晶盛机电 | 点评：英伟达新一代GPU有望采用碳化硅中介层，SiC衬底新应用打开公司成长空间

（来源：先进制造新视角）

【东吴机械】周尔双13915521100/李文意18867136239/韦译捷/钱尧天/黄瑞/谈沂鑫17851090557/陶泽

投资评级：买入（维持）

 1  事件：

    英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层，预计2027年导入。

 2 英伟达高阶GPU均采用CoWoS结构，后续高性能版本散热需求更高

    英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装（芯片-晶圆-基板）技术。CoWoS通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。

 3 SiC凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸

    ①单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体，其热导率达到490 W/m·K，比硅高出2–3倍，是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。②与硅中介层相比，单晶SiC还具有更好的耐化学性，因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350 μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层，显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。

 4 SiC新应用场景打开，带来增量市场

以当前英伟达H100 3倍光罩的2,500 mm²中介层为例，假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层，2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层，则对应76,190张衬底需求。台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS来集成更多处理&存储器，中介层面积增至1.44万mm²，对应更多衬底需求。

 5 晶盛积极扩产6&8寸衬底产能，已具备12寸能力

公司目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。

盈利预测与投资评级

我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10.1/12.5/15.4亿元，当前股价对应动态PE分别为46/37/30倍，考虑到公司多业务仍具备成长性，维持“买入”评级。

风险提示

碳化硅导入CoWoS工艺不及预期，技术研发不及预期

东吴机械团队

东吴机械研究团队荣誉

2024年 新财富最佳分析师 机械行业 第四名

2024年 Wind金牌分析师 机械行业 第一名

2023年 新财富最佳分析师 机械行业 第四名

2023年 Wind金牌分析师 机械行业 第一名

2022年 新财富最佳分析师 机械行业 第三名

2022年 Wind金牌分析师 机械行业 第二名

2021年 新财富最佳分析师 机械行业 第三名

2021年 Wind金牌分析师 机械行业 第一名

2020年 新财富最佳分析师 机械行业 第三名

2020年 卖方分析师水晶球奖 机械行业 第五名

2019年 新财富最佳分析师 机械行业 第三名

2017年 新财富最佳分析师 机械行业 第二名

2017年 金牛奖最佳分析师 高端装备行业 第二名

2017年 卖方分析师水晶球奖 机械行业 第五名

2017年 每市组合 机械行业 年度超额收益率 第一名

2016年 新财富最佳分析师 机械行业 第四名

2016年 金牛奖最佳分析师 高端装备行业 第四名