电子行业深度报告：先进封装持续演进，玻璃基板迎发展机遇

（来源：财信证券研究）

后摩尔时代，先进封装持续演绎。封装是连接芯片内部世界与外部世界的桥梁，为芯片提供机械保护、电气连接、机械连接和散热等功能。随着摩尔定律放缓，以及“存储墙”、“面积墙”和“功耗墙”等的制约，先进封装逐渐成为集成电路发展的关键路径和突破口，以FCBGA、SiP、FOPLP、Chiplet、2.5D/3D为代表的先进封装成为延续摩尔定律及推动产业发展的重要环节。预计未来先进封装有望具备高价值、高增长的特征。据YOLE数据，先进封装有望以约5%的数量支撑超过50%的封装市场规模。2022-2028年，全球封装市场规模有望从950亿美元增长至1433亿美元，CAGR为7.1%；其中先进封装市场规模有望从443亿美元增长至786亿美元，CAGR为10.0%。

封装基板是先进封装的关键材料。基板具备提升功能密度、缩短互连长度、进行系统重构等优势，在先进封装领域取代了传统的引线框架。目前主流的封装基板为BT和ABF基板，BT基板常用于稳定尺寸、防止热胀冷缩、改善设备良率；ABF基板可用作线路较细，适合高脚数高传输的IC，但材料易受热胀冷缩影响。受益于先进封装的发展，封装基板有望实现高增长。据Prismark数据，2024年全球封装基板市场规模有望达到131.68亿美元，2023-2028年的CAGR有望达到8.80%。

需求拉动ABF基板发展，2021年渗透率达38%。回顾先进封装基板的发展历程，1990年代CPU需求增长，有机基板得到应用。2018年的5G及HPC需求，以及后续2020年的电子产品供不应求、AI发展等需求，加速了先进封装基板的发展。2021年，全球ABF基板市场规模占封装基板比重达38%。据YOLE数据，ABF基板市场规模在连续几年保持两位数增速后，于2021年达到47.6亿美元，占总市场规模的38%。ABF基板目前主要由中国台湾和日本主导，2021年，中国台湾、日本分别占有ABF市场规模的39.4%、36.8%。

玻璃基板有望成为下一代封装基板，预计2030年前实现量产。玻璃基板（GCS）在成本、性能方面具备诸多优势，包括：大尺寸超薄面板玻璃易于获取；板级封装比晶圆级封装能一次封装更多芯片，也能避免边缘材料的损失；平整的表面支持更精细的RDL；优良的电学性能支持高速传输，也能减少损耗；与硅相近的热膨胀系数可减轻翘曲带来的困扰等。玻璃基板的优势契合当前高性能计算等技术的发展需求，英特尔认为玻璃基板有望成为下一代封装基板，有望在2030年前实现量产，但长期看会与有机基板共存。玻璃基板目前仍然面临许多难题，产业链正协同发力，共同推进玻璃基板加速落地。

预计玻璃基板2029年市场规模约2.12亿美元，并有望在2035年达到60亿美元。玻璃基板目前处于前期技术导入阶段，短期市场规模存在较大不确定性。为初步估测玻璃基板可能的市场空间，我们假设玻璃基板市场规模有望在2030年左右实现快速增长，渗透率在2040年达到35%。基于上述重点假设及其他假设条件，我们预计半导体封装用玻璃基板的渗透率有望在2035年达到20%，市场规模有望达到60亿美元，长期市场空间较大。

投资建议：我们维持对电子行业的“领先大市”评级。1）后摩尔时代，先进封装成为集成电路产业发展的关键路径和突破口，封装基板作为先进封装的关键材料，有望充分受益于芯片及封装技术的发展。有机基板目前存在一定国产替代需求，建议关注作为国内封装基板先行者的深南电路、兴森科技等。2）玻璃基板因其优异性能，有望成为下一代封装基板。一方面，ABF基板国产化率低，同时国内外玻璃基板产业处于早期阶段，国内有望在玻璃基板领域实现追赶。另一方面，玻璃基板契合当前HPC等技术发展需要，有望在需求拉动下实现量产。技术成熟后，材料成本优势有望推动玻璃基板渗透率上行，长期市场空间广阔。建议关注布局半导体封装用玻璃基板的沃格光电。

