Navitas支持NVIDIA下一代AI工厂计算平台的800伏直流电源架构

Navitas 推出新型 100 V GaN FET，以及 650 V GaN 和高压 SiC 器件，专为 NVIDIA 的 800 VDC AI 工厂架构而设计，可提供突破性的效率、功率密度和性能。

加州托兰斯，2025 年 10 月 13 日（GLOBE NEWSWIRE）——下一代 GaNFast™ 氮化镓 (GaN) 和 GeneSiC™ 碳化硅 (SiC) 功率半导体的行业领导者纳微半导体公司(Navitas Semiconductor，纳斯达克股票代码：NVTS) 宣布其在开发先进的中高 800 VDC 电压 GaN 和 SiC 功率器件方面取得进展，以实现 NVIDIA 宣布的用于下一代 AI 工厂计算平台的800 VDC 电源架构。

随着“人工智能工厂”的兴起，一种专为大规模同步人工智能和高性能计算 (HPC) 工作负载而构建的新型数据中心，也带来了一系列电源挑战。传统的企业和云数据中心依赖于传统的 54 V 机架内配电，已无法满足当今加速计算平台所需的数兆瓦机架密度。这些挑战要求数据中心进行根本性的架构转变。

800 VDC 配电提供：

• 通过减少电阻损耗和铜使用量来提高效率
• 可扩展的基础设施，通过高度紧凑的解决方案提供兆瓦级机架电源
• 与 IEC 低压直流 (LVDC) 分类 (≤1,500 VDC) 在全球范围内保持一致
• 通过高效的热管理简化配电
  
  

800 VDC 架构可在数据中心电源室或周边区域内将 13.8 kVAC 市电直接转换为 800 VDC。通过利用固态变压器 (SST) 和工业级整流器，这种方法无需多个传统的 AC/DC 和 DC/DC 转换阶段，从而最大限度地提高能源效率、降低损耗并提升整体系统可靠性。

800 VDC 配电直接为 IT 机架供电，无需额外的 AC-DC 转换级，并通过两个高效 DC-DC 级（800 VDC 至 54 V/12 VDC，然后至负载点 GPU 电压）降压，以驱动 NVIDIA Rubin Ultra 平台等先进基础设施。

这些最先进的人工智能工厂需要前所未有的功率密度、效率和可扩展性，而 Navitas 的高性能 GaNFast 和 GeneSiC 技术可以实现这一点。

图 1. 从电网到 GPU，Navitas 先进的 GaN 和 SiC 技术为 AI 数据中心的每个阶段提供动力。

作为一家纯粹的宽带隙功率半导体公司，Navitas 提供突破性的 GaN 和 SiC 技术，可在从公用电网到 GPU 的 AI 数据中心的每个阶段实现高效、高功率密度的功率转换。

Navitas 全新 100 V GaN FET 产品组合采用先进的双面散热封装，提供卓越的效率、功率密度和热性能。这些 FET 专门针对 GPU 电源板上的低压 DC-DC 级进行了优化，超高密度和热管理对于满足下一代 AI 计算平台的需求至关重要。我们已为符合条件的客户提供样品、数据表和评估板。

此外，这些高效 100V GaN FET 是通过与 Power Chip 建立新的战略合作伙伴关系，采用200 毫米 GaN-on-Si 工艺制造的，可实现可扩展的大批量生产。

Navitas 的 650 V GaN 产品组合包括一系列全新高功率 GaN FET，以及先进的GaNSafe™ 功率 IC ，集成了控制、驱动、传感和内置保护功能。这确保了卓越的稳健性和可靠性，满足了下一代人工智能基础设施对性能和安全的严苛要求。

GaNSafe™ 是全球最安全的 GaN 平台，具有超快速短路保护（最大 350 ns 响应时间）、所有引脚均提供 2 kV ESD 保护、无需负栅极驱动以及可编程压摆率控制。所有这些功能均通过 4 引脚控制，因此该封装可像分立式 GaN FET 一样使用，无需_VCC引脚。

GeneSiC™ 专有的“ 沟槽辅助平面”技术依托 20 多年的 SiC 创新领导力，提供卓越的温度性能，为高功率、高可靠性应用提供高速、低温运行。GeneSiC 技术提供业界最宽的电压范围，从 650 V 到 6,500 V，并已应用于多个兆瓦级储能和并网逆变器项目，包括与美国能源部 (DoE) 的合作项目。

Navitas 总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示：“NVIDIA 正在推动 AI 基础设施的转型，我们很荣幸能够通过先进的 GaN 和 SiC 电源解决方案支持这一转变，这些解决方案能够满足下一代数据中心所需的效率、可扩展性和可靠性。随着行业快速向兆瓦级 AI 计算平台迈进，对更高效、可扩展和可靠的电力输送的需求变得至关重要。从传统的 54 V 架构过渡到 800 VDC 架构不仅仅是一次革命，更是一次变革。”

Navitas 正在经历一场根本性的转型，这得益于 GaN 和 SiC 技术的融合，旨在为全球最先进的系统提供动力。从电网到 GPU，我们的重点现已远远超出了移动设备的范围，我们致力于通过差异化的高性能电源解决方案满足人工智能工厂、智能能源基础设施和工业平台的兆瓦级需求。

有关 Navitas 最新 100 V 和 650 V GaN FET 以及我们的高压 SiC MOSFET 产品组合的更多信息、样品、数据表和评估板，请联系info@navitassemi.com 。

详细阅读 Navitas 白皮书“ 重新定义数据中心电源：用于下一代 800 VDC 基础设施的 GaN 和 SiC 技术”。

关于纳维教育
纳维半导体 纳斯达克股票代码：NVTS）是新一代功率半导体领域的领导者，专注于氮化镓 (GaN) 和集成电路 (IC) 集成器件以及高压碳化硅 (SiC) 技术，致力于推动人工智能和数据中心、能源和电网基础设施、高性能计算以及工业应用领域的创新。凭借在宽禁带技术领域超过 30 年的综合专业知识， GaNFast™ 功率 IC集成了 GaN 功率、驱动、控制、传感和保护功能，可提供更快的功率输出、更高的系统密度和更高的效率。GeneSiC ™高压 SiC 器件采用已获专利的沟槽辅助平面技术。  为中压电网和基础设施应用提供业界领先的电压能力、效率和可靠性。纳维拥有超过300项已发布或正在申请的专利，并且是全球首家获得CarbonNeutral® 认证的半导体公司。

Navitas Semiconductor、GaNFast、GaNSense、GeneSiC 和 Navitas 徽标是 Navitas Semiconductor Limited 及其附属公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志均为或可能是用于识别其各自所有者产品或服务的商标或注册商标。

联系信息

Llew Vaughan-Edmunds，产品管理与营销高级总监
info@navitassemi.com

Lori Barker，投资者关系
ir@navitassemi.com

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