【方正电子】新工艺新结构拓宽空间，国产厂商多维发展突破海外垄断

本文来自方正证券研究所于2025年9月28日发布的报告《新工艺新结构拓宽空间，国产厂商多维发展突破海外垄断》，欲了解具体内容，请阅读报告原文。

马天翼 S1220525040003

王海维 S1220525040004

吴家欢（联系人）

核心观点

美国升级出口限制凸显国产化重要性，国产厂商多维发展突破海外垄断。2024年12月，美国BIS修订了《出口管理条例》，对高深宽比结构、新金属材料等尖端应用所需的薄膜沉积设备实施新的管控。根据SEMI和中国电子专用设备工业协会数据，2023年国内薄膜沉积设备市场规模约479亿元，国产化率低于25%。目前国内薄膜沉积设备厂商主要包括北方华创、拓荆科技、微导纳米、中微公司、盛美上海和晶盛机电等，各厂商发展侧重点不同，共同助力薄膜沉积设备国产化崛起。

逻辑：1）随着制程不断微缩，多重曝光技术开始应用，其中需要ALD进行多次的侧墙沉积。2）28nm及以下节点采用的HKMG工艺将采用ALD沉积栅介质层和金属栅极。3）GAA是3nm以下节点的首选结构，除HKMG仍将采用ALD技术沉积外，内侧墙的制备也需通过ALD进行Low-K材料填充后再进行回刻形成；此外，GAA需通过外延技术生长出Si-SiGe的超晶格结构以及源极和漏极。

NAND：3D NAND层数正不断提高，或将于2030年突破千层。1）ONO叠层需要PECVD进行的超高均匀度制备。2）ALD可满足沟道硅、 隧道氧化物、字线钨等高深宽比结构中材料的均匀填充。

DRAM：1）随着DRAM制程进入2x-nm及以下节点，AA、SNC等结构将采用多重曝光技术进行制备，需ALD进行侧墙沉积。2）单个电容器尺寸正不断缩小，器件内部沟槽以及深孔的深宽比也越来越大，需采用ALD进行此类结构的填充，如SN孔中High-K电介质叠层沉积。3）未来3D DRAM结构有望出现，高深宽比结构将大幅增多，显著刺激ALD设备的需求。

建议关注标的：北方华创，中微公司，拓荆科技，微导纳米，晶盛机电。

风险提示：宏观经济和行业波动风险，下游客户资本性支出波动较大及行业周期性特点带来的经营风险等。

正文如下

以上为报告部分内容，完整报告请查看《新工艺新结构拓宽空间，国产厂商多维发展突破海外垄断》

   方正电子团队  

马天翼

方正证券研究所

电子首席分析师

王海维

方正证券研究所

电子联席首席分析师

马天翼：管理科学与工程硕士，毕业于上海交通大学安泰经济与管理学院，曾任职于东方证券、东吴证券，曾作为核心成员获II财新大中华分析师科技硬件第一名（2018）、第三名（2020），曾获新浪财经金麒麟半导体行业菁英分析师第七名（2023）。

王海维：华东师范大学硕士，电子&金融复合背景，主要覆盖半导体板块，善于按板块建立研究框架，专注个股深度研究，2018年新财富上榜分析师（第3名）核心成员，先后任职于安信证券/华西证券/华金证券研究所，2025年4月加入方正证券研究所。

鲍娴颖：产业经济学硕士，7年电子行业研究经验，2018-2020年就职于财通证券，2020-2025年就职于东吴证券，2025加入方正证券，深度覆盖消费电子、汽车电子、被动元器件等领域。

金    晶：毕业于同济大学，同时获得法国格勒高商双硕士学位。2021-2022年任职于国金证券通信团队，2022-2025年任职于东吴证券电子团队，2025年加入方正证券。重点覆盖存储、消费电子、智能控制器等领域。

王润芝：毕业于复旦大学，获得金融专业硕士学位，具有三年电子行业研究经验，2022-2025年就职于东吴证券电子团队，2025年加入方正证券研究所，深度覆盖汽车电子、光学、CIS、核聚变及超导新兴产业等领域。

吴家欢：吉林大学学士，博科尼大学硕士，电子&管理复合背景。2023-2025年就职于华金电子团队，2025年加入方正证券。重点覆盖半导体材料、半导体设备、模拟芯片等领域。