风险提示：技术研发不及预期的风险，玻璃基产业化进程不及预期的风险，需求不及预期的风险

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先进封装持续演进

1.1 封装是连接芯片内外部的桥梁

电子封装技术可分为0级封装到3级封装等四个不同等级。0级封装，负责将晶圆切割出来；1级封装，本质上是芯片级封装；2级封装，负责将芯片安装到模块或电路卡上；3级封装，将附带芯片和模块的电路卡安装到系统板上。在半导体行业，半导体封装一般仅涉及晶圆切割和芯片级封装工艺。本报告讨论内容为半导体封装，是指将制备合格的芯片、元件等装配到载体上，采用适当连接技术形成芯片与外部的电气连接，安装保护壳，最终构成有效组件的过程。封装是连接芯片内部世界与外部系统的桥梁。

封装的主要作用包括机械保护、电气连接、机械连接和散热。1）机械保护。芯片的主要材质是硅，非常易碎，将芯片和器件密封在环氧树脂模塑料（EMC）等封装材料中，保护它们免受物理性和化学性损坏。2）电气连接。系统和芯片之间通过封装实现电气连接，进而为芯片供电，同时为芯片提供信号的输入和输出通路。3）机械连接。通过封装将芯片可靠地连接至系统，确保使用时芯片和系统之间连接良好。4）散热。半导体产品工作过程中，电流通过电阻会产生热量，此时需要通过封装将热量迅速散发出去。随着半导体产品的功能日益增多，封装的冷却功能也越发重要。

封装的发展趋势：高速信号传输、散热、小型化、低成本、高可靠性、堆叠。SK hynix总结了近年来半导体封装技术的六大发展趋势，主要包含高速信号传输、散热、小型化、低成本、高可靠性与堆叠。在高速信号传输时，将一个速度达每秒20千兆的半导体芯片或器件连接至仅支持每秒2千兆的半导体封装装置时，系统感知到的半导体速度将为每秒2千兆。由于连接至系统的电气通路是在封装中创建，因此无论芯片的速度有多快，半导体产品的速度都会极大地受到封装的影响。这意味着，在提高芯片速度的同时，还需要提升半导体封装技术，从而提高传输速度。

特征尺寸差异扩大是封装发展的动力之一。20世纪70年代，印制电路板与晶圆的特征尺寸差异较小。随着晶圆制造技术的持续发展，其特征尺寸已进入10nm以内，而印制电路板的特征尺寸仍在100微米级别。两者特征尺寸的差距在过去几十年里显著扩大。由于芯片需要通过封装安装在印制电路板上，因此封装需要弥补印制电路板和晶圆之间的尺寸差距。当两者特征尺寸差异不大时，可以使用双列直插式封装（DIP）或锯齿型单列式封装（ZIP）等引线框架封装。随着差异的不断扩大，先是发展到薄型小尺寸封装（TSOP）等表面贴装技术（SMT），随后球栅阵列（BGA）、倒片封装、扇出型晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）及硅通孔（TSV）等封装技术相继问世，以弥补晶圆和主板之间不断扩大的尺寸差异。

以是否使用引线框架来区分传统封装与先进封装。参考甬矽电子招股说明书资料，其将传统封装定义为“芯片与引线框架通过焊线连接，引线框架的接脚连接PCB”，将中端先进封装定义为“无引脚，封装四侧配置有电极触点”，将高端先进封装定义为“球栅阵列封装等技术”。传统与先进封装的一个主要差异在于与外界的连接方式，DIP类通过引线框架分布在两侧的引脚；QFN类无引脚，通过四侧的扁平电极触点连接；其他高端先进封装则通过封装基板上的焊球等材料互连，连接点可布满整个底面。考虑封装技术的发展趋势，我们以是否使用引线框架来区分传统封装与先进封装，将使用引线框架的归类为传统封装。

1.2 先进封装成为集成电路发展的关键路径

集成电路发展的两大主要技术路线：摩尔定律与超越摩尔定律。集成电路主要沿着两个技术路线发展，一是延续摩尔定律（Moore’s law），二是超越摩尔定律（More than Moore）。延续摩尔定律，即发展制程工艺，持续微缩晶体管栅极尺寸，从而在单位面积容纳更多晶体管。超越摩尔定律，即通过多样化发展先进封装技术，实现小型化、轻薄化、高密度、低功耗和功能融合等优点。随着摩尔定律的放缓，超越摩尔定律这条发展路线的重要性愈发凸显。

