Navitas Sem导体公布了先进中高800 V电压的Gap和Sic功率器件的开发进展，以支持Nvidia宣布的用于下一代人工智能工厂计算平台的800 V电源架构

加利福尼亚州托伦斯2025年10月13日（环球新闻网）--下一代GaNFast™氮化镓（GaN）和GeneSic™碳化硅（Sic）功率半导体领域的行业领导者Navitas Sem导体（NASDAQ：NVTS）宣布其在开发先进的中高800 V电压Gap和Sic功率器件方面取得进展，以支持英伟达宣布的用于下一代人工智能工厂计算平台的800 V电源架构。

随着“人工智能工厂”的出现，这是一种专门为大规模、同步人工智能和高性能计算（IPC）工作负载而构建的新型数据中心，它带来了一系列电源挑战。传统的企业和云数据中心依赖于传统的54 V架内配电，无法更长时间地满足当今加速计算平台所需的多兆瓦机架密度。这些挑战需要根本性的架构转变。

800 V直流配电提供：

800 VDC架构可在数据中心电源室或周边将13.8 kVAC公用电源直接转换为800 VDC。通过利用固态变压器（SST）和工业级整流器，这种方法消除了多个传统的AC/DC和DC/DC转换级，最大限度地提高了能源效率，降低了损耗，并提高了整体系统的可靠性。

800 VDC配电直接为IT机架供电，无需额外的AC-DC转换级，并通过两个高效DC-DC级（800 VDC至54 V/12 VDC，然后至负载点GPU电压）降压，以驱动NVIDIA Rubin Ultra平台等高级基础设施。

这些最先进的人工智能工厂需要前所未有的功率密度、效率和可扩展性，而Navitas的高性能GaNFast和GeneSic技术可以实现这一目标。