花旗：AI推动内存需求激增 2026年或面临“供不应求”

智通财经APP获悉，投资机构花旗于周二表示，受人工智能(AI)领域对内存需求激增的推动，这一关键科技商品在2026年可能出现“供不应求”的情况。

花旗分析师在给客户的报告中指出：“我们预计，2026年动态随机存取存储器(DRAM)与NAND闪存都将进入供不应求状态，其中DRAM的供需比预计为-1.8%，NAND闪存的供需比预计为-4.0%。

我们认为，随着AI需求从‘AI训练’阶段转向‘AI推理’及边缘AI设备，普通服务器内存、移动设备DRAM，以及高带宽、高密度NAND闪存(如基于QLC技术的企业级固态硬盘eSSD)的需求将显著增长。

尽管传统内存需求不断上升，但内存供应商仍在优先投资高带宽内存(HBM)，为此牺牲了传统内存的产能投入。因此，我们预计2026年整体内存市场的供需关系将趋紧，进而对内存价格形成上涨压力。”

基于这一判断，花旗重申了对美光科技(MU.US)、SanDisk(SNDK.US)、三星及SK海力士的“买入”评级。

花旗进一步分析称，2026年DRAM的供应量与需求量预计将同比分别增长17.5%和20.1%，供需增速差凸显了该品类的失衡风险;NAND闪存方面，预计2026年供应量同比增长16.5%，而需求量同比增幅将高达21.4%，供需缺口同样显著。

分析师还补充道，预计2026年晶圆厂设备支出将同比增长11.1%，这一增长的核心逻辑是，内存供应商大概率会继续将资源向高带宽内存(HBM)倾斜，而非传统内存。具体来看，2026年DRAM领域的资本支出(capex)预计同比增长12.2%，NAND闪存领域的资本支出预计同比增长9%。