摩尔定律发展放缓，成本缩减规律停滞。集成电路发展早期，集成电路上可以容纳的晶体管数目每18-24个月翻一番，处理器性能每两年增长一倍，同时价格下降一半，这一现象被称为摩尔定律。但随着晶体管尺寸的缩小，高昂的制造成本使得这一现象难以维系。相比采用45nm节点制造的250mm2的芯片，采用16nm工艺节点后，芯片每平方毫米的成本增加1倍以上。晶体管成本缩放规律（0.7x）在28nm已经停滞，在28nm之后的制程中，每一亿个栅极单位晶体管的成本不再满足0.7x的下滑，甚至略有增长。

存储墙、面积墙、功耗墙、功能墙，多因素制约集成电路发展。除芯片制程发展的约束之外，集成电路发展也面临了来自存储、面积、功耗和功能的挑战。1）存储墙。处理器的峰值算力每两年增长3.1倍，动态存储器的带宽每两年增长1.4倍，存储器的发展速度落后于处理器。2）面积墙。制程相同的条件下，可以通过增大芯片面积来集成更多晶体管，从而提升芯片的性能。但是单一芯片尺寸受限于光刻机的光罩极限（reticle limit），目前最先进的极紫外光刻机的最大光罩面积是858mm2（26*33）。单个服务器GPU尺寸已接近光罩极限。3）功耗墙。近年来单个GPU和CPU的热设计功耗（Thermal Design Power, TDP）逐年增大，单个GPU的TDP突破千瓦级，多GPU和HBM组成系统的TDP可能突破万瓦级，散热问题带来极大的挑战。4）功能墙。单一衬底可实现的功能有限，SoC面临成本、面积等挑战，可通过多芯片异质集成技术，将传感、存储、计算、通信等不同功能的元器件集成在一起，实现电、磁、热、力等多物理场的有效融合。

高性能计算、AI和智能终端等的发展提高了对算力的需求和要求，结合芯片制造成本、“面积墙”、“功耗墙”等多种约束，先进封装技术逐渐成为集成电路发展的关键路径和突破口。先进封装技术持续演进，以FC-BGA、SiP、FOPLP、Chiplet、2.5D/3D为代表的先进封装成为推动产业发展的重要环节。

1.3 AI芯片封装体持续变大

台积电CoWoS指向9倍光罩大小。2024年11月，台积电在其欧洲开发创新平台（OIP）论坛上宣布，该公司有望在2027年实现其超大版晶圆上芯片（CoWoS）封装技术的认证，该技术将提供高达九个光罩（reticle）尺寸的中介层和12个HBM4内存堆栈。预计有望在2027-2028年间被高端AI处理器采用。

持续变大的CoWoS封装，需要更大的封装基板。回顾台积电CoWoS发展历程，最初的CoWoS在2016年为N16制程、1.5倍光罩大小，随后在2020年实现N7制程、2倍光罩大小，2023年实现N5制程、3.3倍光罩大小，并预计在2025年实现N3/N2制程、5.5倍光罩大小，本次宣布将在2027年达到A16制程、9倍光罩大小。受AI等新需求驱动，台积电持续推进大芯片封装。据半导体行业观察消息，5.5倍掩模版大小CoWoS封装将需要超过100x100毫米的基板，而9倍掩模版CoWoS将超过120x120毫米的基板。算力芯片封装体向着大尺寸、多芯片堆叠、高密度互连和高功率密度方向演进。

英伟达未来AI加速器将封装在大面积先进封装基板之上。据未来半导体网站消息，英伟达于12月份的2024 IEEE IEDM 会议上分享了有关未来AI加速器设计的愿景。英伟达认为未来整个AI加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子I/O器件，GPU采用多模块设计，3D垂直堆叠DRAM内存，并在模块内直接整合冷板。在英伟达给出的模型中，每个AI加速器复合体包含4个GPU模块，每个GPU模块与6个小型DRAM内存模块垂直连接并与3组硅光子I/O器件配对。

1.4 先进封装兼具高价值与高成长

传统封装在数量上占主导地位，预计长期占比约在95%。据YOLE资料，2022年全球封装需求量为11049亿颗，其中传统封装10441亿颗，占94.5%；先进封装608亿颗，占5.5%。预计2028年全球封装需求量为16078亿颗，其中传统封装15211亿颗，占94.6%；先进封装867亿颗，占5.4%。2022-2028年，预计全球封装总量CAGR为6.5%，其中传统封装6.5%，先进封装6.1%。传统封装因其成本优势，在数量上仍占据主导地位，预期长期占比约在95%。

