onsemi发布垂直氮化镓半导体：人工智能和电气化的突破

基于新型GaN-on-GaN技术，安森美半导体的垂直GaN架构在功率密度、效率和坚固性方面树立了新的标杆。

美国亚利桑那州斯科茨代尔，2025年10月30日（GLOBE NEWSWIRE）——摘要——随着人工智能数据中心、电动汽车和其他高能耗应用领域对全球能源需求的激增，安森美半导体（Onsemi）推出了垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为这些应用领域的功率密度、效率和耐用性树立了新的标杆。这些突破性的下一代GaN-on-GaN功率半导体采用垂直于化合物半导体的导电方式，能够实现更高的工作电压和更快的开关频率，从而节省能源，并为人工智能数据中心、电动汽车（EV）、可再生能源以及航空航天、国防和安全等领域打造更小更轻的系统。

新闻要点

• 专有的 GaN-on-GaN 技术可在更高的电压下垂直传导电流，从而实现更快的开关速度和更紧凑的设计。
• 突破性解决方案可减少能源损耗和热量，损耗减少近 50%。
• 由安森美半导体位于纽约州锡拉丘兹的研发团队开发；拥有 130 多项专利，涵盖基础工艺、器件架构、制造和系统创新。
• 安森美半导体正在向早期客户寄送 700V 和 1200V 器件的样品。

最新资讯： 安森美半导体（Onsemi）的vGaN技术是一项突破性的功率半导体技术，为人工智能和电气化时代树立了效率、功率密度和耐用性的新标杆。该技术由安森美半导体位于纽约州锡拉丘兹的晶圆厂研发和制造，安森美半导体拥有超过130项全球专利，涵盖垂直GaN技术的一系列基础工艺、器件设计、制造和系统创新。

“垂直氮化镓技术将彻底改变行业格局，巩固安森美半导体在能效和创新领域的领先地位。随着电气化和人工智能重塑各行各业，能效已成为衡量进步的新标杆。将垂直氮化镓技术纳入我们的功率产品组合，为客户提供了实现卓越性能的终极工具。凭借这一突破，安森美半导体正在引领未来，在这个未来，能效和功率密度将成为竞争的关键。” 安森美半导体企业战略高级副总裁 Dinesh Ramanathan 表示。

重要性：世界正步入一个能源成为制约技术进步的关键因素的新时代。从电动汽车和可再生能源，到如今耗电量超过某些城市的AI数据中心，电力需求增长速度远超我们高效发电和输电的能力。如今，节省的每一瓦电力都至关重要。

安森美半导体的vGaN技术旨在处理单片芯片中的高电压（1200伏及以上），并以卓越的效率在高频下切换大电流。采用该技术构建的高端电源系统可将损耗降低近50%，并且由于工作频率更高，还可以大幅缩小器件尺寸，包括电容器和电感器等无源器件。此外，与市售的横向GaN器件相比，vGaN器件的尺寸大约只有其三分之一。这使得安森美半导体的vGaN技术成为对功率密度、散热性能和可靠性要求极高的关键高功率应用的理想选择，例如：

• 人工智能数据中心：减少组件数量，提高用于人工智能计算系统的 800V 直流-直流转换器的功率密度，从而大幅降低机架成本
• 电动汽车：更小、更轻、更高效的逆变器，以增加电动汽车的续航里程
• 充电基础设施：更快、更小、更耐用的充电器
• 可再生能源：更高的电压处理能力，更低的太阳能和风能逆变器能量损耗
• 储能系统（ESS）：为电池转换器和微电网提供快速、高效、高密度的双向电力
• 工业自动化：更小巧、更凉爽、更高效的电机驱动器和机器人
• 航空航天、国防和安全：更高的性能、更强的坚固性和更紧凑的设计

工作原理：目前市面上大多数商用氮化镓 (GaN) 器件并非采用 GaN 衬底，而是主要采用硅或蓝宝石衬底。对于超高压器件，安森美半导体 (Onsemi) 的 vGaN 技术采用 GaN-on-GaN 技术，使电流能够垂直流经芯片，而非流经其表面。这种设计可实现更高的功率密度、更佳的热稳定性以及在极端条件下的稳定性能。凭借这些优势，vGaN 超越了硅基 GaN 和蓝宝石基 GaN 器件，实现了更高的电压承受能力、更高的开关频率、更优异的可靠性和更强的耐用性。这使得开发更小、更轻、更高效的电源系统成为可能，同时降低了散热需求并降低了系统总成本。主要优势包括：

• 更高的功率密度：垂直氮化镓可以在更小的空间内处理更高的电压和更大的电流。
• 更高的效率：减少电力转换过程中的能量损失，降低发热量并减少冷却成本。
• 紧凑型系统：更高的开关频率可以减小电容器和电感器等无源元件的尺寸。

可用性：
现在开始向早期用户提供样品

附加信息：
垂直氮化镓产品概况
垂直氮化镓概述演示文稿

联系方式

克丽丝特尔·希顿
krystal.heaton@onsemi.com
+1 480-242-6943

附件

• 安森美垂直氮化镓晶圆
• 安森美垂直氮化镓晶圆