在中国总理电子会议上，Navitas聚焦GaNSafe：世界上最受保护的GaN功率半导体

综合新一代氮化镓(GaN)和碳化硅(SIC)半导体平台在20W至20 mW的应用中提供突破性性能

Navitas聚焦GaNSafe：世界上最受保护的GaN电源

全面的下一代氮化镓(GaN)和碳化硅(SIC)半导体平台在20W至20 mW的应用中提供突破性性能。

纳维塔斯半导体公司(纳斯达克股票代码：NVTS)宣布继续赞助2023年中国电力电子与能源转换大会暨第26届中国电力供应学会会议暨展览会(CPSS2023)，展示了包括全球最安全的GaN功率半导体在内的主要下一代GaN(GaN)和碳化硅(SIC)功率半导体平台。

11月10日至13日，CPSSC 2023在广州举行，庆祝成立40周年，促进电力电子、能源转换和电力技术领域的学术和技术交流，促进技术创新和相关产业。

Navitas是GaN的技术和市场领导者，GaN的GaNFast功率IC出货量超过1亿块，GeneSiCPOWER MOSFET和二极管出货量超过1200万块，年总市场商机达220亿美元。

通过GaNSafe，Navitas优化了其第四代GaN技术，以满足数据中心、太阳能/能源存储和电动汽车市场中要求苛刻的高功率应用，这些市场对效率、功率密度和稳健可靠的操作至关重要。GaNSafe采用了一种新颖、坚固、运行酷炫的表面贴装收费方案，集成了各种特性和功能，包括：

保护、调节、集成栅极驱动控制，门源环路电感为零，实现可靠的高速2 MHz开关，最大限度地提高功率密度。

高速短路保护，可在50 ns内自动“检测和保护”，比竞争对手的分立解决方案快4倍。

静电放电(ESD)保护为2千伏，而离散GaN晶体管为零。

650/800 V容量，可帮助在特殊应用条件下存活。

简单易用、功能齐全、高功率、高可靠性、高性能的功率IC，只有4个管脚，加速了客户的设计。

可编程通断(dv/dt)，简化EMI监管要求。

Navitas的CPSSC 2023计划包括全面、深入的技术、应用和市场演示，包括全体会议主旨演讲、完整的会议论文、四个行业会议、一个嘉宾PSMA演示、一个3.5小时的深入技术研讨会和完整的GaNSafe发布。参观者将在Navitas展台发现突破性的技术演示和完整的电力系统平台设计。

日程安排：

11月11日

主题演讲：“高功率、高电压、高速度：GaN和碳化硅为我们的世界充电。”

Navitas副总裁兼总经理查理斯(英杰)中国

11月12日

“使用SIC成功实现高频应用”

13：30高级员工应用工程师贾敏丽

“用于大功率车载充电器的集成磁件的碳化硅双向三相CLlLC谐振转换器。”

16：20，陈云琪、贾敏丽、孙浩、陈金龙、张海松、周珍

“为零碳赋能：释放Navitas SIC在太阳能和能源储存系统中的潜力。”

16：50，Justin朱，高级技术营销经理，李斌，高级应用总监

“给我们的世界通电：从硅到氮化镓/碳化硅的转变如何加速我们摆脱化石燃料的旅程。”

电源制造商协会(PSMA)应用工程高级总监、移动设计中心(深圳)负责人黄秀成博士

11月13日

“新一代GaN功率IC驱动变压器革命。”

08：30-09：00高级应用总监黄秀成

“第三代设备驱动超功率密度CRPS185 3,200 W钛服务器设计。”

14：00-14：30陶伟高级应用经理

3.5小时技术研讨会暨GaNSafe发布会11月13日，Navitas将举办一场3.5小时的深度技术研讨会，内容包括最新的GaN和SIC平台新闻以及GaNSafe官方发布会。

CPSSC将于11月10日至13日在广州越秀国际会议中心举行。参观Navitas展台(#b005)的参观者将体验下一代GaNFast和GeneSiC技术，并与经验丰富的Navitas销售和现场应用团队以及分销商见面，以获得专业的技术支持，并在设计方面取得快速进展。一系列完整的移动快速充电器、消费类和家电硬件将展出，重点放在高功率系统上，包括3,200 W CRPS185数据中心电源，功率密度接近100 W/in3和‘钛+’能效性能。还将展示一种新的大功率、双向车载电动汽车充电器设计。

Navitas中国副总裁兼总经理查理斯表示：“我们再次高兴地出席了电力电子领域的这一关键活动，我们为自2017年以来赞助CPSSC而感到自豪。”在与GaN和SIC实施了一年纯粹的‘双引擎’战略后，Navitas在实现我们让世界电气化的使命的道路上取得了重大突破。我们迫不及待地想与学术界和工业界分享这些令人兴奋的成果。