先进封装价值量高，市场规模有望实现高增长。据YOLE资料，2022年封装市场规模约950亿美元，其中传统封装507亿美元，占53.4%；先进封装443亿美元，占45.2%。预计2028年全球封装市场规模约1433亿美元，其中传统封装647亿美元，占45.2%；先进封装786亿美元，占54.8%。2022-2028年，预计全球封装市场规模CAGR为7.1%，其中传统封装4.1%，先进封装10.0%。传统封装与先进封装单价差别较大。2022年传统封装单价0.049美元，先进封装0.729美元；预计2028年传统封装单价0.043美元，先进封装0.907美元。传统封装发展成熟，价格较为稳定；先进封装因技术发展等因素，价格仍存在上行动力。2022-2028年，先进封装数量CAGR预计约在6.1%，但其单价有望走高，最终实现市场规模CAGR达到10%。

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玻璃基板有望成为下一代封装基板

2.1 封装基板是先进封装的关键材料

引线框架与封装基板是连接芯片与PCB的载体。封装基板（substrate）与引线框架（Lead frame），是连接裸芯片（die）与印制电路板（PCB）之间信号的载体，为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电子连接，起着“承上启下”的作用。

传统封装采用引线框架封装。引线框架封装是指在元器件外部引出引线，将器件封装在具有导电和绝缘功能的塑料框架中的一种封装结构。引线框架是早期的封装载体，传统封装采用引线框架作为IC导通线路与支撑IC的载体，连接引脚于导线框架的两旁或四周，如双侧引脚扁平封装（Dual Flat Package，简称DFP）、四侧引脚扁平封装（Quad Flat Package，简称QFP）等。在生产不追求高速电气特性的半导体产品时，引线框架因其成本优势，仍然是一种理想选择。

先进封装采用基板封装。随着半导体技术的发展，IC的特征尺寸不断缩小，集成度不断提高，相应的IC封装向着超多引脚、窄节距、超小型化方向发展。20世纪90年代中期，一种以球栅阵列封装（Ball Grid Array，简称BGA）、芯片尺寸封装（Chip Scale Package，简称CSP）为代表的新型IC高密度封装形式问世，从而产生了封装基板。基板因为可以提升功能密度、缩短互连长度、进行系统重构等优势，在先进封装领域已取代传统引线框架。

按照封装工艺的不同，基板可分为引线键合封装基板和倒装封装基板。WB（Wire Bonding，打线）采用引线方式将裸芯片与载板连接，大量应用于射频模块、存储芯片、微机电系统器件封装。FC（Flip Chip，覆晶）将裸芯片正面翻覆，以锡球凸块直接连接载板。FC由于使用锡球替代引线，相比WB提高了连接密度、缩短了连接距离，是更为先进的连接方式。在FCBGA封装中，基板大约占成本的50%。

BT和ABF是当前最常用的两种IC载板。封装基板按照材料可分为硬质基板、柔性基板和陶瓷基板，硬质基板应用较广，预计占全部应用的80%以上。硬质基板中主要分为BT和ABF基板。据《中国电子报》刊登的《芯片封装迎来材料革命？》，ABF和BT树脂是IC载板最常用的两种材料。其中，1）BT树脂基板。BT树脂载板在20世纪80年代实现初步应用，因BT树脂具备耐热性、抗湿性，低介电常数、低散失因素等多种优良特性，常用于稳定尺寸，防止热胀冷缩、改善设备良率，主要应用于存储芯片、MEMS芯片、RF芯片与LED芯片中。2）ABF基板。ABF在1999年之后逐渐成为半导体芯片行业的标配。该材料可用作线路较细、适合高脚数高传输的IC，但材料易受热胀冷缩影响，可靠性较低，主要用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高性能计算（HPC）芯片的FC封装。这两类基板材料凭借各自优势成为芯片封装基板的标配。

2024年全球封装基板产值约132亿美元。封装基板是一种特殊的PCB，据Prismark数据，预计2024年全球封装基板市场规模达131.68亿美元，近千亿人民币，占PCB产值的18%。封装基板为PCB中增速最快品类，2023-2028年CAGR有望达8.80%。据Prismark数据，2023-2028年，全球PCB产值CAGR有望达到5.40%，封装基板为8.80%，增速高于HDI、18层以上多层板等其他种类。中长期看，人工智能、HPC、通信基础设施、具有先进人工智能能力的便携式智能消费电子设备等预期将产生增量需求。预计这一类需求有望对芯片连接及封装提出更高要求，以支撑封装基板的较高增速。

