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（来源：老司机驾新车）

1、NorFlash价格涨幅及分化

·不同应用领域NorFlash涨幅分化：2026年Q1NorFlash整体合约价格平均涨幅15%-20%，但不同应用领域分化显著：a.AI相关领域，AI服务器/通用服务器大模型用NorFlash涨幅10%左右，端侧AI（AI耳机、眼镜、玩具等）中大容量消费类涨幅5%-10%；b.车规/工业领域，车规产品涨幅超50%，工业/医疗产品涨幅30%-40%。2025年下半年NorFlash整体平均涨幅超40%，但车规/工业产品因海外大厂（美光、英飞凌等）重心在AI相关存储，去年下半年未涨价，导致台湾厂商（如旺宏）Q3、Q4赔钱。2026年Q1海外大厂带头补涨车规/工业产品，驱动该领域涨幅显著。全年涨幅节奏方面，Q2涨幅超20%（全年最高），下半年因台湾及大陆厂商扩产产能释放，涨幅将收敛。

·小容量NorFlash涨价及竞争情况：小容量（128M以下）NorFlash为Q1涨幅分化最严重的板块，涨幅50%-70%。原因在于头部厂商（华邦电、旺宏、兆易创新）策略性退出该市场，中小厂商（普冉、恒硕、聚辰）用SOI等新工艺占据成本优势。头部厂商采取“躺平式”跟价策略，报高价劝退客户。市场规模方面，2025年全球小容量市场规模4.2亿美金，2026年预计超5亿美金，中小厂商主导市场后涨价肆无忌惮。2026年小容量全年涨幅或达150%，虽涨幅大但毛利率仍低（2025年底约30%），因头部厂商2025年上半年清货导致价格难起，中小厂商2026年急于回血。

2、AI服务器中NorFlash的用量

·AI服务器NorFlash供应商格局：AI服务器中NorFlash主要供应商为头部三家厂商，其中华邦占接近80%份额，旺宏占15%，国内龙头占5%左右。海外AI终端客户如NVIDIA曾给国内龙头测试机会，在H100 PCIE版本非关键部位测试其中小容量产品，但H200高温测试中仅台湾厂商产品过关，国内龙头部分产品与台湾厂商存在一定差别，因此在AI服务器领域占比靠后。2025年，英伟达因需求增长快、担心台湾厂商供货不足，再次为国内龙头打开验证大门，最快Q2在H200等产品上有结果。

·AI服务器NorFlash价值量变化：AI服务器中NorFlash价值量随NVIDIA架构升级显著增长：a.H100八卡AI服务器以2024年价格计算价值量为55美金；b.GH200（ML32机柜形式）以2025年上半年价格计算接近300美金；c.Blackwell架构GB200以2025年下半年价格计算超600美金；d.2025年下半年量产的Ruby架构基础版本超900美金。价值量增长核心驱动为AI服务器升级，AMD等北美厂商对价格不在意，更关注供货及品质稳定性，支撑2024年Q3-Q4连续涨价，毛利率平均超50%，1-2GB产品毛利超70%。尽管NorFlash价值量对比AI服务器总价可忽略，但客户对价格不敏感，毛利率表现突出。

3、头部厂商NorFlash产能规划

·华邦与旺宏产能及扩产计划：华邦2025年底12寸月产能为2万片，旺宏以12寸计算月产能亦为2万片（其中12寸1万片，2.25万片8寸产能折合成12寸1万片），二者均为IDM模式。2026年，华邦扩产0.3-0.5万片，月产能将达2.3-2.5万片；旺宏扩产0.2-0.3万片，月产能将达2.2-2.3万（更多实时纪要加微信：aileesir）片。华邦产能来自台中厂老厂挪出的产能用于生产Flash，旺宏来自12分厂提高稼动率或挪产能，均非新建生产线，因此扩产节奏较快。

·兆易创新产能限制及策略：兆易创新2025年底12寸月产能为1.6万片，采用Fabless模式。2026年计划将产能扩至2万片（扩0.4万片），但受代工厂涨价影响：中芯国际、华虹等2026年上半年涨价30%，且仅肯谈半年价格，下半年或继续涨价。因此其扩产较为谨慎，担心影响毛利率，预计2026年实际月产能仅能达到1.7-1.8万片。

