存储行业趋势更新

（来源：老司机驾新车）

存储行业趋势更新

一、DRAM与NAND存储市场供需及价格趋势分析

市场格局与产能分布：DRAM市场由三星（41%）、海力士（27%）、美光（26%）主导，国内长鑫存储占比约6%；NAND市场三星（31%）、铠侠（21%）、海力士（19%）居前，长江存储占比约4-5%。产能方面，三星DRAM月产能66万片（12英寸基准），海力士43.5万片，美光41.8万片；NAND领域三星月产能60万片，海力士36.8万片，美光23万片。

供需与库存动态：2024年初DRAM库存约4个月，当前已降至2.5个月（供需平衡区间2.5-3个月），NAND库存同步下降，主要得益于原厂控制稼动率（DRAM约82%，NAND约80%）。预计2024年底原厂稼动率将提升至90-92%（接近满产），但短期仍以控产保价为主。

需求结构：服务器（占DRAM需求30%）和车载（同比增长30-40%）为主要增长驱动力，手机需求因iPhone 15、华为Mate X等新机及LPDDR5渗透超预期；PC与利基产品需求疲软但占比不足30%，对整体拉动有限。

价格趋势：DRAM现货价持续回升，DDR4 16GB 3200MHz涨至6.8美金（涨幅12.5%），服务器RDIMM 16GB达90美金；NAND方面，1TB TLC晶圆现货价5.5-6.2美金，SSD合约价与现货价倒挂（256GB PCIe3.0合约价13.8美金，现货价22.5美金）。预计2024年底DRAM价格涨幅12-13%，NAND涨幅10%；2025年Q1 DRAM续涨8%，NAND涨6%。

二、CF方与CBA技术解析

CBA技术（Crossbar Array）：通过将存储阵列与外围电路分离为两片晶圆，采用Hybrid Bonding键合，解决存储阵列高温高压制程对外围电路良率的影响。典型案例为长鑫存储将逻辑阵列交由金和（28nm工艺）代工，再通过键合整合。

CF方技术：采用3D立体结构，将晶体管、外围电路与存储阵列垂直堆叠，显著提升存储密度。其核心是通过单元结构优化（从6F²向4F²演进）实现立体集成，为后续3D DRAM奠定基础。

技术差距：国际原厂（三星、海力士、美光）已进入D1 Beta（12nm）工艺，海力士进度领先约2个月；国内长鑫存储当前为D1Z（15.8nm），正在开发D1 Alpha（10-14nm），技术差距约1.5-2代。

三、HBM需求、产能、技术及竞争格局分析

需求驱动：HBM需求与AI服务器高度绑定，当前AI服务器占全球服务器15%，单台AI服务器HBM用量320-640GB，多模态AI模型（如GPT-4）进一步推升需求。2023年HBM对应GPU板卡400万张，2025年预计达1200万张。

产能扩张：2023年HBM产能10万片/月（三星4万片、海力士5万片、美光1万片），2025年计划扩至（更多实时纪要加微信：aileesir）32.6万片（三星14万片、海力士15万片、美光3.6万片），2025年Q2拟再扩15万片（三星/海力士各4万片、美光7万片），对应板卡1800-1900万张。

核心技术：HBM集成TSV（硅通孔）、micro bumping（微凸点）、Hybrid Bonding等先进封装工艺，需经历通孔刻蚀（应用材料、中微半导体）、绝缘层沉积（拓晶）、电镀铜（上海新阳（维权））等关键环节。主流工艺分为海力士MR-MAP（效率高、精度低）与三星/美光TC-SF（精度高、效率低），长期均向Hybrid Bonding演进。

竞争格局：当前海力士市占率领先（2023年50%），三星（40%）、美光（10%）追赶。2026年Q2预计格局优化为海力士42%、三星40%、美光18%，主要因美光HBM3e性能优势及三星与GPU厂商（英伟达、AMD）的代工合作（先进制程替代台积电需求）。

四、存储周期控价策略与稼动率提升风险探讨

控价逻辑：原厂通过控制稼动率（当前DRAM约82%、NAND约80%）消耗库存，2024年初DRAM库存4个月，当前降至2.5个月（供需平衡点2.5-3个月）。计划2024年底稼动率提升至90-92%（接近满产），但扩产产能（2025年Q3释放）仍难覆盖供需缺口（预计2025年DRAM/NAND各缺口30万片/月）。

价格支撑：库存低位（2.5个月）叠加AI、车载等需求增长，短期价格下行风险较低。长期需关注2025年Q3后扩产释放节奏，若产能集中释放或引发价格压力。

五、CF方/CBA技术对竞争格局及产业链合作的影响

产业链重构：CF方/CBA技术推动存储与逻辑代工厂合作（如长鑫与金和、海力士与台积电），外围电路代工使逻辑厂商分走部分利润，但加速存储制程向10nm以下迭代。

竞争壁垒：技术迭代要求存储厂商与设备、材料厂商深度协同（如TSV刻蚀、键合材料），头部原厂（三星、海力士）凭借设备与生态优势进一步巩固地位，国内厂商需突破设备国产化瓶颈（如中微半导体刻蚀机、拓晶沉积设备）。

六、eSSD在AI服务器的渗透率、应用前景及市场规模测算

渗透率与规模：eSSD当前仅用于AI服务器（渗透率15%），占整体存储市场3-4%。其产能依赖NAND晶圆分bin（挑选高良率晶圆），当前单片NAND晶圆约30%可用于eSSD，对应全球NAND产能（220万片/月）下eSSD最大产能66万片/月。

