捷捷微电：公司与中科院等合作研发第三代半导体材料器件

证券之星消息，捷捷微电(300623)02月07日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者：新华社报道，从中科院获悉，我国首款碳化硅功率半导体器件已经成功在太空得到验证。公司对外宣称跟中科院有相关方面的合作，请问该款产品跟公司有没有关联，另外合作这么多年，有没有其他产业化的可为公司带来经济效益的成果

捷捷微电董秘：尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。谢谢！

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