新突破！英飞凌今年第四季度将提供12英寸GaN

（转自：第三代半导体产业）

英飞凌300mm GaN技术

从8英寸到12英寸：突破规模瓶颈

英飞凌此次12英寸GaN晶圆的开发，是在奥地利Villach功率工厂现有的大批量12英寸硅基制造基础设施上完成的。早在2024年9月，公司已完成了首片12英寸GaN晶圆的制造，并在一条集成试验线上实现了产线验证。英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术

相较于8英寸（200mm）晶圆，12英寸（300mm）晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高，显著降低单颗成本。

300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这项重大成功是英飞凌的创新实力和全球团队努力工作的结果，进一步展现了我们在GaN和功率系统领域创新领导者的地位。这一技术突破将推动行业变革，使我们能够充分挖掘GaN的潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次展现了在快速增长的GaN市场成为领导者的决心。作为功率系统领域的领导者，英飞凌掌握了全部三种相关材料，即：硅、碳化硅和氮化镓。”

制造难点与技术路径：缓冲层是关键

GaN-on-Si工艺面临的主要技术挑战在于晶格失配和热失配问题。由于GaN与硅的晶格常数差异较大，必须通过沉积厚缓冲层来缓解应力，从而保障外延层的结构完整性和晶圆的平整度。

目前行业内：

6英寸仍为主流生产尺寸；

8英寸仅有包括英诺赛科在内的少数企业实现量产；

12英寸平台则因外延工艺复杂性与高良率难度而更具挑战性。

不过，英飞凌此前已在硅平台上取得超薄功率晶圆（20μm）技术突破，该成果为12英寸GaN平台的后续拓展提供了制造工艺基础与理论支持。

战略愿景：加速成本平价，扩大客户覆盖

英飞凌GaN业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：

“英飞凌全面扩大的300mm GaN生产规模将帮助我们更快地为客户提供更高价值的产品，同时推动实现Si和GaN同类产品的成本持平。在英飞凌宣布突破300mm GaN晶圆技术近一年后，我们很高兴看到我们的过渡进程进展顺利，并且业界已经认识到英飞凌GaN技术在我们的IDM战略优势下所发挥的重要作用。”

根据英飞凌的路线图，12英寸GaN产品将覆盖100V–650V全电压等级，面向数据中心、电动汽车、5G、工业自动化和消费电子等多个高增长领域。

英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有300mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的300mm硅和200mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。

此外，英飞凌正计划逐步扩大客户群体，并将其12英寸GaN平台与现有的CoolGaN产品线实现互补，加快实现标准化、规模化生产。

行业影响与趋势判断

在当前全球功率半导体产业加速向宽禁带材料转型的背景下，GaN晶圆从6英寸向8英寸、再到12英寸过渡，是必然趋势。其中，12英寸的推进不仅有助于摊薄制造成本，还将提升封装效率、功率密度和热管理性能，满足AI、EV等高功率场景的需求。

不过，考虑到大尺寸GaN外延的高成本、高难度，目前能推进至12英寸量产阶段的企业仍属凤毛麟角。英飞凌凭借其强大的功率器件制造平台与先进的晶圆级工艺能力，或将在未来2–3年内引领12英寸GaN晶圆标准化进程。

市场分析师预测，到2030年，GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元。英飞凌拥有专门的生产能力和强大的产品组合，去年发布了40多款新型GaN产品，这使其成为寻求高质量GaN解决方案客户的首选合作伙伴。

英飞凌此次宣布12英寸GaN平台进入样品准备阶段，是继其CoolGaN产品成功商业化后的又一关键里程碑。这一进展不仅代表其制造平台的横向扩展能力，也意味着GaN器件在高功率、高效率市场的渗透将进一步提速。

随着英飞凌、纳微半导体（Navitas）、英诺赛科、意法半导体等企业相继布局8英寸及以上GaN平台，下一阶段GaN技术的竞争焦点将转向“良率、成本与规模”的综合比拼。

来源：英飞凌官网、半导体要闻、半导体信息等，仅供参考！