英飞凌与罗姆签署合作备忘录，携手推进SiC功率器件封装兼容性

（来源：第三代半导体产业）

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）宣布，与全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer（左）

罗姆董事兼常务执行官 伊野和英（右）

作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装）。该平台将所有封装统一为2.3mm的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。

同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的Double TO-247 IGBT产品组合新增SiC半桥解决方案。罗姆先进的DOT-247封装相比传统分立器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个TO-247封装连接的独特结构，较TO-247封装降低约15%的热阻和50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到TO-247封装的2.3倍。

英飞凌与罗姆计划今后将不仅在硅基封装，还将在SiC、GaN等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。