美光61亿美元的芯片法案融资推动了在美国的重大扩张

周四，美光科技公司(纳斯达克股票代码：MU)宣布签署一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT)协议，根据《芯片和科学法案》获得61亿美元的资金。

这笔资金将支持美光计划在爱达荷州和纽约进行的尖端内存制造。

芯片和科学法案将拨款61亿美元，以帮助美光承诺在2030年前为国内领先的存储器制造投资约500亿美元的总资本支出。

这些赠款以及额外的州和地方激励措施将促进美光在爱达荷州博伊西的现有尖端研发设施和在纽约州克莱的两个尖端存储器设施旁边建设一个尖端存储器制造工厂。

今天的声明标志着美光战略的第一阶段，即在未来20多年内在爱达荷州博伊西建立一个领先的研发和制造中心，并在纽约克莱建立一个由四家工厂组成的制造综合体。

该战略涉及高达1250亿美元的潜在投资，旨在增加美光的内存位供应，以满足行业长期需求增长。

美光计划中的先进半导体制造设施可能会在未来20多年为国内创造约75,000个工作岗位。

分析师强调了美光在高带宽内存(HBM)产品领域的领先地位，HBM3E提供的能效比竞争对手高30%，带来了显著的收入可见性。

美光预计，到2025年，其在HBM的市场份额将与其更广泛的DRAM市场份额相匹配。分析师表示，采用HBM可能会显著影响美光的毛利率，可能会使毛利率恢复到内存周期中的峰值水平。

美光科技的股票在过去12个月中上涨了92%以上。投资者可以通过REX FANG创新股权溢价收入ETF基金(纳斯达克股票代码：FEPI)和景顺半导体ETF基金(纽约证券交易所代码：PSI)获得股票敞口。

价格行动：周四尾盘，MU股价下跌0.05%，至111.72美元。

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