存储行业景气周期及技术演进路线

（来源：老司机驾新车）

存储行业景气周期及技术演进路线

一、存储行业景气周期分析

当前存储行业处于上行周期，此轮行情自2025年9月启动，核心驱动力为AI服务器需求超预期。美国OpenAI等客户不仅锁定第四季度产能，更提前下达2026年订单，导致供需关系快速失衡1。与历史周期相比，本轮上行周期的核心差异在于需求端由AI服务器这一新兴亮点推动，而疫情后传统消费电子（手机、PC）需求疲软，此前周期多由产能调剂（减产）驱动，持续性较弱。 

回顾周期演变，疫情前存储行业周期规律相对清晰（1-1.5年），疫情期间（2020-2022年）因居家办公需求延长上涨周期至2年以上，随后陷入1年多的下跌周期；2024年周期缩短为“上半年涨、下半年跌”。当前周期预计持续性较强，不仅第四季度价格上涨，2026年或延续上行趋势，因HBM等高利润产品需求旺盛且原厂产能聚焦。 

二、上游原厂产能、竞争格局与产品侧重

（一）DRAM领域

产能与竞争格局：三星以月产能超20万片晶圆、35%市占率居首，海力士（20%）、美光（15%）紧随其后，三大原厂合计占比近70%，叠加长鑫存储后整体市占率超90%。 

产品与资本支出：原厂资本支出优先投向HBM，三星、海力士年DRAM资本支出约140-150亿美元，美光约100亿美元，主要用于HBM产能扩张；标准型DRAM（DDR3/DDR4）仅维持正常迭代（如1αnm向1βnm过渡），无大规模扩产。 

（二）NAND领域

产能与竞争格局：三星市占率20-23%，铠侠+闪迪合计25%（各占12-13%），海力士（15%）、美光（10%）、长江存储（8-10%，持续提升）分列其后。 

产品与资本支出：NAND资本支出低于DRAM，三星年支出约100亿美元，其他厂商多为20-30亿美元，（更多实时纪要加微信：aileesir）资源优先投向3D堆叠技术（200层以上）及QLC产品；因HBM利润更高，原厂普遍将重心放在DRAM而非NAND。 

（三）竞争差异

DRAM市场集中度更高（4家厂商），价格易受操控；NAND厂商达6家，扩产与减产策略分化，价格涨幅较DRAM平缓。 

三、下游主要应用领域需求状况

存储下游需求以服务器、手机、PC为核心，合计占比超70%： 

服务器：AI服务器占比约10%，但需求爆发力强；传统服务器需求稳定增长（年增速10%），为存储第一大应用领域，其利润水平（40%）高于消费电子。 

手机与PC：均处“高原期”，手机年出货量约12亿部，PC约2-3亿台，需求疲软但单位存储容量持续提升（如手机高端机型从256GB向512GB升级），消费级存储利润水平较低（原厂20-25%，模组厂10-15%）。 

四、存储技术演进路线（DRAM/NAND）

（一）DRAM技术

发展瓶颈：受HBM资源排挤，DRAM技术迭代放缓，仍停留在2D制程（10nm左右，如1α/1βnm），3D转型需巨额资本投入，短期难突破，标准型DRAM或在10nm附近停滞。 

HBM主导：HBM为当前核心增长点，利润水平高达50-70%，三大原厂均优先扩产HBM，其产能消耗为标准型DRAM的3倍。 

（二）NAND技术

3D堆叠持续突破：已进入200层以上技术节点，2026年将迈向300层，堆叠速度快于DRAM，但300层后良率与风险提升，增速或放缓。 

QLC成为趋势：QLC价格较TLC低10-20%，寿命约为TLC的50%，但消费级需求对寿命敏感度低，当前占比约20%，未来3-5年有望升至50%，成为NAND主流。 

五、手机细分市场存储需求与供应格局

（一）需求结构

按存储容量分为高端（512GB+，占30%）、中阶（128-256GB，占30%）、中低阶（≤64GB，占40%），中低阶机型在新兴市场（非洲、东南亚）占比最高。 

（二）供应格局

原厂与模组厂分工：70%存储需求由原厂满足（三星40%、海力士20%、美光10%），30%由国内模组厂（江波龙、百维、长鑫、长江存储等）供应，形成“7:3”格局。 

国产化趋势：长鑫、长江存储受益于国产化政策与补贴，市占率逐步提升，但短期内难以与三星等原厂竞争。

六、国内存储主控技术发展状况

全球存储主控市场由群联（台湾）、慧荣（美国）主导（近70%份额），国内厂商处于追赶阶段： 

消费级主控：联芸（光云科技）为国内领先者，聚焦消费级SSD，受益于国产化浪潮及长尾品牌需求，在淘宝、京东等平台占据一定份额。 

企业级主控：国内厂商（如大普微）份额极低，企业级SSD主控仍以原厂自研为主，技术壁垒高（需长期研发积累与规模效应）。 

竞争梯队：联芸为第一梯队，英韧、得一微等为第二梯队，整体与国际龙头差距显著。

七、核心市场动态与展望

价格趋势：第四季度存储价格大幅上涨，企业级存储涨幅30-50%，消费级更高（50%+），因库存低位（模组厂仅2个月库存，正常水平为4个月）及产能优先供给AI服务器。 

