Rapidus启动2纳米GAA晶体管试制

先进逻辑半导体制造商Rapidus公司宣布，其2nm栅极全能（GAA）晶体管结构的原型设计已经在Rapidus的创新集成制造（IIM-1）代工厂开始试制。原型晶圆已启动电性参数测试。在不到三年的时间里，Rapidus已经实现了IIM-1的目标里程碑——从2023年9月的初步破土动工，到2024年的洁净室完工，再到2025年6月，连接了200多台世界上最先进的半导体设备。Rapidus正在开发与IIM-1的2nm工艺兼容的工艺开发套件，并将在2026年第一季度向客户发布。Rapidus将于2027年开始量产。（美通社）