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2025-09-22 15:03
据报道,三星电子公司(OTC:SSNLF)的最新高带宽内存(HBM 3 E)产品已获得英伟达公司(NASDAQ:NVDA)的批准,标志着人工智能硬件芯片供应竞赛取得重大突破。
据KED Global周五报道,据知情人士透露,三星第五代12层HBM 3 E产品已通过Nvidia的资格测试。这一批准是经过一年半的开发和几次未能满足Nvidia严格的性能标准的尝试之后获得的。
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此次批准对三星来说是一个重要的里程碑,象征着其在半导体行业竞争激烈的领域技术信誉的恢复。HBM 3 E芯片计划用于Nvidia的旗舰B300 AI加速器和AMD Inc.的MI 350。(AMD)。
周一,韩国股市三星股价上涨近5%。
Nvidia的批准对三星来说是一个重大胜利,因为它标志着竞争激烈的半导体行业的回归。鉴于人工智能硬件的重要性日益增加,这一发展尤其值得注意,这推动了对高容量存储芯片的需求。
尽管三星已获得批准,但其向英伟达提供的HBM 3 E芯片预计仍将受到限制,因为它是继SK Hynix Inc.之后第三家获得批准的公司。和美光科技公司(纳斯达克股票代码:MU)。
竞争正在转向HBM 4,该芯片将于明年推出英伟达的下一代Vera Rubin芯片,英伟达推动供应商将速度从当前的8 Gbps标准提高到10 Gbps以上。
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英伟达对三星HBM 3 E芯片的验证正值该公司扩大客户群和合作伙伴关系之际,特别是在其最近在中国实施芯片禁令之后。
英伟达和英特尔公司(纳斯达克股票代码:INTC)之间的半导体合作伙伴关系可能会使两家公司受益,但英伟达被视为此次合作中的明显赢家。这一验证可能会进一步加强英伟达在市场上的地位。
Beninga的边缘排名将Nvidia的质量排名排在第93百分位,增长率排在第98百分位,反映出其在这两个领域的强劲表现。请在此处查看详细报告。
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