HBM风险：HBM存在泡沫成分（AI应用尚未明确盈利模式），但短期需求旺盛，至少维持至2026年第二季度。 

技术替代：QLC将逐步替代TLC，2026年占比或达50%；HDD因长寿命优势（10-20年），与SSD形成互补（7:3），不会完全被替代。

Q&A

Q1: 当前三大存储原厂的产能利用率水平如何？上一轮周期原厂的产能利用率大概在什么位置？

A1: 本轮周期在9月份上涨前，三大原厂的产能利用率约为80%；目前因市场极度缺货，已开始规划将产能利用率提升至90%甚至100%。上一轮周期中，原厂产能利用率通常在70%左右，且因上涨周期较短（1-2个季度），利用率难以冲得太高，随后需求下滑时又会回落至70%左右。

Q2: 展望2026年，HBM的供需是否会出现供应过剩？是否会对其他领域产生连锁反应？

A2: HBM存在一定泡沫成分，因当前需求预测过于乐观，且AI服务器尚未形成明确的盈利模式。但泡沫短（更多实时纪要加微信：aileesir）期内不会破裂，至少可维持至2026年第二季度，2026年下半年风险可能升高。若泡沫破裂，可能对标准型DRAM等领域产生连锁反应，因HBM消耗大量DRAM产能，其需求下滑可能缓解标准型DRAM的供应紧张，但短期内HBM仍是拉动行业增长的核心动力。

Q3: 从产能消耗角度，HBM与标准型DRAM、QLC与TLC相比，先进产品对产能的消耗是否更多？

A3: 从产能消耗看，HBM和QLC/TLC呈现不同特征。HBM方面，当前需求已占DRAM总产能消耗的近一半，且制造一批次HBM消耗的原材料是标准型DRAM的三倍，对产能消耗显著更高。NAND Flash方面，QLC目前占比约20%，其与TLC处于技术转换期，因3D NAND向300层演进带动成本下降，QLC占比未来将逐步提升，但当前产能消耗仍低于TLC；长期看，QLC将成为主流，产能消耗占比会持续上升。

Q4: 在HDD原厂不扩产的情况下，AI应用发展是否会加速HDD被替代？QLC/TLC寿命较短是否会影响其对企业级SSD的替代前景？

A4: AI应用将加速HDD的替代进程，但HDD不会完全消失。AI服务器100%使用SSD以满足运算速度需求，传统服务器因HDD缺货也在加速向SSD迁移；但HDD凭借15-20年的存储寿命优势，在冷数据存储领域不可替代，长期可能形成70% SSD+30% HDD的平衡点，替代周期长达5-10年。QLC/TLC寿命（5-10年）虽短于HDD，但符合消费级和部分企业级的使用周期，且SSD厂商通过固件优化提升稳定性，对企业级SSD替代前景影响有限，企业级SSD仍以原厂主控为主，稳定性有保障。

Q5: 企业级存储颗粒供应紧张，模组厂能否顺利获取企业级颗粒？其囤货中企业级颗粒的存货占比如何？

A5: 当前模组厂获取企业级颗粒难度较大，存货占比极低。因AI服务器和HBM需求超预期，叠加行业自3月起持续涨价，市场普遍库存偏低（模组厂和客户库存均不到2个月，正常水平为4个月），上游原厂优先供应HBM和服务器级存储，企业级SSD/DRAM的满足率不足50%，模组厂难以大量囤货，企业级颗粒存货占比远低于正常水平。

Q6: 展望第四季度及明年，企业级与消费级存储的涨价幅度如何？企业级是否会虹吸消费级产能导致消费级涨幅超预期？

A6: 第四季度企业级存储涨幅预计为30%-50%，消费级涨幅更高可能达50%。企业级因需求稳定、客户重要性高，涨幅相对可控；消费级因优先级低、供应紧张，涨幅更显著。明年第一季度，企业级涨幅可能持续，因服务器和AI基础设施需求仍在扩张；消费级涨幅受终端吸收能力限制，若终端厂商或消费者无法承担涨价，可能出现需求下修或降规，涨幅或趋缓。企业级对消费级产能的虹吸效应已显现，消费级产能被挤压是其涨幅超预期的重要原因。

Q7: 手机存储涨价前后，其占手机BOM成本的比例有何变化？

A7: 涨价前，存储占手机BOM成本的比例约为25%（1/4）；涨价后，因存储价格大幅上涨，其占比进一步提升。不同定位手机的存储容量差异较大（高阶512GB、中阶128-256GB、低阶16-64GB），但整体来看，存储已成为手机BOM成本中的关键部件，标准型手机存储占比稳定在1/4左右，涨价后占比随存储成本上升而增加。

