DB HiTek专属氮化镓多项目晶圆项目计划10月底推出

8英寸特色晶圆代工厂DB HiTek宣布，其下一代功率半导体平台--650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺开发已进入最终阶段。该公司还将于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆(MPW)项目。此后，DB HiTek计划在2026年底前推出200V氮化镓工艺及针对集成电路优化的650V氮化镓工艺。为支持这些举措，DB HiTek正在扩建位于韩国忠清北道的Fab2洁净室设施。此次扩建预计每月新增约3.5万片8英寸晶圆产能。（美通社）