Axcelis科技公司与GE Aerospace进入联合开发计划，重点开发具有生产价值的6.5至10电压超级结电力设备。

Axcelis科技公司（纳斯达克股票代码：ACLS）是半导体行业离子注入解决方案的领先供应商，宣布与GE Aerospace开展联合开发计划（JDP），重点开发可生产的6.5至10电压超结功率器件。工艺将在Axcelis的Purion XEmax™高能注入机上开发，该设备在最广泛的能量范围（高达15 MeV）内提供业内最高的束流。

该JDP支持由GE Aerospace领导的“先进高压硅碳化物开关”项目，该项目是由北卡罗来纳州立大学领导的宽带间隙半导体（CLAWS）中心商业飞跃的一部分。该项目的目标是提高重要新兴应用中使用的电源开关的性能。

与传统硅（Si）器件相比，碳化硅（Sic）宽带带隙半导体提供更高的电压、工作温度和频率。这些半导体器件通过降低功耗和缩小关键系统的封装，支持航空航天和国防领域的许多应用。在商业方面，高压宽带宽带隙半导体预计将在人工智能、量子计算、自动驾驶汽车和更具弹性的电网等新兴关键技术中发挥重要作用。

总裁兼首席执行官Russell Low评论道：“我们很自豪能够与GE Aerospace合作开展这项工作，这有可能加速超级结技术的采用。Axcelis致力于提供设备和流程专业知识，帮助我们的客户制定超级枢纽设备路线图。"

Axcelis的Purion XEmax在能量范围上提供了最大的灵活性，以优化深度和浓度的轮廓，通过减少应用步骤数量来实现更具成本效益的方法，并且在引导超过7µm的铝植入深度方面表现出色。

GE Aerospace通过其位于纽约州尼斯卡尤纳的研究中心，在三十多年的时间里建立了世界领先的SiC技术IP产品组合，并通过其电力业务销售基于SiC的电力产品，以支持商用飞机和地面车辆上的航空电子设备和电气系统。最近，GE Aerospace的研究人员一直在关注SiC的开发，以实现未来更极端的飞行操作，例如高超音速飞行器和太空旅行，并支持电力推进的开发。

通用电气航空航天研究中心首席工程师Ljubisa Stevanovic博士表示：“高压Six功率器件是一系列关键新兴应用和未来事业的重要推动者，包括高超音速旅行、电力推进和太空探索。我们很高兴与Axcelis合作开展这个项目，因为他们在硅碳化物功率器件离子注入方面的专业知识以及市场领先的Purion高能离子注入器产品组合。"