Q8: AI服务器（如英伟达、ASIC）的DRAM配置容量大概是多少？

A8: AI服务器的DRAM配置容量因产品类型和定制化需求差异较大。ASIC芯片的DRAM容量通常不大，主要用于优化运算顺畅性，其配置随市场行情波动（缺货时降规、过剩时升规），虽利润较高但用量有限。英伟达H系列等AI服务器的DRAM配置相对明确，内存条容量多为16GB或32GB，SSD容量约18GB或20GB，具体因客户定制化需求有所调整，但整体处于该区间。

Q9: 英伟达H系列服务器的内存条容量是多少？升级后容量有何变化？

A9: 英伟达H系列服务器的内存条容量通常配置为16GB或32GB。升级后（如Back view版本），因服务器定制化程度高，容量变化主要取决于客户需求，整体仍以16GB或32GB为主，部分场景可能根据运算需求小幅调整，但未出现显著的容量跃升，核心仍匹配AI运算对高密度存储的需求。

Q10: 当前存储市场的库存水平有何变化？

A10: 当前存储市场库存处于历史低位。正常情况下，模组厂库存约4个月，供过于求时可达10-12个月；但目前受AI需求超预期及前期保守备货影响，模组厂库存仅2个月，客户（终端厂商）库存亦不到2个月，均远低于正常水平。低库存导致市场供需矛盾加剧，价格快速上涨，且短期内补货难度大，库存水平难以快速回升。

Q11: 利基型存储（DDR4、DDR3、LPDDR）今年的涨幅如何？后续涨幅及持续性怎样？

A11: 利基型存储今年涨幅显著，后续仍将持续上涨但幅度放缓。年初因DDR4/LPDDR4产能EOL（停产），带动至少两个季度上涨，涨幅翻倍，甚至出现DDR4价格高于DDR5的倒挂；AI需求爆发后，DDR5价格回升，DDR4随DDR5联动上涨。DDR3因需求稳定（客户群体固定），价格波动较小。后续看，DDR4预计第四季度随DDR5上涨25%-30%，DDR3保持稳定；持续性方面，DDR4/DDR5将呈现正相关波动，直至DDR5涨幅趋缓，DDR3因刚需维持稳定。

Q12: 当前8GB DDR4的价格大概是多少？DDR4与DDR5价格倒挂的情况如何？

A12: 当前8GB DDR4颗粒价格约7元，DDR5颗粒约8.5元，价格倒挂已缓解。年初因DDR4产能减少，出现DDR4价格高于DDR5的倒挂；AI需求爆发后，DDR5价格快速回升，回归DDR5高于DDR4的正常状态（价差约1.5元）。目前市场报价混乱且多停止报价，实际成交价可能因缺货进一步波动，但倒挂状态已结束，未来DDR4与DDR5价格将正相关联动。

Q13: Nor flash的涨价趋势能持续多久？

A13: Nor flash涨价趋势预计持续至2026年上半年，季度涨幅约20%。涨价主因是小容量NAND Flash产能向大容量切换，导致替代需求转向Nor flash，且年初DDR4/Nor flash产能减少进一步推升价格。当前Nor flash涨幅已翻倍，后续随小容量NAND Flash持续减产及3D NAND技术迭代，Nor flash占比将逐步提升，涨价趋势至少维持至2026年上半年，与小容量NAND Flash供需变化正相关。

Q14: 三星HBM3e降价30%对HBM4E市场格局有何影响？其与高等级DDR5的毛利率是否接近？高通3D堆叠芯片是否会冲击HBM需求？

A14: 三星HBM3e降价对HBM4E格局影响有限，HBM与DDR5毛利率仍差距显著，高通3D堆叠芯片短期内难以冲击HBM需求。三星HBM需先通过英伟达验证，降价主要影响自身利润率（从70%降至约40%），但难以大幅提升份额，因海力士、美光技术领先且不会跟随降价；HBM毛利率（40%-70%）仍远高于DDR5（企业级约40%），原厂优先保障HBM产能。高通3D堆叠芯片尚处技术探索阶段，商业化落地需数年，且当前存储市场极度缺货，短期无法对HBM需求构成冲击。

Q15: DDR4向DDR5的转换速度是否较快？不同制程下能否直接转换？

A15: DDR4向DDR5的转换速度较慢，受主芯片支持及客户验证限制，无法直接快速转换。转换需满足（更多实时纪要加微信：aileesir）主芯片兼容性及终端客户（如工业、标案）的验证要求，流程复杂；但今年客户已被迫推进DDR5方案，约50%客户具备DDR4/DDR5双方案能力，当前价差驱动下切换相对容易（DDR5涨价时可转回DDR4）。长期看，若无极端价差（如DDR5溢价50%），DDR4向DDR5的转换趋势不变，因DDR5技术更先进且客户验证逐步完成。