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2025-10-20 11:50
天风证券发布研报称,存储超级周期的本质是从“周期”到“结构”的转变。以往芯片行业价格上涨、交期延长主要是因为供给端减产引发短期反弹,而当前由AI驱动的“超级周期”具有显著的结构性特征。AI 技术的蓬勃发展带动数据中心大容量存储需求高速增长,叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率的不断提升,共同推动本轮存储器技术创新与市场扩容。
天风证券主要观点如下:
NAND 与DRAM普涨,四季度存储价格持续上行
存储芯片主要分为两大类:一类是动态随机存取存储器DRAM,它类似大脑的笔记本,容量大,可以用来临时保存和调用数据;而在DRAM 的类别里,还有一种采用特殊封装形式的高性能芯片,高带宽存储器HBM,它就像大脑的短时记忆,速度极快,专门用于AI 的训练和推理,因此也格外受到市场追捧;第二类则是NAND 闪存,它类似大脑的档案库,也就是长期记忆,负责存放海量数据和模型参数。
根据闪存市场,上月以来,在原厂控货+涨价双重驱动下,现货Flash Wafer 价格强势上涨,一个半月时间里,1Tb Flash Wafer 价格累计涨近15%,512Gb Flash Wafer 更是涨超20%。本周行业SSD 和内存条全面涨价。服务器内存条报价同样大幅上扬,具体来看,DDR4 RDIMM 16GB3200 涨 66.67% 至 $150.00。近日现货贸易端包括NAND 和DRAM 在内的所有资源价格快速上涨。在上游资源日益走高且供应收紧的影响下,相对应的产品生产成本大幅走高,服务器、手机、PC 等各应用端的存储成品全面掀起涨价潮。Trendforce 集邦咨询预估第四季度整体一般型DRAM(Conventional DRAM)价格将季增8-13%,若加计HBM,涨幅将扩大至13-18%。预估NAND Flash 第四季各类产品合约价将全面上涨,平均涨幅达5-10%。
国际巨头转向高端产品,国产存储迎来替代窗口。目前从利基市场到主流应用,国产存储芯片获全球客户青睐。由于三星、美光、海力士等头部公司加速向新制程节点的 HBM、DDR5、LPDDR5 等产品迁移,放弃或减少利基型产品的生产,带来行业竞争格局的变化和国内厂商份额提升的机会。
随着AI 大模型训练与数据中心建设成为核心驱动力,国产存储芯片在企业级市场快速渗透
长江存储的企业级SSD 已广泛用于阿里云、腾讯云等国内主流云服务商。在消费级市场,国产存储芯片凭借性价比优势快速抢占份额。
国内厂商扩产提速,四季度需求与开工稳健复苏。四季度国内存储公司有望继续受益于 “价格回升+国产替代” 的双重驱动,该行预计第四季度国内存储芯片公司的需求、订单及开工情况将呈现稳健复苏的态势。
目前,长江存储正推进三期扩产计划:2025 年底前将月产能提升至15 万片,2026 年启动三期招投标,分三阶段扩产5-6 万片,2028 年三期达产后总产能将达30 万片/月,目标占据全球15%的NAND 市场份额。长鑫存储DRAM 产量预计达273 万片/年,成为全球第四大DRAM厂商,仅次于三星、SK 海力士、美光。其二期工厂于2025 年Q4 试生产,新增产能8 万片/月,聚焦15nm 以下先进制程;三期工厂已启动设备采购,目标2026 年扩产6-7 万片/月,设备采购需求约60 亿美元,国产化率超50%。
AI 存储革命已至,“以存代算”开启存储新纪元,带动SSD 需求增速高于传统曲线
为突破算力瓶颈与“存储墙”制约,“以存代算”作为一种颠覆性技术范式应运而生。该技术通过将AI推理过程中的矢量数据(如KVCache)从昂贵的DRAM 和HBM 显存迁移至大容量、高性价比的SSD 介质,实现存储层从内存向SSD 的战略扩展,而非简单替代。其核心价值在于显著降低首Token 时延、提升推理吞吐量,并大幅优化端到端的推理成本,为AI 大规模落地提供可行路径。
建议关注
存储模组与主控:江波龙(天风计算机联合覆盖)、德明利、佰维存储、朗科科技、联芸科技、万润科技等 ;存储芯片:兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、澜起科技、聚辰股份等 ;存储分销与封测:香农芯创、深科技、太极实业、中电港等。