ACM Research推出升级的Ultra C编程工具，采用正在申请专利的N2鼓泡技术，用于先进节点半导体制造

ACN研究公司为半导体和先进封装应用提供晶圆和面板加工解决方案的领先供应商ACM（“ACM”）（纳斯达克股票代码：ACMR）今天宣布对其Ultra C ®清洗工具进行重大升级。这些新的增强功能旨在满足先进节点制造工艺的苛刻技术要求。

升级后的Ultra C Inbox采用正在申请专利的氮气（N2）鼓泡技术，可解决湿蚀刻均匀性差和副产物再生问题。这些问题经常出现在先进节点工艺中的高长宽比沟道和通孔结构中的磷酸的传统湿台工艺中。ACN正在申请专利的N2鼓泡技术提高了磷酸的传输效率，并促进了湿蚀刻浴中温度、浓度和流速的均匀性。湿蚀刻工艺提高的质量传递效率避免了副产物在芯片微结构中的积累，以防止再生长。该技术在制造3D RAM、3D逻辑和500+层3D与非器件的湿蚀刻工艺中具有巨大的应用潜力。