GlobalFoundries将与Egis技术合作，在GF的55纳米平台上提供新型直接飞行时间传感器

纽约州马塔九月2025年23日（环球新闻网）--今天，GlobalFoundries（纳斯达克股票代码：FSG）（GF）在中国上海举行的年度技术峰会上宣布与Egis Technology合作，在GF的55纳米平台上提供新型直接飞行时间（dToF）传感器。这一新解决方案支持智能传感技术，用于智能移动、物联网和汽车终端市场的新兴应用。

GF的第一代FSI（正面照明）SPAD（单量子雪崩二极管）器件具有同类最佳的暗计数率和近红外光检测概率，可用于高SNR dToF传感。SPAD器件以p单元形式提供，集成在GF功能丰富的55纳米平台上，该平台在单个更小的芯片上提供了完全集成的dToF SoC，包括高压偏置、LCS驱动器、MCU和范围核心。当与GF 55纳米平台的广泛IP组合相结合时，设计人员可以开发出具有同类最佳尺寸、重量、功率和成本优势的下一代应用优化智能传感器，以更快的速度上市。

领先的显示指纹传感器提供商Egis于2022年首次与GF合作，作为进入新兴3D传感器市场的战略举措。新的FSI SPAD技术的应用包括智能移动设备、笔记本电脑和投影仪的激光辅助自动聚焦、智能电器和建筑物的存在检测，以实现机器人和无人机的节能功能和碰撞避免。

“GF致力于通过我们的FSI SPAD设备等解决方案来实现智能传感技术的未来，该解决方案为下一代智能传感器提供显着的性能和设计优势，”GF功能丰富的互补性互补性产品线高级副总裁Kamal Khouri表示。“通过与Egis的合作，我们很高兴能够将这些先进的直接飞行时间传感器带到日益自动化的世界中依赖精确数据捕获的不断增长的设备市场。"

Egis董事长Steve Lo表示：“Egis很自豪能够与GlobalFoundries合作，开发专为重要应用量身定制的新型传感器解决方案。”“通过利用GF先进的FSI SPAD技术，我们继续致力于创新和简化直观的用户体验。"

55纳米SPAD可在GF位于新加坡的大批量制造工厂进行大规模生产。通过GF GlobalShuttle多项目晶圆厂（MPW）计划运行的工艺设计套件和专用穿梭机可供设计师开始原型设计。