GlobalFoundries宣布推出22FDX+ RRAM技术，适用于无线连接和人工智能应用

GF 嵌入式内存产品组合中的最新技术现已可用于原型设计

加州圣克拉拉，2025年8月28日（GLOBE NEWSWIRE）——今日，格芯（纳斯达克股票代码：GFS）（GF）在其加州举行的年度技术峰会上宣布推出采用电阻式随机存取存储器 (RRAM) 技术的 22FDX+，这标志着该公司嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 解决方案组合的重大进步。全新 RRAM 技术与高性能、超低功耗的 22FDX® 平台相结合，可为无线微控制器和人工智能物联网 (AI IoT) 应用提供安全、低延迟、高密度的嵌入式代码存储存储器。

格芯的嵌入式 RRAM 采用业界成熟的 OxRAM 技术设计，提供经济高效的内存，具有低功耗读写、高耐用性和卓越的数据保留能力。与格芯增强型 22FDX 平台的片上集成，可提升数据保留率、可靠性、安全性和能效，从而为智能互联设备打造紧凑且多功能的片上系统 (SoC) 解决方案。

RRAM 的高密度和可扩展性非常适合支持 AI 的物联网设备，这些设备依赖于边缘高性能智能，例如传感器、可穿戴设备和工业系统。22FDX+ RRAM 还支持神经网络的权重存储，从而实现更高效、更复杂的网络。

格芯超低功耗CMOS产品线高级副总裁Ed Kaste表示：“我们很高兴将22FDX+ RRAM添加到格芯不断增长的差异化技术组合中，该产品组合具备实现边缘低功耗互联智能所需的先进功能。我们最新的解决方案实现了密度、性能和功耗的完美结合，使其非常适合应对下一代人工智能互联设备的挑战。”

Nordic Semiconductor 短程执行副总裁 Oyvind Strom 表示：“格芯是 Nordic Semiconductor 的重要合作伙伴，我们正携手推动超低功耗无线解决方案的突破，以服务下一代互联产品和人工智能设备。我们欢迎格芯推出嵌入式 RRAM，这是一项重大进步，能够实现安全、可扩展且节能的边缘智能。这种创新——通过富有韧性的全球供应链交付——对于满足互联系统日益增长的性能、可靠性和可持续性需求至关重要。”

22FDX+ RRAM 的宏观初步设计套件可通过格芯自助服务 GF Connect 门户获取，助力快速启动设计流程。在几位关键客户积极参与的推动下，该套件预计将于 2026 年实现量产。未来几代嵌入式 RRAM 技术及其在其他平台的部署正在开发中。

关于GF
格芯 (GF) 是全球生活、工作和互联生活所依赖的半导体领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。格芯的全球制造业务遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。我们才华横溢的全球团队每天都在不懈地关注安全性、产品寿命和可持续性，并取得丰硕成果。欲了解更多信息，请访问www.gf.com 。

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