2.2 ABF载板发展回顾

5G及高性能计算需求催化，推动先进封装基板加速发展。1960-1970年代，环氧树脂与ABF封装基板先后问世；1990年代，个人电脑逐渐风行，CPU需求增长，有机基板得到发展；2004年，FC封装技术得到初步应用。2018年，先进封装基板需求迎来爆发。来自5G基站和HPC的巨大需求拉动了FCBGA和FCCSP封装基板的需求。2020年，特殊背景下对电子产品的需求增长，以及5G、AI等技术的发展，推动2.5D/3D等封装技术发展，先进封装基板需求进一步增长。

2021年全球ABF基板市场规模占封装基板比重达38%。据YOLE数据，ABF基板市场规模在连续几年保持两位数增速后，于2021年达到47.6亿美元，占总市场规模的38%。彼时ABF基板主要用在FCBGA封装，大约一半的UHD FO和2.5D/3D封装使用ABF基板。

ABF基板主要由中国台湾和日本主导。据YOLE数据，ABF基板制造商主要分布在亚洲，包括中国台湾、日本、韩国和中国大陆。2021年，全球ABF市场份额前五的国家或地区分别为中国台湾39.4%、日本36.8%、韩国10.1%、澳大利亚8.8%、中国大陆1.9%。中国台湾及日本在ABF基板领域占绝对主导地位，合计市场份额超过75%。中国大陆市场份额仅1.9%，预计仍具有一定自主可控和国产替代需求。在2021年封装基板收入排序中，前十名分别为欣兴电子（中国台湾）、ibiden（日本）、semco（韩国）、南亚电子（中国台湾）、shinko（日本）、景硕科技（中国台湾）、simmtech（韩国）、AT&S（澳大利亚）、daeduck（韩国）、Kyocera（日本）。

2.3 玻璃基板有望成为下一代封装基板

玻璃基板（Glass Core Substrate，GCS）指核心层由玻璃制成的封装基板。玻璃基板和有机基板的差异在于核心层材质，有机基板的核心层是由有机材料层压而成，玻璃基板的核心层则是玻璃，因此将封装用玻璃基板简称GCS，即glass core substrate。除用作GCS之外，玻璃材料还有望在先进封装中用作中介层（interposer）和临时键合载板（carrier）。

玻璃材料具备低成本、优良的电学特性等优势。玻璃材料具备许多优势，例如低成本、低表面粗糙度、与硅相近的热膨胀系数等。1）低成本。一方面是大尺寸超薄面板玻璃易于获取，玻璃材料的制作成本大约只有硅基转接板的1/8。另一方面，在比对晶圆级与面板级封装时，515*510的面板面积是12英寸晶圆面积的3.6倍，一次能封装更多芯片，方形的面板也能减少边缘材料的浪费，当芯片（die）的尺寸变大时，这一优势会更加明显。2）更低的表面粗糙度。玻璃材料平整的表面支持在上面打造精细的RDL层。3）与硅相近的热膨胀系数。玻璃与硅热膨胀系数相近，能够在发生材料翘曲和变化时，使得基板与芯片保持相对的一致。随着封装体功耗的增长，这一优势有望更加明显。4）优良的高频电学特性：玻璃材料是一种绝缘体材料，介电常数只有硅材料的1/3左右，损耗因子比硅材料低2~3个数量级，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，可以有效提高传输信号的完整性。5）机械稳定性强。当转接板厚度小于100μm 时，翘曲依然较小。

玻璃基板有望成为下一代封装基板。英特尔2023年宣布在用于下一代先进封装的玻璃基板开发方面取得重大突破，这一“里程碑式的成就”将重新定义芯片封装的边界，能够为数据中心、人工智能和图形构建提供改变游戏规则的解决方案。封装基板的发展已经历经了引线框架/线键合、陶瓷基板、有机基板以及嵌入式有机基板四个阶段，目前有机基板因其成熟度及成本优势成为主流的基板。英特尔认为，主要的基板技术大约每15年发生一次转变，有机基板向玻璃基板的转变有望在2020-2030年之间发生，但有机基板与玻璃基板会长期共存。

