Vishay Intertechnology发布全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt® Hyperfast Rectifier，采用SlimMA HD（DO-221 AC）封装

降低开关损耗并提高效率，器件将低至105 nC的低Qrr与低至1.45 V的VF以及低结电容和恢复时间相结合

宾夕法尼亚州马尔科姆九月2025年24日（环球新闻网）-- Vishay Intertechnology，Inc. (NYSE：VSH）今天扩展了其1200 V FRED PT® Hyperfast整流器的第7代平台，并推出了四款采用eMPS ®系列SlimMA HD（DO-221 AC）封装的新设备。1 A和2 A整流器针对工业和汽车应用进行了优化，不仅为同类设备提供了反向恢复电荷（Qrr）和正向电压降之间的最佳权衡，而且还提供了最低的结电容和恢复时间。

今天发布的Vishay半导体整流器包括VS-E7 JX 0112-M3和VS-E7 JX 0212-M3，以及符合AEC-Q101标准的VS-E7 JX 0112 HM 3和VS-E7 JX 0212 HM 3。为了减少开关损耗并提高效率，这些器件将快速恢复时间降至45 ns，Qrr降至105 nC（典型值）、正向电压降降至1.45 V，结电容降至2.5 pF。坚固的整流器在紧凑型封装中提供高达21 A的非重复峰值电涌电流，尺寸为2.6 mm x 5.2 mm，外形为0.95 mm，相比之下，具有类似尺寸的竞争对手的SM封装为2.3 mm。这些设备结合最小3.2 mm爬电距离和相对起痕指数（RTI）= 600（材料组I）的模塑料，根据高压应用的IEC 60664-1要求，减少了元件数量并降低了物料清单成本。

NS-E7 JX 0112-M3、NS-E7 JX 0112 HM 3、NS-E7 JX 0212-M3和NS-E7 JX 0212 HM 3将用作反激式辅助电源和高频整流器中的钳位、缓冲器和空转二极管，以实现自举驱动器功能，同时为最新的快速开关IGBTs和高压Si / SiC MOSICS提供去饱和保护。这些设备的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车（EV）车载充电器和电机、能源产生和存储系统以及Phukuk转换器和工业LED SEPIC电路。

这些整流器采用平面结构和掺铂寿命控制，可在不影响性能的情况下保证系统可靠性和鲁棒性，同时其优化的存储电荷和低恢复电流最大限度地减少开关损耗并降低功耗。这些设备符合RoHS标准且无卤，根据J-STP-020的湿度灵敏度级别为1，并提供+175 °C的高温工作。

设备规格表：

新型第7代整流器的样品和批量现已提供，交货时间为八周。

Vishay生产全球最大的分立半导体和无源电子元件产品组合之一，这些元件对于汽车、工业、计算、消费品、电信、军事、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。Vishay为全球客户提供服务，是技术的DNA。® Vishay Intertechnology，Inc.是一家在纽约证券交易所（VSH）上市的财富1000强公司。有关Vishay的更多信息，请访问www.Vishay.com。

tech®的DNA是Vishay Intertechnology，Inc.的注册商标。

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