4、华邦电产能调整及制程规划

·华邦电老厂产能调整：华邦电台中老厂为旧厂，已完成折旧，原产能结构包含NOR Flash 2万片、SLC NAND Flash 1.2万片及利基型DRAM 2.5万片。其中利基型DRAM制程为25/22纳米，仅能生产DDR3、DDR4小容量（2G、4G DDRB）产品，生产8G以上DDR4大容量产品成本极高；2024年Q4该部分DRAM稼动率55%，1万片产能在2025年持续空缺。因2025年下半年Flash价格大幅上涨，公司决定2026年将1万片空缺产能从利基型DRAM挪至NOR Flash与SLC NAND Flash。老厂未升级制程的考量在于，升级需额外投入成本，且高雄新厂已具备产能，足以覆盖DDR3、DDR4小容量产品需求，无需依赖老厂升级。

·华邦电新厂制程及产品规划：华邦电高雄新厂2024年下半年释放第一批0.5万片产能，2025年新增1万片，当前产能1.5万片。新厂主要生产利基型DDR4，采用20纳米制程，规划2026年Q1量产16纳米制程的DDR4 8GB产品，1月份处于试产阶段，用10个案例进行定型。

5、存储产品库存情况分析

·NorFlash库存水平：NorFlash库存情况为，台湾厂商与大陆厂商的原厂库存处于4~8周之间，渠道库存在4~6周之间，客户端库存超过8周；库存上升是因人为控制出货节奏，收敛给之前Q3、Q4大规模备货的终端客户消化库存，目前比9月底10月初的库存稍微有一些上升，但上升幅度不大，仍在健康范畴之内。

·SLC NAND及利基型DRAM库存：SLC NAND需求连续三个季度环比超过10%，库存持续较低，无论台湾厂商与大陆厂商怎么补库存，都一直徘徊在3~4周左右，月环比下降，渠道库存也在下降，客户端库存仅2~4周，主要因海外凯塞与美光不断减产SLC NAND产能，导致台湾与大陆厂商对客户需求承压；利基型DRAM的密集型订单从之前高位有一些回落，原厂11月份与12月份连续两个月吸收存货，库存持续下降，渠道库存也在下降；渠道上除NorFlash库存上升外，SLC NAND与利基型DRAM库存均在下降，其中SLC NAND库存最紧，需求及生产结构较紧张。

6、定制化存储竞争格局

·3D DRAM市场竞争情况：大陆定制化3D DRAM市场中，兆易创新一家独大，占90%以上份额，其产品应用于汽车、机器人、人形机器人、手机等领域，有超过50个专案。华邦电在云南的项目8月底被非官方警告后，主动退出大陆3D DRAM市场，原因是低估了大陆市场复杂度，技术支持和研发配合赶不上兆易创新；目前大陆主动大规模导入已停止，仅配合愿意用的终端客户。

·海外厂商对3D DRAM态度及市场规模：3D DRAM是利基化产品，三星、海力士、美光、长江存储未进入该赛道的情况下，永远是边角料，无法替代2D产品作为主力。市场规模方面，2025年兆易创新3D DRAM收入撑死1.5亿美金（10亿人民币），2024年大概20亿人民币；整个中国大陆定制化3D DRAM市场规模约50亿到60亿人民币。

7、利基型DRAM产能及价格驱动

·利基型DRAM产能扩张计划：华邦电利基型DRAM产能规划明确，2025年台中厂1.5万片+高雄新厂1.5万片，合计3万片；2026年台中厂保留1.5万片，高雄新厂从1.5万片扩至2.5万片，总产能达4万片。高雄新厂设计产能为4.5~5.5万片，2026年2.5万片仅达设计产能一半，后续仍有扩张空间。三星、海力士、美光此前宣布停产的是大宗品DDR4，而非利基型DRAM；利基型DDR4是利基型DRAM的绝对主力产品，这些厂商仅持续减产利基型DDR4产能：去年上半年其利基型DDR4产能占比超50%，年底降至40%以内，今年进一步掉到30%。

