onsemi推出垂直型氮化镓半导体：人工智能和电气化的突破

Onsemi的垂直式氮化镓架构基于新颖的GaN-on-GaN-GaN-on-GaN-Technology，为功率密度、效率和坚固性树立了新基准

onsemi垂直型Gap

onsemi垂直型Gap芯片

亚利桑那州斯科茨代尔，2025年10月30日（环球新闻网）--摘要-随着人工智能数据中心、电动汽车和其他能源密集型应用的全球能源需求激增，Onsemi推出了垂直式氮化镓（vGaN）功率半导体，为这些应用设定了功率密度、效率和坚固性的新基准。这些开创性的下一代GaN-on-GaN-Power半导体通过化合物半导体垂直导电，实现更高的工作电压和更快的开关频率，从而节省能源，为人工智能数据中心、电动汽车（EV）、可再生能源以及航空航天、国防和安全提供更小、更轻的系统。

新闻亮点

新内容：onsemi的vGaN技术是一项突破性的功率半导体技术，为人工智能和电气化时代的效率、功率密度和坚固性树立了新基准。Onsemi由Onsemi位于纽约州锡拉丘兹的晶圆厂开发和制造，拥有130多项全球专利，涵盖垂直型氮化镓技术的一系列基础工艺、器件设计、制造和系统创新。

“垂直型氮化镓改变了行业的游戏规则，并巩固了onsemi在能源效率和创新方面的领导地位。随着电气化和人工智能重塑行业，效率已成为定义进步衡量标准的新基准。在我们的电源产品组合中添加垂直型氮化镓，为我们的客户提供了提供无与伦比性能的终极工具包。凭借这一突破，Onsemi正在定义能源效率和功率密度成为竞争力货币的未来。” Dinesh Ramanathan，Onsemi企业战略高级副总裁。

重要原因：世界正在进入一个新时代，能源成为技术进步的决定性限制。从电动汽车和可再生能源到现在消耗比一些城市更多电力的人工智能数据中心，电力需求的增长速度超过了我们高效发电和输送电力的能力。现在节省的每一瓦特都很重要。

onsemi的vGaN技术设计用于在单片芯片中处理1，200伏及以上的高电压-以高频率切换高电流，具有卓越的效率。采用该技术构建的高端电源系统可以将损耗降低近50%，并且通过在更高频率下工作，还可以减小尺寸，包括类似数量的电容器和电感器等无源器件。此外，与市售的横向GaN相比，vGaN器件大约小三倍。这使得Onsemi的vGaN非常适合功率密度、热性能和可靠性至关重要的关键高功率应用，包括：

工作原理：大多数市售的Gap器件都构建在非Gap的基片上，主要是硅或蓝宝石。对于超高压器件，onsemi的vganan使用GaN-on-GaN-GA技术，该技术允许电流垂直流过芯片，而不是流过其表面。该设计在极端条件下提供更高的功率密度、更好的热稳定性和稳健的性能。凭借这些优势，vGaN超越了硅基GaN和蓝宝石基GaN器件，提供更高的电压能力、更高的开关频率、卓越的可靠性和增强的坚固性。这使得开发更小、更轻、更高效的电力系统，同时降低冷却要求和更低的总体系统成本。主要好处包括：

可用性：立即向抢先体验客户提供样品

其他信息：垂直式氮化镓概况介绍垂直式氮化镓概述演示

联系信息

KrCrystal Heaton kCrystal. onsemi.com +1 480-242-6943

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