玻璃基板的优点包括：更小的特征尺寸、更小的凸点间距、更强的封装表现等。英特尔对使用玻璃芯基板的优势和可能带来的价值总结如下：1）更小的特征尺寸。玻璃基板支持小于5/5um的线宽线距，以及小于100um的TGV通孔间距。这一优势可以使得玻璃基板减少金属布层、减小封装尺寸，或者提供更多的功能和核心。2）更小的凸点间距。玻璃基板支持间距小于36微米的D2D bump，小于80um的core bump。这一优势可以使得芯片面积和功耗减小，增加互连密度。3）更大的容量/封装尺寸。玻璃基板在相同的封装大小下能容纳更大、更复杂的芯片。另一方面，玻璃基板也能够实现更大的封装面积，可以高达240*240mm2。这一优势能够满足高性能计算领域更复杂的芯片和更大的封装需求。4）更高速的传输。玻璃基板支持更光滑的铜镀层、超低损耗介电材料以及TGV间距优势，使其能够更好实现高速数据传输。在不需要光互联的情况下，玻璃基板能实现448G信号传递。5）更好的电源管理。玻璃基板能够支持更先进的IPD（integrated passive devices，集成无源器件），从而提高产品性能表现。

发展玻璃基板的关键技术包括玻璃通孔成孔、通孔填充、高密度布线。玻璃通孔（Through Glass Via，TGV）技术是实现玻璃基板垂直电气互连的关键技术，主要环节包括玻璃通孔成孔、填充与布线。1）玻璃通孔成孔，需要满足高速、高精度、窄节距、侧壁光滑、垂直度好以及低成本等一系列要求，典型的通孔成孔工艺包括聚焦放电法、等离子刻蚀法、激光烧蚀法、电化学放电法、光敏玻璃法、激光诱导刻蚀法等，激光诱导玻璃改性优势较为明显，成孔快，可制作高密度、高深宽比的玻璃通孔，玻璃通孔无损伤。2）通孔填充，玻璃表面平滑，与常用金属（如Cu）的黏附性较差，容易造成玻璃衬底与金属层之间的分层现象，导致金属层卷曲甚至脱落等现象。3）高密度布线，相对于有机衬底而言，玻璃表面的粗糙度小，在高密度布线上具备优势。但半加成工艺法在线宽小于5μm的时候会面临许多挑战，例如在窄间距内刻蚀种子层容易对铜走线造成损伤且窄间距里的种子层残留易造成漏电。玻璃基板产业目前还存在高深宽比TGV黏附层及种子层制备、电镀填充，工艺技术路线、装备材料、应力问题、可靠性问题、良率问题、成本问题等诸多挑战，仍需要产业协同建立畅通的供应链，共同努力攻克诸多难题。

2.4 产业链协同推进玻璃基板发展

龙头引领，玻璃基板潜力被持续发掘。英特尔引领发声，称将于2030年前实现玻璃基板大规模量产，激发了产业活力，产业链相关企业及科研机构纷纷入场。产业链上下游积极协同，加快构建畅通的供应链，共同攻克技术、产业难题。据未来半导体网站消息，我们统计了2024年11、12月期间的玻璃基板部分有关事件如下。

1）AGC向美国和中国客户提供样品。AGC是一家总部位于东京的高科技材料制造商，提供玻璃基板的下一代AI芯片垂直互联方案以及满足CPO用途的光学部件，目前正在向美国和中国客户提供样品。其玻璃芯基板有望因优异刚性、平整度和微加工性，有助于实现半导体的3D集成和聚合物光波导/玻璃光波导CPO。AGC还表示，如果以半导体封装基板为首的玻璃材料的应用扩大，有望实现划时代的省电化。

2）TSMC正在评估玻璃基板。TSMC正在评估12英寸玻璃晶圆、515*510mm2和600*600mm2的玻璃基板。目前存在通孔、大基板发热翘曲、面板减薄和抛光等问题。TSMC力争在2027年将FOPLP+TGV技术导入量产，希望通过面板级封装实现更高的面积利用率及单位产能，降低异质封装成本。

3）NEG：持续推进玻璃芯板2026/27年商业化。NEG（日本电气硝子）是三大液晶基板制造商之一。公司表示要支持半导体玻璃芯板并将持续加强生产能力，预计将继续扩大在2-3年内达到商业化阶段。对于临时键合用的玻璃晶圆，公司预计在2028年实现200亿日元的销售额。

4）Ephos：正在全力开发玻璃基光子芯片。Ephos成立于2022年，是一家研发玻璃基光子芯片的公司。Ephos旨在开创先河，从传统的硅半导体制造转向玻璃基板来构建光子集成电路。其突出的优势包括量子计算、人工智能、数据中心和通信等应用的性能和效率显著提升。