·利基型DRAM价格上涨驱动：利基型DRAM价格自去年下半年起持续上涨，核心驱动因素是三星、海力士、美光等厂商减产利基型DDR4产能，且减产速度远快于华邦电、南亚科、兆易创新等台湾及大陆厂商的扩产速度，产能缺口持续存在。AI相关应用对利基型DRAM的需求支撑，进一步强化了价格上涨的可持续性。

8、利基型DRAM价格涨幅细节

·2024Q4及2025Q1价格涨幅：2024年第四季度，利基型DRAM价格大幅上涨，DDR4 4G比特以下合约价格整季涨幅超40%；利基型DDR8G加比特每个月涨幅超20%，整季涨幅超60%。2025年第一季度，涨幅持续，DDR4 4G加比特以下容量涨幅超40%；利基型DDR4 8G加比特以上涨幅超50%。从2024年下半年来看，第三季度和第四季度利基型DRAM价格已翻倍；2025年上半年预计仍有50%的涨幅。容量段方面，大容量产品涨幅更显著，如2024Q4 8G加比特以上涨幅超60%，2025Q1 8G加比特以上涨幅超50%，均高于同季度小容量产品。涨价核心驱动源于原厂策略调整：三星、海力士等原厂从2024年下半年开始减产停产8G比特以下容量的利基型DRAM产品，集中转移至1C制程的8G比特以上产品；其重点生产1Z纳米（10纳米第三代）制程的8G以上容量产品，该制程下大容量产品具备性价比。台湾及大陆厂商中，华邦2025年第一季度量产16纳米（10纳米第二代），兆易创新有第四代16纳米，但16纳米制程生产8G以上产品不划算，需升级至1Z纳米，故短时间内台湾和大陆厂商主要集中在利基型DDR4的小容量产品。

Q&A

Q: 华邦、万红及后续可能的赵毅策略性放弃中小容量市场后，中小容量产品涨价幅度较大，Q1恒硕普冉涨价50%-70%、华邦万红采用跟价策略涨价约50%的情况是否准确？

A: 上述情况准确，公司因跟不上节奏采取躺平式应对策略，选择跟随涨价，且中小容量产品无货。

Q: 2026年Q1涨价预期下，2025年全年大容量及中小容量产品的涨价情况如何？

A: 2025年分上下半年，上半年诺夫兰价格持续阴跌，整体处于横盘状态；下半年开始全面涨价，Q3价格环比上涨超（更多实时纪要加微信：aileesir）20%，抹平上半年跌幅；Q4合约价再涨超20%，下半年整体涨幅超40%，该涨幅为大容量及中小容量产品的平均涨幅。

Q: 台湾几家Norflash厂商战略性放弃中小容量的底层原因，除工艺区别外，经营策略有哪些转变？

A: 台湾Norflash厂商战略性放弃中小容量的原因包括：工艺上，其传统浮栅工艺已成熟，不愿投入成本转向中小容量所需的Solar工艺；行业趋势上，中小容量对应的LoRaWAN市场规模小，而NorFlash行业主力需求在大容量，AI服务器、端侧AI、通用服务器、工业医疗、车规等成长型应用均需大容量产品；盈利层面，大容量产品毛利率更高，终端客户更看重品质和交货稳定性，小厂商难切入；因此，厂商策略转变为将更多产能和精力投入大容量领域，避开中小容量竞争，聚焦高毛利的AI相关及成长型应用市场。

Q: 不同AI服务器及单GPU对应的Nor Flash用量价值量，以及整台如NV72等的用量情况如何？

A: AI服务器Nor Flash头部三家厂商份额为华邦近80%、万红15%、国内龙头5%。此前NVIDIA在H100 PCIE版本测试过第三家中小容量产品，但H200大容量高温测试仅台湾厂商过关，2025年因需求增长快，NVIDIA给第三家H200验证机会，最快Q2出结果。2024年H100八卡AI服务器Nor Flash价值量约55美金；2025年上半年GH200约300美金，下半年GB200超600美金；2025年下半年Ruby架构基础版本超900美金。AI服务器终端客户对Nor Flash价格不敏感，更在意供货及品质稳定性，因此大容量产品毛利率高。头部三家2025年对Nor Flash库存有底气，若AI需求持续，2026-2027年Nor Flash价格不会下跌，仅涨幅收敛。

