三星完成HBM4芯片开发，开始大规模生产准备：报告

据AJU新闻报道，三星电子（OTCPK：SSNLF）已完成第六代高带宽存储器（HBM 4）芯片的开发，并正在进入大规模生产的准备阶段。

这家韩国科技巨头目前正在将HBM 4原型发送到Nvidia（NVDA）进行质量测试。据谷歌翻译的新闻报道称，三星的目标是在今年年底前完成HBM 4开发，并且在经过Nvidia的质量测试后，可能能够立即开始大规模生产。据报道，三星还正在建立批量生产体系，以立即批量生产。

三星没有立即回应Seeking Alpha的置评请求。

英伟达发言人在发给Seeking Alpha的电子邮件中拒绝发表评论。

三星完成了HBM 4的生产准备批准（TRA）阶段。报告指出，TRA是半导体开发过程中的第六步，也是批量生产批准前的最后一步。

自6月份成功开发10纳米级第六代RAM“D1 c”以来，该公司的HBM 4开发步伐加快。报告称，三星计划使用领先竞争对手一代的D1 c，通过更高性能的HBM 4重新获得竞争优势。

三星在第三季度财报中表示，HBM 4样本正在运送给主要客户。此外，该公司表示，展望2026年，内存业务将专注于批量生产具有差异化性能的HBM 4产品。

9月，三星的竞争对手SK hynix（OTCPK：HXSC.F）表示，已完成对人工智能工作至关重要的下一代存储产品HBM 4的开发和大规模生产准备。SK hynix是Nvidia HBM芯片的主要供应商。美光科技（MU）在较小程度上也是这两家韩国公司在该领域的竞争对手。