IBM、泛林集团利用High NA EUV及干法光刻胶，研发1nm以下制造工艺！

（来源：半导体前沿）

IBM和泛林集团宣布达成一项为期五年的合作计划，双方将利用高数值孔径（High NA）EUV光刻技术和泛林集团的Aether干法光刻胶技术，开发将逻辑芯片尺寸缩小至1nm以下所需的材料和制造工艺。该项目将在位于纽约州奥尔巴尼市的IBM研究院进行。

两家公司已合作超过十年，共同推进7nm工艺开发、纳米片晶体管架构以及早期EUV工艺集成。作为双方持续合作的一部分，IBM于2021年发布了全球首款2nm节点芯片。根据新协议，双方将重点转向验证纳米片和纳米堆叠器件架构以及背面供电的完整工艺流程，使用泛林集团的Kiyo和Akara刻蚀平台、Striker和ALTUS Halo沉积系统以及Aether干法光刻胶。

传统的极紫外（EUV）光刻技术依赖于化学放大光刻胶，这种湿法工艺材料难以满足High NA EUV光刻机对精度的严格要求。而泛林集团的Aether技术是一种干法光刻胶，它通过气相前驱体沉积而非旋涂，并采用基于等离子体的干法工艺进行显影。

Aether的金属有机化合物吸收的EUV光量是传统碳基光刻胶材料的3~5倍，这降低了每次晶圆曝光所需的曝光剂量，并有助于在先进节点上保持单次印刷图案化，而无需采用成本更高的多重曝光技术。2026年1月，泛林集团宣布Aether已被一家领先的存储器制造商选为其最先进DRAM工艺的生产工具，但并未透露该制造商的名称。根据联合公告，此次合作旨在实现High NA EUV光刻图案以高良率可靠地转移到实际器件层，并加速业界采用High NA EUV光刻技术，用于下一代互连和器件图案化。在转移良率方面，泛林集团的Aether干法光刻胶技术优于传统的湿法工艺，因为光刻和刻蚀之间的步骤更少，这意味着在更精细的几何形状下，图案劣化的可能性更小。

同时，纳米片晶体管通过堆叠多层薄硅片来提高驱动电流，而无需扩大器件尺寸。双方团队将构建并验证纳米片和纳米堆叠器件的完整工艺流程，以及背面供电技术。背面供电技术通过晶圆背面供电，从而释放正面互连层用于信号布线。

双方表示，这些技术共同的目标是实现High NA EUV光刻图案以高良率可靠地转移到实际器件层，从而实现持续的尺寸缩小、性能提升，并为未来的逻辑器件提供可行的量产路径。

来源：官方媒体/网络新闻

—论坛信息—

名称：第3届光掩模与光刻胶技术论坛

时间：2026年4月24日

地点：上海

主办方：亚化咨询

—会议背景—

随着半导体工艺节点向2nm及以下推进，下一代光刻技术已成为行业焦点。主要方向包括高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻、纳米压印光刻、电子束光刻、定向自组装（DSA）和X射线光刻等。这些技术旨在提升分辨率、降低成本并提高产量。2026年，高NA EUV已进入高容量制造阶段，而NIL和X射线光刻作为潜在颠覆者，正加速研发。

进入2026年，中国对高端光掩模的需求持续强劲增长，但技术研发、生产能力及产业链整合方面仍面临高成本、技术复杂性和供应链依赖等诸多挑战。全球半导体光掩模版市场在2018年至2024年间从40.4亿美元增长至51亿美元，年复合增长率达4.0%。预计到2030年，该市场规模将进一步扩大至约80亿美元。亚化咨询研究认为我国2025年第三方掩模版市场规模占比为70%左右，预计2030年中国掩模版市场规模有望达到120亿元。

全球光掩模版市场主要由Photronics、日本凸版(Toppan)和大日本印刷(DNP)三大企业主导，市场占有率超过70%。而在中国市场，路维光电、清溢光电、龙图光罩等本土企业正在不断提升其市场竞争力，并在国产化替代方面取得突破。

亚化咨询预计2026年市场规模有望达到100亿元。在ArF光刻胶领域，国内厂商正在加快研发进程，并取得了核心突破，如南大光电实现ArF光刻胶量产。国内一些光刻胶龙头企业如上海新阳、南大光电、容大感光、广信材料、晶瑞电材等，在光刻胶的研发和生产方面取得了显著进展。据亚化咨询最新行业调研，国内领先的光刻胶新锐企业还包括珠海基石(2022年成立)、国科天骥(2019年成立)等。国内光掩模与光刻胶产业发展正在提速，技术进步成为产业发展的重要推动力。

第3届光掩模与光刻胶技术论坛将于2026年4月24日在上海召开。本次论坛由亚化咨询主办。此次会议将汇聚行业的领军企业、机构的专家，探讨下一代光刻技术发展方向，中国光掩模版与光刻胶产业的技术进展与应用，市场机遇与挑战，和产业发展前景。

—会议主题—