Magna Chip推出新的第8代150V MXT mV MOSFET

韩国首尔，2023年10月10日/美通社/--磁芯半导体公司(“磁芯”或“公司”)(纽约证券交易所代码：MX)今天宣布推出两款采用其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V*MXT MV金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

在大功率设备中，节能对于降低功耗和确保稳定性至关重要。这些新推出的第8代150V MXT MV MOSFET(MDES15N056PTRH、MDU150N113PTVRH)是利用Magna Chip的尖端沟槽MOSFET技术开发的。特别是，MDES15N056PTRH的RDS(导通)(导通操作时MOSFET漏极和源极之间的电阻值)比上一代降低了22%，从而显著提高了应用中的能效。

通过改进核心单元和终端设计，MDES15N056PTRH和MDU150N113PTVRH的优点(FOM：RDS(ON)x QG)分别比前一版本提高了23%和39%。此外，采用表面贴装型封装，如D2PAK-7L(TO-263-7L)和PDFN56，缩小了MOSFET的尺寸，使各种应用的设计变得灵活，如电机控制器、电池管理系统(BMS)、家用太阳能逆变器和工业电源。

Magna Chip首席执行官YJ Kim表示：“继去年推出五款第8代200V和150V MOSFET之后，我们现在很高兴推出另外两款150V MXT mV MOSFET产品。”Magna Chip将继续扩大其高效率的MXT MOSFET产品组合，包括在不久的将来推出基于180纳米微制造技术的新产品。

*MXT MV MOSFET(磁芯极限沟槽中压MOSFET)：磁芯40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合

第8代MXT MV MOSFET系列

*2023年9月发布的产品

产品

BVDSS[V]

RDS(打开)

包

应用程序

MDT15N054PTRH

150V

5.4MΩ

通行费

BMS电机控制器

*MDES15N056PTRH

150V

560万Ω

D2PAK-7L

BMS电机控制器

*MDU150N113PTVRH

150V

1130万Ω

PDFN56

家用太阳能逆变器、工业电源

MDT20N109PTRH

200V

10.9MΩ

通行费

工业电源，BMS

MDY20N113PTRH

200V

1130万Ω

M2PAK-7p

电机控制器

MDP20N116PTTH

200V

1160万Ω

TO220

电机控制器，工业电源

MDQ20N116PTTH

200V

1160万Ω

TO247

住宅太阳能逆变器、储能系统

Magna Chip是一家为通信、物联网、消费、计算、工业和汽车应用提供模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计和制造商。该公司向全球客户提供范围广泛的标准产品。Magna Chip拥有40多年的运营历史，拥有约1100项注册专利和正在申请的申请，并拥有广泛的工程、设计和制造工艺专业知识。欲获知更多信息，请访问网站：www.maragip.com。Magna Chip网站上的信息或可通过该网站获取的信息不是本新闻稿的一部分，也不包含在本新闻稿中。

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来源磁芯片半导体公司