Transphorm宣布推出两款4引线TO-247设备，扩大大功率服务器、可再生能源、工业电源转换的产品组合

新型FET可作为SiC的原始设计选项或直接替代品

Transphorm，Inc.（NASDAQ：TGAN）今天宣布推出两款采用4引脚TO-247封装（TO-247-4L）的新型SuperGaN®器件。新的TP 65 H 035 G4 YS和TP 65 H 050 G4 YS场效应管分别提供35 mOhm和50 mOhm的导通电阻，配有开尔文源端子，为客户提供多功能的开关功能，甚至更低的能量损耗。新产品将在Transphorm成熟的硅基GaN-on-Silicon基片制造工艺上运行，该工艺具有成本效益、可靠性，并且非常适合在硅生产线上进行大批量生产。50 mOhm TP 65 H 050 G4 YS场效应晶体管目前已上市，而35 mOhm TP 65 H 035 G4 YS场效应晶体管正在采样，并计划于2024年第一季度发布。

Transphorm的4引线Supergan器件可以作为原始设计选项，也可以作为4引线硅和SiC解决方案的直接替代品，支持广泛的数据中心、可再生能源和广泛的工业应用中的1千瓦及以上电源。如前所述，4引线配置为用户提供了灵活性，进一步提高了交换性能。在硬开关同步增压转换器中，与具有相当通阻的SiOhm SuperGap器件相比，35 mOhm SuperGap 4引线场效应晶体管在50千赫兹（GHz）下的损耗降低了15%，在100 GHz下的损耗降低了27%。

Transphorm的SuperGap因提供差异化优势而闻名，例如：

TO-247-4L设备具有相同的稳健性、可设计性和可驾驶性，具有以下核心规格：

Transphorm业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“我们继续扩大我们的产品组合，将Gap场效应晶体管推向市场，帮助客户在任何设计要求下利用我们的Supergan平台性能优势。”“四引线TO-247封装为寻求更大幅度降低电力系统损耗的设计师和客户提供了灵活性，而无需对硅或碳化硅系统进行设计修改。随着我们进入更高功率应用，这是我们产品线的重要补充。"