Navitas支持NVIDIA下一代AI工厂计算平台的800 V直流电源架构

Navitas推出了新型100 V Gap场效应晶体管，以及650 V Gap和高压Sic器件，专为英伟达的800 V AI工厂架构而设计，提供突破性的效率、功率密度和性能。

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加利福尼亚州托伦斯2025年10月13日（环球新闻网）--纳维半导体（纳斯达克：NVTS）是下一代GaNFast™氮化镓（GaNFast™）和GeneSic™碳化硅（Sic）功率半导体领域的行业领导者，宣布开发先进的中高800伏电压的Gap和Sic功率器件取得进展，以实现英伟达宣布的下一个800伏电压的功率架构-一代AI工厂计算平台。

随着“人工智能工厂”的出现，这是一种专门为大规模、同步人工智能和高性能计算（IPC）工作负载而构建的新型数据中心，它带来了一系列电源挑战。传统的企业和云数据中心依赖于传统的54 V架内配电，无法更长时间地满足当今加速计算平台所需的多兆瓦机架密度。这些挑战需要根本性的架构转变。

800 V直流配电提供：

800 VDC架构可在数据中心电源室或周边将13.8 kVAC公用电源直接转换为800 VDC。通过利用固态变压器（SST）和工业级整流器，这种方法消除了多个传统的AC/DC和DC/DC转换级，最大限度地提高了能源效率，降低了损耗，并提高了整体系统的可靠性。

800 VDC配电直接为IT机架供电，无需额外的AC-DC转换级，并通过两个高效DC-DC级（800 VDC至54 V/12 VDC，然后至负载点GPU电压）降压，以驱动NVIDIA Rubin Ultra平台等高级基础设施。

这些最先进的人工智能工厂需要前所未有的功率密度、效率和可扩展性，而Navitas的高性能GaNFast和GeneSic技术可以实现这一目标。

Fig. 1.从电网到图形处理器，Navitas先进的Eu和Si技术为人工智能数据中心的各个阶段提供动力。

作为一家纯粹的宽带宽功率半导体公司，Navitas提供突破性的Gap和Sic技术，可在人工智能数据中心的各个阶段（从公用电网到图形处理器）实现高效和高功率密度的功率转换。

Navitas的新100 V Gap场效应晶体管产品组合在先进的双面冷却封装中提供卓越的效率、功率密度和热性能。这些场效应晶体管专门针对图形处理器电源板上的低压DC-DC级进行了优化，其中超高密度和热管理对于满足下一代人工智能计算平台的需求至关重要。样本、数据表和评估板可供合格客户使用。

此外，通过与Power Chip的新战略合作伙伴关系，这些高效率100 V GaN-on-Si工艺制造这些高效率100 V GaN-on-Si工艺，实现可扩展、大批量制造。

Navitas的650 V GaNSafe ™功率IC包括一系列新的高功率GaNSafe™功率IC，集成了控制、驱动、传感和内置保护功能。这确保了卓越的稳健性和可靠性，支持下一代人工智能基础设施的严格性能和安全要求。

GaNSafe™是世界上最安全的氮化镓平台，具有超快短路保护（最大350 ns响应）、所有管脚上的2 kV静电放电保护、消除负栅极驱动和可编程压摆率控制。所有这些功能均由4针控制，使封装可以像分立式Gap一样处理，无需任何LCC针。

凭借20多年的SiC创新领导地位，GeneSiC™专有的“沟道辅助平面”在整个温度范围内提供卓越的性能，为大功率、高可靠性应用提供高速、冷运行操作。GeneSic技术提供行业最广泛的电压范围，从650 V到6，500 V，并已在多个兆瓦级储能和并网逆变器项目中实施，包括与美国能源部（DoE）的合作。

Navitas总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示：“随着英伟达推动人工智能基础设施的转型，我们很自豪能够通过先进的Eu和Si电源解决方案来支持这一转变，这些解决方案能够实现下一代数据中心所需的效率、可扩展性和可靠性。”“随着行业迅速转向兆瓦级人工智能计算平台，对更高效、可扩展和可靠的电力传输的需求变得绝对至关重要。从传统54 V架构到800 V DC的过渡不仅是进化性的，而且是变革性的。”

“Navitas正在经历一场根本性的转型，这是由Gap和Sic技术融合的推动，为世界上最先进的系统提供动力。从电网到图形处理器，我们现在的重点远远超出了移动领域，我们通过差异化的高性能电力解决方案来满足人工智能工厂、智能能源基础设施和工业平台的兆瓦级需求。”

有关Navitas最新100 V和650 V Gap场效应晶体管以及我们的高压Sic场效应晶体管产品组合的更多信息、样本、数据表和评估板，请联系info@navitassemi.com。

阅读Navitas关于“重新定义数据中心电源：适用于下一代800 V DC基础设施的石墨烯和SiC技术”的白皮书的更多信息。关于Navitas Navitas Sem导体（纳斯达克股票代码：NVTS）是一家下一代功率半导体领导者，致力于满足以下要求：氮化镓（Eu）和IC集成器件以及高压碳化硅（Si）技术，推动人工智能和数据中心、能源和电网基础设施、功率性能计算和工业应用领域的创新。GaNFast™功率IC凭借30多年的宽带带隙技术专业知识，集成了GaNFast™功率、驱动、控制、传感和保护，提供更快的功率传输、更高的系统密度和更高的效率。GeneSic™高压Sic器件利用专利的沟道辅助平面技术，为中压电网和基础设施应用提供行业领先的电压能力、效率和可靠性。Navitas拥有300多项已发布或正在申请的专利，是世界上第一家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

Navitas Sem导体、GaNFast、GaNSense、GeneSic和Navitas徽标是Navitas半导体有限公司及其附属公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标记都是或可能是用于识别其各自所有者的产品或服务的商标或注册商标。

联系信息

Llew Vaughan-Edmunds，产品管理与营销高级总监info@navitassemi.com

Lori Barker，投资者关系ir@navitassemi.com

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