5）DNP：正在推进玻璃芯板样品验证，到2030年投20亿美元用于大规模量产。DNP（日本印刷株式会社）正在推进用于先进半导体封装的玻璃通孔(TGV)玻璃芯基板和共封装光学玻璃基板的样品验证。DNP将加快资本投资，在2026财年开始小规模生产玻璃基板，在2027财年开始全面投产，预计到2030年玻璃基板先进封装业务投资发展到约20亿美元的规模。

6）Ibiden：完成玻璃芯板制作并送样美国AI客户测试。Ibiden是日本的一家全球领先半导体基板制造商。11月27日，公司已完成玻璃基板制作并送样到美国AI客户测试。至此，全球前五大基板厂商——欣兴、SEMCO、Ibiden、AT&S、PCB均已完成玻璃芯板的前期研发，为后续量产做好了储备。

7）JDI：计划从显示业务战略转型半导体封装玻璃基板。JDI（日本显示器公司），计划从显示器领域转向半导体封装基板和 AI 数据中心等增长领域。在先进半导体封装领域，向更大的基板尺寸的转变，玻璃基板的采用和对高密度布线的能力，对JDI来说是一个重要的优势机会。JDI可以使用现有的TFT背板工艺生产半导体封装玻璃基板（GCS），线宽线距可从现有L/S=5/5um进一步精细加工2/2um至0.9/0.9um，并使玻璃基板具备更大的尺寸和更低的成本。

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玻璃基板市场规模测算

2029年全球玻璃基板市场规模有望达到2.12亿美元。目前玻璃基板处于前期技术导入阶段，短期市场规模存在较大不确定性，已有的统计或预测口径不一。据未来半导体网站消息：1）《2022-2027年玻璃通孔（TGV）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，2020年全球玻璃通孔（TGV）市场规模达到了3978万美元，预计2027年将达到2.77亿美元，年复合增长率28.90%。国内市场增速高于全球平均水平，2020年市场规模为259万美元，预计2027年将达到5845万美元。2）Yole认为，若除Intel外更多的IC设计/IDM企业采用玻璃基板，同时AGC、康宁等公司均能够实现玻璃基板的量产，则2025年全球玻璃基板市场规模有望达2980万美元，至2029年全球市场规模有望达2.12亿美元。随着玻璃基板的大规模应用，未来市场有望迅速增加。

玻璃基板有望在HPC、AI、5G等技术发展的拉动下，在2030年前实现量产。考虑玻璃基板的材料成本优势以及其他性能优势，其渗透率有望在产业链成熟后逐渐增长，并与有机基板共存。为初步估测玻璃基板未来可能的市场空间，我们做出以下假设：

1）基于Yole对2022-2027年先进封装市场规模的预期（图14）和Prismark对2023-2028年封装基板市场规模的预期（图19、图20）。我们假设全球封装基板在2025-2029年以9%的CAGR增长，2030-2034年CAGR取7%，2035-2040年CAGR取5%。假设2024年封装基板市场规模132亿美元。

2）考虑目前玻璃基板产业热度高涨，产业链积极协同。我们假设全球玻璃基板市场规模2025年为0.3亿美元，2029年达到2.12亿美元。

3）考虑玻璃基板具备原材料成本优势，渗透率有望在产业链成熟后持续上行。2004年，FC封装技术得到应用；2018-2020年间5G、HPC、AI等技术的发展推动ABF基板需求快速增长，渗透率在2021年达到38%。AI、CPO、5G等技术的持续发展有望推动玻璃基板在2030年前实现量产。产业链成熟后，其渗透率有望在原材料成本优势的推动下持续上行。结合ABF基板发展历程、玻璃基板与有机基板长期共存的判断，我们预计玻璃基板市场规模有望在2030年左右迅速增长，核心驱动力是AI、CPO等新技术的需求。良率及产业链不成熟带来的成本问题解决后，玻璃基板渗透率有望持续增长，并在2040年达到35%。

基于上述假设与测算，我们预计全球玻璃基板渗透率有望在2035年达到20%，市场规模有望达到60亿美元，长期市场空间较大。需要注意的是，玻璃基板仍处在产业早期，还面临着工艺技术问题、良率问题、成本问题等诸多挑战，前期放量节奏与后期渗透率目前看均存在一定不确定性。

考虑玻璃材料除玻璃基板（GCS）之外，也有望在中介层（interposer）和键合载板（carrier）中得到应用，短期内玻璃基产业的市场规模有望实现快速增长。例如日本的电气硝子（NEG）预期其有望在2028年在“Glass wafer for supporting semiconductor”，即carrier业务中实现200亿日元营收，约1.3亿美元。

