Transphorm宣布推出两款4引脚TO-247器件，扩大了用于高功率服务器、可再生能源和工业电源转换的产品组合

新型FET作为SIC的原始设计选项或替代

坚固耐用GaN功率半导体的全球领先者TRANSPHORM公司(纳斯达克股票代码：TGAN)今天宣布推出两款采用4引线TO-247封装(TO-247-4L)的新型SuperGaN®器件。新的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET分别提供35欧姆和50欧姆的导通电阻，并配有开尔文源端子，为客户提供多功能开关功能和更低的功耗。新产品将采用Transphorm成熟的硅上氮化镓衬底制造工艺，该工艺具有成本效益、可靠性，非常适合在硅生产线上进行大批量生产。50 Mohm的TP65H050G4YS FET目前已上市，而35 Mohm的TP65H035G4YS FET正在样品中，计划于2024年第一季度发布。

Transphorm的4引线SuperGaN器件可作为原始设计选项或替代4引线硅和碳化硅解决方案，在广泛的数据中心、可再生能源和广泛的工业应用中支持1千瓦及以上的电源。如上所述，4引线配置为用户提供了灵活性，以进一步提高交换性能。在硬开关同步升压转换器中，与具有同等导通电阻的SiCMOSFET器件相比，35Mohm SuperGaN 4引线FET在50千赫兹(KHz)时的损耗降低了15%，在100 kHz时降低了27%。

Transsphorm的SuperGaN FET以提供差异化优势而闻名，例如：

TO-247-4L设备具有相同的坚固性、可设计性和可操控性，核心规格如下：

Transsphorm负责业务开发和市场营销的高级副总裁Philip Zuk表示：“我们继续扩大我们的产品组合，将GaN FET推向市场，帮助客户在任何设计要求中利用我们的SuperGaN平台性能优势。”四引线TO-247封装为寻求更大的电力系统损耗降低的设计人员和客户提供了灵活性，只需对硅或碳化硅系统进行很少或根本不需要修改设计。随着我们逐步进入更高功率的应用，这是我们产品线的重要补充。