GlobalFoundries宣布130CBIC SiGe平台量产发布，用于高性能智能移动、通信和工业应用

业界首款高性能互补 BiCMOS 技术为关键市场和应用提供性能和功率优势

加州圣克拉拉，2025 年 8 月 28 日（GLOBE NEWSWIRE）——今天，在加州举行的年度技术峰会上，GlobalFoundries（GF）（纳斯达克股票代码：GFS）宣布推出其 130nm 互补 Bi-CMOS（CBIC）平台，这是该公司迄今为止性能最高的硅锗（SiGe）技术。

130CBIC 现可使用工艺设计套件 (PDK) 进行设计，其 NPN 晶体管超过 400 GHz ft/fmax，PNP 晶体管超过 200 GHz，可提供无与伦比的性能，使其成为唯一能够满足智能手机、无线基础设施、光网络、卫星通信和工业物联网等多个关键市场的高性能 SiGe 平台。

130CBIC 在格芯位于佛蒙特州伯灵顿的工厂开发和生产，经过优化，可在降低成本的同时突破互联应用的射频性能极限。对于蜂窝智能手机，该平台支持低噪声放大器 (LNA)，可在保持超低噪声系数的同时降低电流消耗，从而有助于减少电池损耗。在数据中心，该平台的高性能 PNP 晶体管支持创新的放大器拓扑结构，以较低的功率为高速模拟和光纤网络提供高增益带宽。该平台还支持超过 100GHz 的先进毫米波工业雷达应用，从而以更小的尺寸实现高分辨率传感和测距。

格芯射频产品线高级副总裁 Shankaran Janardhanan 表示：“130CBIC 是我们 SiGe 路线图的一个重要里程碑，为依赖先进射频技术实现高速、节能连接的广泛高增长市场树立了新的性能标杆。通过将业界领先的晶体管性能与低掩模数工艺相结合，我们为客户全面开辟了射频创新的新途径，使他们能够更快地将新技术推向市场。”

130CBIC 可通过 GF 的GlobalShuttle 多项目晶圆计划进行原型设计，预计于 2025 年和 2026 年推出。RF 参考设计可通过 GF 的自助服务 GF Connect 门户获取，以帮助快速启动设计流程。

关于GF
格芯 (GF) 是全球生活、工作和互联生活所依赖的半导体领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。格芯的全球制造业务遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。我们才华横溢的全球团队每天都在不懈地关注安全性、产品寿命和可持续性，并取得丰硕成果。欲了解更多信息，请访问www.gf.com 。

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