股价暴涨！英诺赛科成英伟达800V架构唯一中国供应商

（来源：第三代半导体产业）

8月1日，英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，中国氮化镓龙头企业英诺赛科上榜，将为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，这也是名单中唯一的中国供应商。该消息直接推动英诺赛科8月1日港股股价一度暴涨近64%！

据悉，英伟达与英诺赛科 此次合作将推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用，并将单机房算力密度将提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW，推动全球AI数据中心正式迈入兆瓦级供电时代。

业界认为，英伟达选择英诺赛科作为其核心合作伙伴，主要看中后者具备的从衬底、外延、芯片设计到封装测试的IDM全链优势，拥有“技术+产能+服务”综合实力。

资料显示，英诺赛科专注于氮化镓研发与制造，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。

英诺赛科坚定推行IDM（设计-制造-封测一体化）模式，战略重心聚焦8英寸GaN产线的工程化成熟度。资料显示，英诺赛科自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，良率达95%以上，推动成本下降40%，是目前业界最先进的生产线之一，产能居行业首位。

今年7月，媒体报道英诺赛科正加速其8英寸氮化镓晶圆 产能的扩张。公司计划将当前每月13000片的产能提升至2025年底的20000片。长远目标是未来五年内将月产能进一步扩大至70000片。

技术方面，英诺赛科第三代GaN器件高频效率达98.5%，支持15V-1200V全电压场景。此外，英诺赛科还提供高压/中压/低压三级DC-DC转换架构，系统性提升整体转换效率，实现从电网到GPU的端到端的高效传输。

值得一提的是，在今年5月21日台北电脑展期间，英伟达就宣布成立一个供应商联盟，为数据中心提供 800V 高压直流供电（HVDC） 。这被认为是从 2027 年开始支持 1 MW 功率服务器机架的关键步骤。

目前该供应商联盟包括：英飞凌（Infineon）、MPS、Navitas、罗姆（Rohm）、意法半导体（STMicroelectronics）和德州仪器（Texas Instruments）等芯片厂商，Delta、Flex Power、Lead Wealth、LiteOn 和 Megmeet  功率模块厂商，以及 Eaton、Schneider Electric 和 Vertiv 等电源系统厂商。

同日，美国功率器件大厂纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布，与英伟达就其下一代 800V 高压直流供电架构展开合作，以支持为其 GPU（例如 Rubin Ultra）供电的“Kyber”机架级系统，该系统将由Navitas的GaNFast™ 和 GeneSiC™ 功率技术支持。当时，受该消息影响，Navitas美股股价也一度暴涨164%。

目前，AI 数据中心的配电涉及多次电压转换，随着 AI 的计算需求导致功率需求增加，这会导致效率低下和复杂性增加。

今天的 54Vdc 机架已达到 200kW 的功率极限。Nvidia GB200 NVL72 和 GB300 NVL72 机架具有多达 8 个电源架，可为计算和交换机架供电。使用相同的 54 V DC 配电意味着一个 MW 机架的电源架将占用高达 64 U 的机架空间。另一种方法是为每个计算机机架使用专用的电源机架，这会占用数据中心的宝贵空间。

NVIDIA 800 V HVDC 架构通过使用工业级整流器在数据中心周边将 13.8 kV 高压交流电网电力直接转换为 800 V HVDC，这消除了大多数中间转换步骤，以及许多 AC/DC 和 DC/DC 转换过程中的相关能量损失，端到端电源效率提高了5%。

HVDC 架构还显著减少了电源链中所需的带风扇的电源单元（PSU）数量，从而提高了系统可靠性、降低了散热、减少了组件数量并提高了能源效率。由于冷却是 AI 数据中心能源预算的重要组成部分，因此减少散热会对设备和能源成本产生重大影响。由于电源装置故障的减少，维护成本也可以降低高达 70%。

在配电中使用 800 V 母线槽并从 415 V AC 切换到 800 V DC，可以通过相同尺寸的导体传输 85% 的功率，因为更高的电压降低了电流需求并降低了电阻损耗。电流较低时，较细的导体可以处理相同的负载。这减少了 45% 的铜需求，并消除了交流电特定的低效率，包括集肤效应和无功功率损失。

“英伟达不仅在构建更快的 GPU，而且还重新设计了整个电源堆栈，以释放 AI 的全部潜力，”英伟达核心技术杰出工程师 Mathias Blake 说。

来源：芯智讯、集邦化合物半导体等