三安出席亚洲电力电子盛会PCIM Asia

9月24日至26日，三安参加电力电子盛会PCIM Asia上海展，集中展示了涵盖碳化硅全产业链的核心产品与解决方案，包括SiC MOSFET/SBD、衬底、外延片、车规级模块等；还同步展示了针对新能源汽车与工业应用自主研发的评估测试板，助力客户加速系统验证与产品上市。在同期举办的ISES China 2025国际半导体高管峰会上，三安半导体工艺技术研发副总顾子琨博士受邀发表主题演讲，系统阐述了三安在碳化硅MOSFET技术上的演进路径与突破，包括产品可靠性提升、导通电阻优化等关键进展。（美通社）