AMD和三星合作利用先进内存技术大力宣传MI350芯片功能

Advanced Micro Devices，Inc.(纳斯达克股票代码：AMD)与三星电子(场外交易代码：SSNLF)签署了一份合同，为其新的数据中心芯片MI350提供价值约30亿美元(4万亿韩元)的HBM3E(第五代高带宽存储器)。

三星电子已同意向AMD提供12层HBM3E DRAM，计划于今年上半年批量生产。三星从2月份开始向客户提供样品。据Viva 100报道，这笔交易价值约30亿美元(4.134万亿韩元)。

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作为交换，三星电子将购买AMD图形处理器(GPU)。

供应可能在今年下半年开始，与AMD届时开始大规模生产芯片的计划一致。AMD最初计划在今年下半年发布MI350，并于明年开始批量生产，但已将发布时间推迟到第二季度。

趋势力量报告称，与其前身MI300相比，MI350的S带宽增加了30%以上。尽管AMD的芯片已经被公认为比类似级别的Nvidia公司(NASDAQ：NVDA)芯片具有更大的容量，但它们在带宽方面被视为劣势。为了应对这一问题，AMD选择使用HBM3E，这是专门为增强带宽而设计的。

此合同可能与Samsung Foundry业务分开。

与此同时，SK Hynix一直是NVIDIA HBM的主要供应商，并引领着市场。今年4月，SK Hynix宣布计划投资39亿美元在印第安纳州西拉斐特(West Lafayette)建设一家先进的芯片封装设施，重点是批量生产HBM。

最近，NVIDIA首席执行官Jensen Huang支持三星电子的HBM3E，预示着未来可能会有更多的合作关系。

价格走势：周五尾盘，AMD股价上涨0.07%，至153.86美元。

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Pierre Lecourt通过Flickr提供的图片