭借生态守成、中国以速度与市场破局。而当海外三大原厂为警惕周期魔咒主动“刹车”时，中国存储厂商正踩下扩张的油门，历史格局重塑的窗口期已正式开启。

博润投资坚守长期价值主义

如何在动荡的世界中寻找确定性投资机会？博润投资坚守长期主义，25年持续实践与探索，在2026年全球投资年会提出“盾坚矛利”，继续强化“矛盾”策略，跨越忧虑——中国分红为坚“盾”，坚定不移；全球AI为利“矛”，拥抱全球龙头；并逐步增配资源品。此外，历次地区冲突也为中国发展带来难得的战略机遇，世界动荡不安，中国笃定前行，中国资产有望延续结构性慢牛长牛。

提示：以上根据公开信息分析整理，不构成投资推荐！