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玻璃基板相关企业

4.1 沃格光电：子公司通格微布局芯片级玻璃基板

公司立足玻璃精加工业务，积极布局玻璃基赛道。公司是业内领先的玻璃基光电子元器件和玻璃基精密集成电路载板的集生产、加工、制造、研发、销售为一体的，以科技创新为驱动力的光电子显示和半导体先进封装领域优秀企业。公司主营业务主要分为显示业务板块和半导体业务板块。

显示业务方面，主要涵盖平板显示器件精加工业务（主要包括薄化、镀膜、切割、光蚀刻），光电子器件（主要包括触控模组、背光模组及其相关电子器件产品），各类显示产品所涉及到的光学膜材模切（主要包括偏光片、增光片、QD膜、柔性OCA、上下保等），新型半导体显示（Mini LED背光和Mini/Micro LED直显）。其中新型半导体显示主要为基于玻璃基线路板和TGV载板产品在Mini LED背光和Mini/Micro LED直显的量产化应用。

半导体业务方面，公司产品形态根据具体应用场景主要为玻璃基芯片封装转接板和玻璃基板级封装载板，该产品主要利用公司在多年发展过程中储备的玻璃基通孔、RDL线路导通以及SAP双面多层线路堆叠技术，在半导体先进封装领域的应用。其具体封装形式包括chiplet垂直封装、CPO光电共封装、FOPLP等多种封装形式，终端应用场景包括大型AI算力服务器（CPU/GPU）、数据中心、自动驾驶、光通信、CPO光模块、射频（含手机）、5G/6G 通信基站、MEMS（微型传感器）等高性能计算或高性能信号传输应用场景。

半导体业务板块主要由公司全资子公司湖北通格微公司投资建设，其新建玻璃基封装载板项目产能一期年产10万平米部分设备已陆续到场进行安装，预计2024年年内试生产。

4.2 深南电路：内资PCB龙头，发力封装基板

内资PCB龙头，中国封装基板领域的先行者。深南电路成立于 1984 年，始终专注于电子互联领域，经过40年的深耕与发展，拥有印制电路板、电子装联、封装基板三项业务。目前，公司已成为全球领先的无线基站射频功放PCB供应商、内资最大的封装基板供应商、国内领先的处理器芯片封装基板供应商、电子装联制造的特色企业。

公司封装基板产品覆盖种类广泛多样。深南电路的封装基板产品包括模组类封装基板、存储类封装基板、应用处理器芯片封装基板等，主要应用于移动智能终端、服务器/存储等领域。

聚焦能力建设，积极开拓市场。BT类封装基板中，公司存储类产品在新项目开发导入上稳步推进，目前已导入并量产了客户新一代高端DRAM产品项目，叠加存储市场需求有所改善，带动公司存储产品订单增长；处理器芯片类产品，实现了基于WB工艺的大尺寸制造能力突破，支撑基板工厂导入更多新客户、新产品；RF射频类产品，稳步推进新客户新产品导入，并完成了主要客户的认证审核，为后续发展打下坚实基础。针对 FC-BGA 封装基板，广州新工厂投产后，产品线能力快速提升，16 层及以下产品现已具备批量生产能力，16层以上产品具备样品制造能力。各类产品相关送样认证工作有序推进。新项目方面，无锡基板二期工厂与广州封装基板项目的能力建设、产能爬坡均稳步推进。报告期内，无锡基板二期工厂已实现单月盈亏平衡。广州封装基板项目处于产能爬坡早期阶段，带来的成本及费用增加对公司利润造成一定负向影响。

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投资建议

我们维持对电子行业的“领先大市”评级。

1）后摩尔时代，先进封装成为集成电路产业发展的关键路径和突破口，封装基板作为先进封装的关键材料，有望充分受益于芯片及封装技术的发展。有机基板目前存在一定国产替代需求，建议关注作为国内封装基板先行者的深南电路、兴森科技等。

2）玻璃基板因其优异性能，有望成为下一代封装基板。一方面，ABF基板国产化率低，同时国内外玻璃基板产业处于早期阶段，国内有望在玻璃基板领域实现追赶。另一方面，玻璃基板契合当前HPC等技术发展需要，有望在需求拉动下实现量产。技术成熟后，材料成本优势有望推动玻璃基板渗透率上行，长期市场空间广阔。建议关注布局半导体封装用玻璃基板的沃格光电。