SK keyfoundry推出新型多层厚金属间电介质工艺

SK keyfoundry宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)电容工艺。该工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米，从而在金属-绝缘体-金属(MIM)结构中，总厚度最高可达到18微米。该工艺可提供高达19,000V的击穿电压特性及优异电容性能，预计将用于制造数字隔离用电容器，以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。采用此工艺制造的电容已成功通过主要客户的经时介电层击穿(TDDB)评估，并符合AEC-Q100国际汽车半导体质量标准。（美通社）