SK海力士引入High NA EUV设备

SK海力士公司（SK hynix Inc.）宣布，已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）引进韩国利川M16工厂。自2021年首次将极紫外光刻技术应用于第四代10纳米工艺（1anm）以来，SK海力士持续扩大该技术在尖端DRAM量产中的应用范围。作为阿斯麦（ASML）高数值孔径EUV产品线的首款量产机型，TWINSCAN EXE:5200B可实现比现有EUV系统小1.7倍的晶体管刻蚀，并使晶体管密度提升2.9倍。其数值孔径从0.33提升至0.55，性能提升达40%。（美通社）