应用前景：短期受益于AI服务器需求（单台AI服务器eSSD用量18-19TB），长期随NAND制程升级（从V8 232层向V9 296层演进），良率提升（单片晶圆eSSD占比或从30%升至40%）、成本下降，有望渗透至通用服务器（当前HDD与SSD占比55:45，预计未来70:30）。

七、HBM工艺选择对国内厂商进展的影响分析

国内厂商路径：长鑫存储选择TC-SF工艺（热压焊）开发HBM，已量产HBM2e（基于D1Z工艺），但产能较低（2000-3000片/月），原计划3万片/月扩产计划因技术瓶颈调整。封装环节与通富微电、深科技（佩顿科技）合作，中后道工艺落后于长电、通富微电。

核心挑战：需突破D1 Alpha（10-14nm）制程及Hybrid Bonding技术，当前与国际原厂（HBM3e量产）差距约2-3年，设备依赖进口（如TSV刻蚀机、键合设备）。

Q&A

Q1: 存储周期中，原厂在稼动率相对低位时主动涨价的原因是什么？稼动率提升后，价格是否存在因提前透支而回落的潜在风险？

A1: 原厂在稼动率低位时主动涨价，主要基于上一轮周期经验调整策略。上一轮周期（2022-2023年）因库存高企（4-5个月），涨价后价格急剧下滑。本轮周期库存处于低位（2.5个月，为正常供需关系下限），且原厂通过控产能（DRAM稼动率82%、NAND稼动率80%，均低于正常水平80-85%）消耗库存，叠加需求端服务器、车载、手机等领域增长（合计占比超60%），推动价格上行。 关于稼动率提升后的价格风险，当前供需缺口显著：预计明年DRAM和NAND供需缺口各30万片，而原厂扩产产能（三星、海力士、美光合计扩产15万片）需至2025年Q3后释放。同时，当前库存低位（2.5个月）与上一轮高库存周期（4-5个月）形成对比，且需求端AI服务器、HBM等长期驱动明确，因此价格回落风险较低。

Q2: CF方技术对存储行业竞争格局有何影响？存储与逻辑代工厂采用分离代工模式的优劣势及对代工厂的要求是什么？

A2: CF方（含CBA）技术通过分离存储阵列与外围电路阵列，对竞争格局产生结构性影响：一是消除存储阵列生产（高温高压）对外围电路的良率干扰，二是允许外围电路采用更先进制程（如28nm），提升性能。该技术推动行业从传统IDM模式向“存储原厂+逻辑代工厂”合作模式转型，例如长兴存储与金和合作、海力士与台积电/格罗方德合作。 合作模式的优势在于结合逻辑代工厂先进制程能力，加速存储技术迭代（如10nm以下工艺）；劣势是存储原厂利润需与代工厂分享。对逻辑代工厂的要求包括：具备先进纳米制程（如28nm及以下）、高良率封装工艺（如hybrid bonding）及与存储原厂的协同开发能力。

Q3: eSSD在AI服务器市场的渗透率如何？其是否可能渗透至通用服务器领域？单台AI服务器eSSD的用量、容量及市场规模如何测算？

A3: eSSD目前在AI服务器市场渗透率约3%-4%（AI服务器占存储市场30%，eSSD占AI服务器存储的10%-13%）。其产能受限于NAND Flash晶圆分bin（挑选高良率晶圆），当前单片晶圆eSSD产出率约30%，对应全球产能约66万片/月（基于NAND总产能220万片/月）。 未来eSSD有望渗透至通用服务器：随着NAND技术迭代（从V8 232层向V9 296层升级），单片晶圆eSSD产出率可从30%提升至40%，成本下降后（当前价格较普通SSD高30%，目标降至溢价10%以内），将具备通用服务器经济性。 单台AI服务器eSSD用量为18-19TB，对应2-3条模组；市场规模测算（更多实时纪要加微信：aileesir）可基于NAND产能（66万片/月）及单瓦价值（如1TB eSSD价格约5.5-6.2美金），预计2025年市场规模超百亿美元。

Q4: eSSD在AI服务器上的用量和容量中长期增长幅度如何？

A4: eSSD在AI服务器的用量和容量中长期有望翻倍，从当前单台18-19TB增至36-37TB。驱动因素包括：一是端侧AI推理需求爆发，带动存储密度提升；二是数据中心HDD向SSD迁移（当前HDD占比55%，目标2025年降至30%），释放eSSD替代空间；三是NAND技术升级（如V9 296层）提升单片晶圆eSSD产出率（从30%至40%），降低单位容量成本。

Q5: HBM技术工艺（MR-MAP与TC-SF）选择对其发展进展有何影响？国内厂商HBM当前进展如何？

A5: HBM技术工艺中，MR-MAP（海力士）与TC-SF（三星、美光）各有优劣：MR-MAP采用批量回流焊，效率高但精度低（易振动偏移）；TC-SF采用逐层热压焊，精度高但效率低。长期来看，两者均需转向hybrid bonding技术以满足I/O接口数量增加、间距缩小的需求，因此工艺选择对长期进展影响有限，短期影响良率与产能爬坡速度。 国内厂商进展：长兴存储采用TC-SF工艺，已量产HBM2e（基于D1Z 15.8nm工艺），产能约2000-3000片/月，计划2025年Q1升级至HBM3（D1阿尔法10-14nm工艺）；武汉新芯计划2025年Q1量产HBM2e，初期（更多实时纪要加微信：aileesir）产能2000-3000片/月；福建晋华跳过HBM2e直接开发HBM3，预计2025年下半年推出产品。