Navitas Sem导体公布了先进中高800 V电压的Gap和Sic功率器件的开发进展，以支持Nvidia宣布的用于下一代人工智能工厂计算平台的800 V电源架构

加利福尼亚州托伦斯2025年10月13日（环球新闻网）--下一代GaNFast™氮化镓（GaN）和GeneSic™碳化硅（Sic）功率半导体领域的行业领导者Navitas Sem导体（NASDAQ：NVTS）宣布其在开发先进的中高800 V电压Gap和Sic功率器件方面取得进展，以支持英伟达宣布的用于下一代人工智能工厂计算平台的800 V电源架构。

随着“人工智能工厂”的出现，这是一种专门为大规模、同步人工智能和高性能计算（IPC）工作负载而构建的新型数据中心，它带来了一系列电源挑战。传统的企业和云数据中心依赖于传统的54 V架内配电，无法更长时间地满足当今加速计算平台所需的多兆瓦机架密度。这些挑战需要根本性的架构转变。

800 V直流配电提供：

800 V DC架构可在数据中心电源室或周边内从13.8 kV公用电源直接转换为800 V DC。通过利用固态变压器（STS）和工业级整流器，这种方法消除了多个传统的AC/DC和DC/DC转换级，从而最大限度地提高能源效率、减少损耗并提高整体系统可靠性。

800 V直流配电直接为IT机架供电，无需额外的AC-DC转换级，并通过两个高效率DC-DC级（800 V至54 V/12 V，然后至负载点图形处理器电压）逐步下降，以驱动先进的基础设施，例如NVIDIA Rubin Ultra平台。

这些最先进的人工智能工厂需要前所未有的功率密度、效率和可扩展性，而Navitas的高性能GaNFast和GeneSic技术可以实现这一目标。