国信证券：CoWoP有望商用 PCB工艺及设备随之升级

国信证券发布研报称，CoWoP与CoWoS的区别在于省去了中间的IC载板，直接将晶圆与PCB相连。其优点在于：缩短互连路径减少寄生效应以改善电性能：芯片可以直接连接到封装的外部引脚或下一级互连，减少原来在载板上的信号传输损耗和延迟。减小封装的厚度和面积，且提升散热效果。同时需要进一步降低PCB热膨胀系数，以避免翘曲问题。SLP性能最接近IC载板，未来有望随着CoWoP渗透实现显著提升。

国信证券主要观点如下：

CoWoP未来有望逐步商用，PCB板需直接承载晶圆

CoWoP(Chip on Wafer on PCB)是将多个芯片(Chip)堆叠或并排放置在晶圆级中介层(Wafer-level Interposer)，然后直接整合到PCB板。其与CoWoS的区别在于省去了中间的IC载板，直接将晶圆与PCB相连。其优点在于：1、缩短互连路径减少寄生效应以改善电性能：芯片可以直接连接到封装的外部引脚或下一级互连，减少原来在载板上的信号传输损耗和延迟。2、减小封装的厚度和面积，且提升散热效果。同时需要进一步降低PCB热膨胀系数，以避免翘曲问题。

SLP性能最接近IC载板，未来有望随着CoWoP渗透实现显著提升

SLP类载板从规格和性能上看介于HDI板和IC载板之间。HDI板线宽线距在40μm及以上，IC载板主要用在芯片与PCB主板之间，其线宽线距通常最小，一般在15/15微米及以下。而SLP线宽/线距目前主流能达到20/35微米，甚至20/20微米。未来通过工艺持续改善有望达到10/10微米，其在性能越来越接近IC载板。

SLP工艺壁垒较高，同时对激光直写设备与激光钻孔设备要求进一步提升

SLP制造高度依赖于mSAP(Modified Semi-Additive Process，改良半加成法)工艺。图形转移与电镀是mSAP工艺的核心。需要先做一层薄而均匀的起始铜层-种子层(化学镀铜或可剥离铜箔)，通过光刻胶图案定义需要保留的线路区域，然后电镀铜层，最后去除在线路之间非常薄的起始铜层。其中种子层中采用可剥离铜箔可以简化工艺并保证种子层的均匀性和表面质量。

为了实现微细线路，mSAP对光刻和激光直接成像(LDI)的精度要求极高，需要使用具备更高分辨率的设备和光刻胶。国内企业深南电路、鹏鼎控股、兴森科技同时掌握SLP和IC载板技术，对于mSAP及难度更高的SAP工艺均有技术积累，未来有望深度受益。同时上游LDI设备企业芯碁微装、激光钻孔设备大族数控等也有望受益于产线升级。

风险提示

贸易摩擦的不确定性；新产品验证进度不及预期的风险。