闪迪、美光超预期涨价：存储模组供应格局梳理

（来源：伏白的交易笔记）

前言：继闪迪宣布将NAND产品价格上调10%之后，美光近日向渠道通知，存储产品即将上涨20%-30%，所有产品暂停报价。

一. 存储概览

半导体存储器是用来存储和读取数据的记忆部件，按断电后数据是否保存，分为易失性存储（RAM）、非易失性存储（ROM）两大类。

1.1 易失性存储（RAM）

特点：依赖持续供电，断电数据丢失，核心优势是读写速度快，适配临时数据存储与高速计算支持。

（1）SRAM（静态随机存储器）：无需周期性刷新、密度低、读写速度极快，主要用于CPU高速缓存。

（2）DRAM （动态随机存储器）：需周期性刷新、密度高、速度中等，主要用于PC/服务器/手机主内存。

1.2 非易失性存储（ROM）

特点：断电后数据保留，读写速度较慢，适配长期数据存储场景

（1）NAND Flash（NAND闪存）：存储密度高，主要用于固态硬盘、嵌入式等大容量存储。

（2）NOR Flash（NOR闪存）：随机读取速度快，适合代码执行，常用于存储代码。

二. 存储两大细分产品

DRAM、NAND Flash是存储领域主要产品，市场合计占比97%。

2.1 DRAM分类

（1）标准DDR：高带宽、中等功耗；作为计算机主存，用于PC、服务器；

（2）移动DDR（LPDDR）：低功耗、小尺寸；用于手机、平板。

（3）图形DDR（GDDR/HBM）：极高带宽、高功耗；GDDR用于显卡显存，HBM（高带宽内存）用于AI训练/推理。

2.2 NAND Flash分类

（1）固态硬盘（SSD）：容量大，读写速度快，主要用于PC、服务器。

（2）嵌入式存储：体积小、功耗低，主要用于汽车电子、物联网设备、手机、平板。

（3）移动存储：便携可插拔，主要用于U盘、移动硬盘、 SD卡。

三. 产业各环节梳理

3.1 存储芯片设计

（1）内存（DRAM）：兆易创新、北京君正、澜起科技。

（2）闪存（NAND/NOR Flash）：东芯股份、普冉股份、聚辰股份。

3.2 存储模组

存储模组是整合存储芯片、主控芯片、PCB及接口部件的功能单元，并通过标准化接口被设备识别和使用，满足相应存储场景。

接口标准及产品：DDR（DRAM内存）、PCle（固态硬盘）、USB（移动存储）、eMMC（嵌入式存储）。

（1）海外：三星、铠侠、SK海力士、西部数据、金士顿、闪迪。

（2）国内：江波龙、佰维存储、香农芯创、德明利、协创数据、开普云（金泰克）。