Vishay Intertechnology将在PCIM Asia 2026上展示人工智能基础设施和物理人工智能解决方案

公司将在一系列参考设计和产品演示中重点介绍广泛的半导体和无源技术组合，重点关注网到板人工智能电力传输、软件定义车辆和人形机器人技术

宾夕法尼亚州马尔科姆2026年8月26日（环球新闻网）-- Vishay Intertechnology，Inc. (NYSE：VSH）今天宣布，该公司将在2026年亚洲PCIM上展示其最新的半导体和无源技术。在16号展厅的C12展位，参观者受邀探索Vishay针对人工智能基础设施和物理人工智能应用快速变化的需求量身定制的产品和参考设计。

在PCIM Asia上，Vishay将重点介绍涵盖完整人工智能电力架构的参考设计和产品，从电网级电力基础设施到董事会级系统电力输送。特色展品包括固态变压器（CST）、AC/DC电源单元（MPS）、高压DC（高压DC）、DC/DC电源转换、电池备用单元（BU）、电容器备用单元（CBU）、热交换系统、软件定义车辆（SDV）和人形机器人电机控制。其他亮点将包括下一代汽车平台的汽车电源模块。

对于人工智能电网基础设施，SST参考设计将采用输入、隔直、输出和电压平衡级组件，包括额定值为11 µF和1800 V的紧凑型金属化聚丙烯DC-Link薄膜电容器;高达310 µF和2000 V的高可靠性电力电子电容器;具有高纹波电流和长寿命的四端卡入式铝电解电容器;工作电压高达5000 V的无感功率电阻器;以及采用EMIPAK 2B封装的SiC MOSFET功率模块。AC/DC NSO解决方案将包括用于功率转换器和LLC级的Gen 5 E系列MOS;用于同步整流和OR应用的TrenchFT ® Gen V功率MOS;低剖面整流器;低正向电压桥整流器;具有高正向电涌能力的玻璃钝化整流器;针对高速硬开关进行优化的用于钳位保护;和Power Metal Strip®电阻器，用于大功率、低阻电流检测。高压直流电源转换展览将重点介绍用于功率转换、自举、过滤和预充电功能的解决方案。特色产品将包括第4代SiC Schottky二极管，几乎没有恢复尾部、开关损耗低，保证最小爬电距离为3.2 mm; DC-Link薄膜电容器工作温度高达+125 °C，具有高波纹电流能力和高湿度鲁棒性;以及用于电涌限制的PTC晶体管，能量吸收高达300 J。

板级功率转换展品将包括低规格的PowerPAK® SO-8DC MOS解决方案，可提供高达+175 °C的高温工作，并将低接通电阻与低栅极和输出电荷结合起来以实现高效切换，以及用于栅极驱动应用的厚膜贴片电阻器，提供出色的脉冲负载能力、增强的功率等级和双面印刷电阻器元件。BEP和CBU展品将配备边绕式电感器，电流容量高达260 A，线圈与核心隔离为350 V直流电; IHDV功率电感器，电流容量高达150 A，线圈与核心隔离为1500 V; IHLP®功率电感器，电流容量高达100 A;和输出过滤电容器。热交换系统将展示用于预充电和放电应用的功率电阻器，功率电阻器的功率电阻器功率高达150 W，脉冲吸收高达75 J/0.1 s。

SDV展品将重点关注POL转换器、保护和电流传感。特色产品将包括符合AEC-Q100标准的集成智能功率级，连续电流高达50 A，峰值电流高达80 A，采用热增强型PowerPAK MLP 5 x 6封装;符合AEC-Q200标准的聚合物钛电容器，具有超低SR和85 °C /85%RH的电压能力;具有7千瓦电涌保护和平坦钳位电压的汽车级CVS设备;符合OPEN Alliance规范的以太网静电放电保护二极管;具有极低电阻值的4端电流检测电阻器;以及用于反向保护的热增强型MOS器件。人形机器人电机控制展品将展示开关、门极驱动电路和电流传感，使用PowerPAK SO-8和TOLL封装的MOS器件、高功率至8 W的4端分流电阻器和具有200 V工作电压的汽车级电感器。用于EV /HEPA充电站和48 V微移动系统的汽车电源模块将采用结合高阻塞电压、低接通电阻、高速开关和低电容的SiCMOS/ Si MOS电源模块，以及集成电流和温度传感的半桥逆变器模块与电隔离的暴露DBC基片。

2026年亚洲PCIM上推出的其他参考设计将包括：

PCIM Asia 2026将于8月26日至28日在中国深圳的深圳世界会展中心举行。有关该活动的更多信息，请访问https://pcimasia-shenzhen.cn.messefrankfurt.com/shenzhen/en.html。

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