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Low CTE电子布专家交流

2025-11-03 20:28

(来源:纪要头等座)

Low CTE电子布专家交流

一、low CTE电子布需求结构:AI与手机领域驱动逻辑与占比分析

low CTE电子布需求核心源于封装基板与芯片硅基(CTE 1-2ppm/℃)的热匹配需求,AI与手机为主要应用场景。AI领域中,GPU/CPU的FCBGA封装基板(如英伟达GB300载板)需8-10层low CTE电子布(2118规格,80-90μm),单颗载板面积约0.1㎡(82×75mm),未来尺寸或扩大至100×100mm以上,带动用量翻倍;HBM存储堆叠封装基板亦需超薄low CTE布实现轻薄化与可靠性。手机领域则聚焦LPDDR存储载板,随存储容量提升(如1T)需求增长,但目前占比低于AI(AI需求增速为手机的5-10倍)。 

二、core off技术对low CTE及Q布需求的影响

core off技术推动封装从“coreless”向“core up”演进,需同时满足low CTE(热匹配)与low DK(高速信号传输)性能。Q布(高二氧化硅含量)因加工性差(钻孔效率低20%-30%,刀具寿命短),短期作为过渡方案,主要用于外层高频信号层;长期趋势为low CTE与low DK布融合,性能接近且成本更优。 

三、AI与手机领域需求占比及用量测算

AI领域:单颗GPU/CPU载板面积约0.1㎡,层数8-10层(如0.8mm厚度用8张布),按年出货量估算,需求占比超60%;若载板尺寸扩大至125×125mm,面积将提升2倍以上。 

手机领域:LPDDR载板层数多为4-6层,单部手机用量约0.01㎡,需求占比约30%,增速受手机换机周期制约。 

四、行业供给格局:CCL与电子布供应商分布

CCL环节:立森诺科(75%市占率,FCBGA封装基板,用于GPU/CPU)、MGC(LPDDR存储载板)、斗山(韩系补充)主导,生益科技等国内企业占比可忽略。 

电子布环节:日系企业(日东纺、旭化成、Unitika)垄断高端市场,国内宏和、国际复材(天勤/珠海玻纤)、泰山(更多实时纪要加微信:aileesir)玻纤处于小批量认证阶段(泰山月出货3-5千米,国内合计不足1万㎡/月)。 

五、BT载板涨价与low CTE电子布供需缺口

BT载板因low CTE电子布紧缺已涨价20%(日东纺为首),四季度或继续提价。行业需求约50万㎡/月,供给缺口超30%,核心瓶颈在于制纱窑炉产能有限(需专用高温工艺)。low CTE电子布全年出货量约1200万米(单月100万米),需求增速超50%,预计2024-2025年缺口持续。 

六、下游应用与国产化进展

下游客户:英伟达(GPU)、美光/三星/海力士/长鑫(HBM存储)、华为/苹果(手机LPDDR)、中际旭创/新易盛(3.2T光模块)。 

国产化:宏和、泰山玻纤通过立森诺科认证,泰山玻纤与客户共担风险推进量产,但良率仍需提升。

七、关键产品应用:英伟达GB300/Ruby系列与Q布需求

GB300加速卡:16层板中Q布占4-6层(外层),low DK布占10-12层(内层),层数比例1:2;载板面积约0.2㎡,单卡用布量约0.4㎡。 

Ruby系列(M8/M9板):正交背板设计或采用low DK三代布,按10万机柜测算,年需求约200-300万㎡,2025年或放量至30万机柜。 

八、封装技术迭代:Core up方案与FCBGA紧缺度

Core up封装:将GPU/CPU与存储裸封至大背板,替代传统载板,low CTE应用从芯片级(小面积)扩展至板卡级(大面积),需求或增长10倍以上。 

FCBGA vs CSP/WB:FCBGA(GPU/逻辑芯片)因焊球密度高(512点)、技术门槛高,紧缺度显著高于CSP/WB(存储芯片),立森诺科市占率超75%,短期难以替代。 

九、材料技术趋势:BT树脂与电子布性能演进

BT树脂专利已过期,供应(更多实时纪要加微信:aileesir)商包括三菱瓦斯、立森诺科等;low CTE电子布向“更低CTE(2.6ppm以下)+薄型化(25μm以下)”升级,国内企业在25μm以上规格实现突破,但高端仍依赖进口。

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