国林科技：半导体臭氧设备可在3D NAND芯片形成纳米级氧化层

投资者提问：

公司的半导体臭氧设备产生的臭氧能否在3D NAND存储芯片结构中形成纳米级均匀氧化层？

董秘回答(国林科技SZ300786)：

尊敬的投资者，您好。公司的半导体专用臭氧系统设备能够产生高浓度、超纯净的臭氧，臭氧在电子工业领域被广泛用于形成CVD及ALD薄膜、氧化物生长等工艺环节。在3D NAND存储芯片结构中，臭氧因其高氧化性、清洁效率和环保特性，能够满足半导体制造对精度、缺陷控制和材料兼容性的严苛要求，从而实现纳米级均匀氧化层的形成。感谢您的关注。