Q: 头部三家厂商目前的诺产能情况、2026年扩展规划及产能落地时间如何？

A: 2025年底，华邦电12寸月产能2万片；万虹以12寸折算月产能2万片；兆易创新月产能1.6万片。2026年三家均扩产：华邦电计划扩0.3-0.5万片至2.3-2.5万片，万虹计划扩0.2-0.3万片至2.2-2.3万片，兆易创新计划从1.6万片扩至2万片但预计仅能到1.7-1.8万片。落地时间方面，华邦电3月先扩0.1万片，更多产能Q2结束后释放；万虹3月扩至2.1万片，更多产能Q2后落地；兆易创新Q1已扩至1.7-1.8万片。扩产节奏较快因华邦电来自老厂产能转移、万虹提升稼动率，兆易创新为Fabless模式投配快但因价格下降影响毛利率而谨慎。

Q: 国内诺福瑞奇厂商是否因产能成本上涨30%，导致扩产未达预期的2万片？

A: 诺福瑞奇此前计划扩产至2万片，去年底产能约1.5-1.6万片。2026年计划扩产时，厂商预期方律厂有规模优势，涨价幅度不会大，但中芯国际、森利、华虹等均涨价30%，且中芯国际仅肯谈半年价格，厂商因担忧毛利率受影响，扩产态度非常谨慎，未达2万片的预期。

Q: 华邦扩产NOR Flash是否挪用了低利润的LDDR产能？从企业经营角度如何理解该行为？

A: 华邦扩产NOR Flash挪用的是台中老厂的LDDR产能。台中厂制程集中在25/22纳米，仅能高效生产DDR3、DDR4小容量产品，若生产8G以上大容量DDR4经济性差，导致2.5万片LDDR产能中有1万片长期空缺。2024下半年Flash价格大幅上涨，毛利率高于LDDR，因此2026年将该空缺产能挪至NOR Flash与SLC NAND领域。从经营角度看，老厂升级制程需额外投入，而高新新厂已能满足小容量DDR需求，故不升级老厂；老厂产能由LDDR与Flash部门内部竞争，优先分配给当前毛利率高、前景好的产品。

Q: 华邦电高新新厂主要生产哪些产品？

A: 华邦电高新新厂主要生产20纳米制程的密集型DDR4产品；今年Q1 1月仍在试产，将量产定型的DDR4 8GB及LOPPO A DDR4八加八等于一产品。此外，新厂规划生产16纳米制程的DDR3，华邦电将持续布局DDR3——目前全球仅南亚科、华邦及利基店可大规模供货DDR3，韩厂2024年底已停产DDR3，美光仅保留车规及工业小部分产能，兆易创新2025年底也已停产DDR3，新厂生产DDR3具备成本优势。新厂主力产品为DDR4 8GB及以上容量产品。

Q: 公司目前库存情况如何？此前交流中提及去年下半年原厂及渠道商库存处于低位。

A: 目前库存整体略有上升，但原因不同。Norflash方面，台湾与大陆厂商库存为4-8周，渠道库存为4-6周，库存上升系人为控制出货节奏，以给前三季度大规模备货的终端客户时间消耗库存；SLC库存持续低位，徘徊在3-4周，月环比下降，主要因需求连续三个季度环比增长超10%，且海外凯塞与美光持续减产SLC NAND Flash产能，导致台湾与大陆厂商生产能力承压，客户需求旺盛；NAND Flash与定义性DRAM库存上升亦属人为控制。客户端方面，Nor Flash库存超8周，利基型产品库存已呈向14周增长的趋势，且客户端仍在前置需求、备货；SLC客户端库存为2-4周，需求及生产结构均较为紧张。此前11-12月，台湾与大陆厂商连续两个月吸收存货，目前库存上升幅度不大，仍处于健康范畴。

