中国移动首款全自研新结构硅基外腔混合集成光源芯片成功

近日，中国移动研究院成功自主研制出首款新结构硅基外腔混合集成光源芯片。该芯片凭借34.2 Hz本征线宽（衡量信号频率稳定性的核心指标），实现了相位噪声比现有产品降低三个量级（本征线宽从数十kHz降低到数十Hz）的突破性进展，为T比特级（每秒可传送万亿比特数据）下一代光传输激光器演进提供了全新解决方案。

项目团队历经三年攻关，全程主导从结构设计、参数仿真到版图布局、流片封装、原型验证全流程研发，先后完成两次晶圆迭代流片以及七次原型封装验证，编写芯片核心结构代码数千行。在实现调谐范围、线宽等关键性能指标突破的同时，通过优化结构设计和版图布局，将芯片面积缩减90%，达到1.5mm×4mm，且兼容标准的紧凑型nano封装，具备产品化应用前景。

该芯片是中国移动首款全自研光源芯片，从设计、制备到封装均在国内完成，实现了全链条自主可控。中国移动研究院以T比特级高速相干光通信的“引擎”——可调谐窄线宽激光器为核心突破口，系统性地布局超宽谱、超高速光传输基础芯片研究。

针对T比特级波段扩展和速率提升两大核心挑战，团队通过三大技术创新突破了传统方案的瓶颈，实现波段覆盖提升100%、线宽降低三个量级的性能提升，为T比特级光传输系统的实现奠定坚实的高性能芯片基础。