Navitas Sem导体和Magnachip合作加速在高压和超高压电力市场中采用Si技术

许可协议为Magnachip提供了Navitas的GeneSic™ Gen 4和Gen 5 Sic技术，涵盖1200 V、2300 V、3300 V及更高电压，并由Navitas的供应链和材料生态系统提供支持

瞄准韩国的能源和电网基础设施、能源存储、工业电气化、汽车和其他大功率系统

加州托兰斯和韩国首尔，2026年7月23日（环球新闻网）--下一代GaNFast™氮化镓（GaNFast™）和GeneSic™碳化硅（Sic）功率半导体领域的行业领导者Navitas半导体公司（NASDAQ：NVTS）与模拟和混合信号功率半导体平台解决方案的设计商和制造商Magnachip半导体公司（NYSE：MX）今天宣布建立战略合作伙伴关系，以加速在高压（高压）和超高压（U高压）电力市场中采用Sic技术。

根据协议条款，Magnachip将授权Navitas的GeneSic™沟渠辅助平面™（RAP）技术进入高压和超高压Sic市场。该许可证涵盖1200 V、2300 V、3300 V和更高电压的GeneSic技术，使Magnachip能够在Navitas成熟的Si器件平台上构建用于下一代功率转换应用。

Magnachip还将获得Navitas的Si供应链和材料生态系统，支持更快的市场进入。与此同时，该技术计划在Magnachip位于韩国的晶圆厂进行移植、鉴定和内化。两家公司预计这种方法将有助于加速Magnachip进入SiC，同时保持与Navitas既定技术和材料基础的连续性。预计获得许可的技术将支持下一代应用，包括能源和电网基础设施、能源存储、工业电气化、汽车和其他大功率系统。

两家公司还表示，该协议涵盖了除SiC之外更广泛的参与。预计稍后将详细说明并宣布其他合作领域。