叫板台积电！三星2nm良率大幅提升

（来源：半导体前沿）

根据韩国媒体ETnews引用市场人士报道表示，随着三星2纳米良率的进一步提升，三星晶圆代工部门正在准备量产下一代旗舰级移动处理器Exynos 2600，预计将采用三星自家的2纳米制程技术，这似乎也意味着三星即将解决良率问题。

根据之前的消息显示，三星2纳米节点制程的初期良率低于30%，但是其正全力投入良率的改进的作业，目标是年底将2纳米节点制程的良率提高到70%。 其中，新散热器零件的加入，有望解决Exynos 2600现有的散热问题，还透过三星晶圆代工制成技术的不断改进，使得Exynos 2600目前正在进行性能测试，是否应用于三星新一代旗舰智能手机Galaxy S26系列上，预计会在将会在2025年第四季决定。

报道指出，采用2纳米节点制程的Exynos 2600将会采用2个超大核心，加上6个运算大核心，在Geekbench 6跑分软件中的单核心跑分约为2,950分，多核心跑分约为10,200分。 而且，还集成了的 Xclipse 960 GPU，其在 3DMark Wild Life Extreme 中可达到约 5800 分的成绩，在 GFXBench Aztec Ruins 中可能达到约 85 FPS。 总体来看，三星Exynos 2600的CPU性能有望相比前一代大幅提升30%以上。

事实上，三星一直在努力扭转其晶圆代工厂所面临的良率困境。先前以3纳米GAA技术制程打造的Exynos 2500，已经被自家的Galaxy Z Flip 7所采用。 同时，三星近期还赢得了特斯拉采用2纳米节点制程的人工智能芯片的代工订单。 接下来的Exynos 2600有望成为首个采用三星2纳米节点制程的芯片，这也将成为决定其2纳米节点制程能否顺利为特斯拉代工，并吸引其他客户的关键。

报道指出，如果基于三星2纳米节点制程的Exynos 2600成功量产，并在Galaxy S26系列上获得成功，其有望拿下部分高通的2026年旗舰芯片的代工订单。 目前高通最新的骁龙8系列旗舰芯片正采用台积电第二代3纳米节点制程来生产，每片晶圆的成本可能高达18,500美元。 而且，台积电还正在推动将3纳米节点制成家族的单价上涨计划，三星期望在此背景下，成为吸引客户的第二供应来源。

根据市调机构Counterpoint Research的资料显示，台积电已经拿下了全球87%的5纳米及更先进节点制成的智能手机芯片市场，拥有极强的定价权。 如果没有其他可选的供应商，那么高通等芯片厂商将被迫接受台积电的涨价。 所以，对于高通等芯片厂商来说，如果想要降低晶圆代工成本，那么就需要实现晶圆代工供应链的多元化，这是三星和高通等芯片设计大厂的共同利益所在。

来源：官方媒体/网络新闻

会议背景

电子特气是半导体制造中的关键材料，对芯片性能和良率有直接影响，是半导体制造的第二大耗材，占比约14%。2025年，中国电子特气市场规模近300亿，且保持每年10%的增长。

追随空气化工、林德、液化空气、大阳日酸等国际企业的步伐，国内电子特气企业金宏气体、华特气体、南大光电、中船特气和雅克科技等纷纷取得突破。国内企业已经在关键领域实现突破，产品进入台积电、美光、中芯国际等国际头部晶圆厂供应链。然而，高端前驱体和光刻气等仍依赖进口，国产化率低，具备很大的发展潜力。

2024年全球半导体金属/氧化物前驱体市场规模达17亿美元，同比增长15%。中国作为重要市场，亚化咨询预计2028年半导体前驱体市场将达12亿美元。主要受益于存储芯片及逻辑芯片先进制程的需求。伴随中芯、华润、华虹、长江存储、长鑫、等本土晶圆厂扩产，国产前驱体在纯度、定制化解决方案领域替代空间巨大。国内龙头企业雅克科技、南大光电、正帆科技发展迅速，厦门恒坤、上海至纯等在前驱体领域也不断推进。 

2025电子特气与半导体前驱体论坛（AESG2025）将于11月5-6日在苏州召开。会议由亚化咨询主办，金宏气体等企业战略支持。将探讨电子特气与前驱体发展现状与趋势，搭建产学研平台，聚焦技术创新、工艺优化、供应链安全与合作，推动半导体核心材料跨越式发展。

会议主题

• 全球与中国半导体发展的材料需求

• 半导体特气国产化进程与高端市场突破

• 电子特气与前驱体在晶圆厂的认证

• 金属/金属氧化物/硅基前驱体与掺杂材料技术

• 从实验室到量产：电子气体与前驱体的产业化

• ALD/CVD前驱体材料的国产化现状与未来方向

• ArF/DUV/EUV光刻过程中的气体纯度与控制技术