Q: Nor Flash供应链中，原厂库存4~8周、渠道端4~6周、客户端8周，整体库存周转天数是否约为16周或22周？

A: Nor Flash整体库存周转天数在14~16周之间，客户端库存6~8周，渠道端库存4周，原厂库存6~8周，整体范围为14~18周。

Q: 华邦定制化存储业务过去及当前使用的制程情况，以及后续新厂迭代计划使用的制程是怎样的？

A: 华邦定制化存储过去及当前使用20纳米制程，用于DDR4 4GB产品及定制化Cube 8GB产品；后续新厂迭代计划升级至16纳米制程，今年将量产，用于DDR4 8GB及以上产品，其16纳米制程与兆易创新水平持平。此外，华邦在大陆云南市场因去年8月底收到老美非官方警告已主动退出，当前大陆定制化存储业务处于停滞状态，精力集中于海外市场。大陆定制化存储市场中兆易创新一家独大，占据90%以上份额，主要因技术支持及时、研发配合度高，且客户关注产能，兆易创新具备产能优势。3D定制化存储方面，2025年兆易创新3D DRAM无收入，今年预计约1.5亿美金，2024年约20亿人民币；大陆市场规模约50-60亿人民币，该产品属利基型存储产品，若三星、海力士、美光或长江存储等未进入赛道，难以替代2D产品成为主流应用。

Q: 类似三星的厂商对3D或移动端定制化存储产品有何规划？公司产品在海外与三星等厂商竞争时的产品及性能对比情况如何？

A: 三星、海力士、美光等厂商仍以2D产品为主，对3D或移动端定制化存储产品不屑一顾，未布局相关规划。手机、PC、AI PC、机器人、汽车等终端应用领域仍以2D产品为主，如小米、H公司及即将发布的LOPPO T+R6均采用2D产品。3D定制化产品在low power DDR5初代版本或low power DDR4上的带宽优于2D产品，但研发难度、定制化需求及与NPU的适配抵消了性能优势，且价格需接近2D产品才会被终端客户考虑。三星等大厂的定制化聚焦HBM或特制化HBM，认为3D定制化存储产品属于利基化产品，在手机等主力应用领域不会造成威胁，且若其下场布局会形成内部竞争，因此不会推动相关低端产品。

Q: 利基型DRAM领域，原厂此前计划退出DDR4市场，华邦原计划2026年将利基型DRAM产能扩至3万片，近期原厂对DDR4停产及扩产节奏放慢，华邦后续DDR4产能规划有何变化？

A: 华邦2025年利基型DRAM产能为台中厂1.5万片+高雄新厂1.5万片，合计3万片；2026年台中厂保持1.5万片，高雄新厂扩至2.5万片，总产能增至4万片。高雄新厂设计满载产能4.5~5.5万片，后续仍将持续扩张。三星、海力士、美光计划停产的是大宗品DDR4，非利基型DRAM，利基型DDR4为利基型DRAM绝对主力产品，原厂仅持续减产利基型DDR4产能——去年上半年其占利基型DRAM产能50%以上，年底降至40%以内，今年或跌至30%。因原厂减产速度远快于华邦电、南亚科、兆易创新等厂商扩产节奏，利基型DRAM产能缺口持续存在，推动其自去年下半年起涨价。

Q: 利基型DRAM在去年Q4及今年Q1的价格涨幅情况如何？

A: 利基型DDR4方面，去年Q4 4G比特以下合约价格整季涨幅超40%，8G比特及以上每月涨幅超20%、整季涨幅超60%；今年Q1 4G比特及以下涨幅超40%，8G比特及以上涨幅超50%。去年下半年Q3至Q4利基型DRAM价格已翻倍，今年上半年仍有50%的涨幅。

Q: 三星、美光、海力士等原厂未停产立即型DDR4 4GB的情况下，DDR4 4GB涨价的核心驱动原因是什么？

A: 三星、美光、海力士等原厂并非未停产立即型DDR4 4GB，而是4GB、8GB等小容量产品并非其核心业务（更多实时纪要加微信：aileesir）方向，原厂仅保留1Z纳米制程的产品，该制程生产8GB及以上大容量产品更具性价比。从去年下半年开始，原厂持续减产、停产8GB及以下容量的立即型DDR4产品，资源集中转向1C制程的8GB及以上产品。而台湾及大陆厂商的16纳米制程产品量产时间晚，且用16纳米生产8GB及以上产品性价比低，短时间内难以填补原厂小容量产品减产带来的供给缺口，推动DDR4 4GB等小容量产品涨价。