晶合集成获得发明专利授权：“MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备”，专利申请号为CN202610170035.2，授权日为2026年6月30日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种MOSFET模拟模型的构建方法、MOSFET漏电流的模拟方法及电子设备，该模型包括用于表征MOSFET的漏电流随温度的变化关系的目标模拟参数；该MOSFET模拟模型的构建方法包括：获取MOSFET在多个测试温度下的测量漏电流和每个测试温度相对于基准温度的温度增量；以单调递增的指数多项式模型作为拟合模型，拟合测量漏电流随温度增量的变化关系，得到拟合结果；在基于拟合结果得到的任一测试温度下的模拟漏电流与测量漏电流之间的误差落入指定误差范围的情况下，将拟合结果赋予目标模拟参数，得到目标MOSFET模拟模型。通过本申请实施例，提升了MOSFET模拟模型对漏电流的模拟准确度。

今年以来晶合集成新获得专利授权268个，较去年同期增加了40.31%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目649次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1709条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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