晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜”，专利申请号为CN202511842163.9，授权日为2026年6月30日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区的第一边界，在第二表面定义出沟道有源区的第二边界；沟道有源区具有连接第一边界和第二边界的至少一个钝化连接部；钝化连接部沿从沟道有源区内部向场氧化结构延伸的方向凸出；钝化连接部由一或多个倾斜平面或曲面构成；覆盖第一表面且与场氧化结构相连的栅氧化层；形成于栅氧化层远离基底一侧的栅极。通过本申请实施例，提高了高压MOS管的击穿电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权268个，较去年同期增加了40.31%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目649次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1709条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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