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2025-08-05 08:24
中信证券研报指出,预计2025年第三季度主流、利基存储价格有望全面上涨,叠加消费类传统旺季,看好存储厂商第三季度表现。1)DDR4涨价、NOR Flash涨价逻辑下,我们重点推荐存储芯片设计龙头;此外,建议关注存储模组分销商。2)部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格,叠加原厂逐步退出DDR4,DDR5渗透率有望加快提升。
存储|三季度利基存储涨势扩大,看好供应链表现(2025年7月)
我们预计25Q3主流、利基存储价格有望全面上涨,叠加消费类传统旺季,我们看好存储厂商Q3表现。1)DDR4涨价、NOR Flash涨价逻辑下,我们重点推荐存储芯片设计龙头;此外,我们建议关注存储模组分销商。2)部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格,叠加原厂逐步退出DDR4,我们认为DDR5渗透率有望加快提升。
▍一、价格回顾(Bloomberg,CFM闪存市场)
DRAM:DDR5温和上涨,DDR4受原厂加速减产影响涨幅超预期。1)DDR5:6月现货价格环比+0~+5%,7月至今保持低个位数涨幅。颗粒现货和合约价格保持温和上涨。2)DDR4:6月现货价格环比+21~+100%,7月至今-5%~+5%。海外三大DRAM原厂聚焦高利润率的DDR5、HBM,陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入EOL(end of life,生命周期结束),Trend Force预计最后出货时间为2026年初。
NAND Flash:原厂减产效果已显现,价格基本企稳。6月NAND Flash(Wafer) TLC价格环比基本持平,QLC价格小幅下滑。海外大厂自2024年12月以来陆续公告减产10%~15%,同时加快将产能向200层以上产品迁移,进而减少低价产品的供应量,行业供需在25H1加速平衡。需求方面,北美CSP厂商持续投入,AI服务器带动企业级SSD需求持续提升。
模组:7月价格波动相对较小,内存条持平微增,SSD部分回落。1)内存条:7月DDR4/DDR5行业、渠道市场价格持平或个位数上涨。2)SSD:7月渠道市场价格个位数回落,行业市场价格稳定。3)移动存储:7月消费市场需求整体稳定,UFS、eMMC价格持平。
▍二、价格展望:预计25Q3 DDR5、NAND温和上涨,DDR4合约价涨幅扩大,NOR、SLC NAND开启涨势。
1)DRAM:我们预计在企业级需求旺盛、消费电子旺季下DDR5价格有望保持温和上涨,TrendForce预测,25Q3 DDR5/LPDDR5X合约价格涨幅3%~10%。DDR4在三大DRAM原厂陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入EOL,市场继续积极备货,叠加传统旺季,TrendForce预测,25Q3 DDR4/LPDDR4X合约价格涨幅将扩大至23%~45%。
2)NAND Flash:上半年在原厂持续减产下供需关系已经明显改善,且AI服务器需求持续旺盛,根据TrendForce,25Q3 NAND Flash平均合约价格涨幅5%~10%。
3)利基存储:对于NOR Flash,台系厂商大容量NOR受益AI服务器需求存在结构性缺货,Q3合约价上涨10%~15%,兆易创新已跟进;中小容量NOR静待大陆厂商明确,我们认为存在一定涨价可能性。我们预计25Q3 NOR价格整体涨幅将达5%~10%。对于SLC NAND Flash,我们预计23Q3价格有望上涨10%。
▍三、海外原厂业绩及预期:
25Q2美光科技、三星电子(存储业务)、SK海力士营收环比均增长。分下游来看,消费类需求环比有所改善,企业级存储保持高景气度。
1)SK海力士:公司预计25Q3 DRAM bit出货量环比+0%~+5%,NAND bit出货量环比有限增长;
2)三星电子:公司预计AI服务器需求保持强劲;
3)美光科技:公司预计服务器出货量有望保持中个位数增长,PC、智能手机出货量保持低个位数增长。下季度指引方面,美光预计FY25Q3(2025年6-8月)营业收入将达104~110亿美元(中值环比+15%),毛利率41%~43%区间(中值环比+4ppts)。
▍风险因素:
国际宏观政治经济波动;下游需求走弱;面板价格提升不及预期;行业竞争激烈;技术革新风险等;国际贸易摩擦风险;海外潜在关税风险。
▍投资建议:
我们预计25Q3主流、利基存储价格有望全面上涨,叠加消费类传统旺季,我们看好存储厂商Q3表现。1)DDR4涨价、NOR Flash涨价逻辑下,我们重点推荐存储芯片设计龙头;此外,我们建议关注存储模组分销商。2)部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格,叠加原厂逐步退出DDR4,我们认为DDR5渗透率有望加快提升。
(文章来源:财联社)