“英诺赛科”入选“英伟达”芯片供应商，为名单中唯一中企，股价狂飙超60%

7 月 31 日， 英伟达官网更新 800V 直流电源架构合作商名录，英诺赛科 ( 2577.HK) 成为名单中 唯一的中国芯片企业。

受此消息影响， 8 月 1 日 ，英诺赛科股价一度狂飙超 6 0 % ，刷新历史记录，截至收盘股价仍涨超 3 0 % ，全天成交高达 4 2.4 亿港元，位列全港第六名，并创下公司上市以来单日最大成交量的记录。

英诺赛科官宣！已与英伟达达成合作，联合推动 800V 架构

8 月 1 日盘后，英诺赛科发布公告，宣布公司已于近日与全球 AI 技术领导者英伟达（ NVIDIA ）达成合作，联合推动 800VDC （ 800 伏直流）电源架构在 AI 数据中心的规模化落地。

该架构是英伟达针对未来高效供电兆瓦级计算基础设施而专门设计的新一代电源系统，相比传统 54V 电源，在系统效率、热损耗和可靠性方面具有显着优势，可支持 AI 算力 100-1000 倍的提升。

英诺赛科的第三代 GaN 器件具备出色的高频、高效率与高功率密度等特性，为 英伟达 800VDC 架构提供从 800V 输入到 GPU 终端，覆盖 15V 到 1200V 的 全链路氮化镓电源解决方案。

英诺赛科表示，随着 GaN 技术与英伟达 800VDC 供电架构的融合，未来几年， AI 数据中心将实现从千瓦级到兆瓦级的飞跃，开启更高效、更可靠、更环保的 AI 计算时代。

英诺赛科 是英伟达供应商中 唯一入选 的 中国 芯片 企业

7 月 3 1 日，英伟达更新了其芯片合作伙伴名单，并指定英诺赛科（ InnoScience ）为其 800 V HVDC 架构的供应商。与此前版本相比，最新名单还显示，英伟达新增了亚德诺半导体公司、安森美半导体公司和瑞萨电子公司作为新架构的芯片供应商，以满足 AI 基础设施日益增长的电力 需求。

值得注意的是， 英诺赛科是这些供应商中唯一的中国芯片企业 。

英伟达认为，传统的 54V 机架内配电系统 已无法满足当前 A I 工作负载指数级增长带来的数据中心电力需求，因此其正在向 800VDC 数据中心电力基础设施 过度，以支持从 2027 年开始的 1 兆瓦以上 IT 机架 。

据了解，当前的数据中心架构使用的传统 54V 低压供电架构 ， 在单机柜功率超 200kW 时 就会因功率密度、铜材需求和系统效率降低等问题 遭遇物理极限 ，显 然无法满足大型 AI 数据中心所需要的 GW 级电力需求。

英伟达的方案是在数据中心外围直接将 13.8kV 交流电转换为 800V 高压直流 电 ， 减少 AC/DC 转换环节 ，将端到端能效提升 5% 。此外，电压提升将使铜缆用量减少 45% ，机房占地面积缩减 40% ， 实现 单机柜功率密度支持 600kW 以上 。

然而传统硅基器件因开关频率低、耐压能力弱，难以支撑高功率密度下的高效电能转换。而作为 第三代半导体核心材料的氮化镓，则 凭借 高压稳定性、能源转换率、高功率密度等优点， 成为 了 800V 架构的理想载体 。

显然，这也是英伟达选择与英诺赛科等氮化镓核心厂商合作的深层原因。

台积电停产氮化镓，或对纳微产能形成打击

而好巧不巧， 7 月初爆出的台积电停止氮化镓代工生产一事，却可能对英伟达的另一氮化镓合作伙伴——纳微半导体的产能带来负面影响。

纳微半导体于 7 月 1 日提交给美国 S EC 的文件显示，因其唯一的氮化镓晶圆供应商 台积电将于 2027 年 7 月停止 氮化镓（ GaN ）的生产 ，公司只能改为与力积电（ PSMC ）合作，在未来 1-2 年 内完成所有产品的认证和量产切换 。

纳微半导体 8-K 公告文件

台积电与纳微的合作早在 2 010 年就已开始， 2 017 年 Navitas GaNFast™ 功率 IC 取得成功并 开始大规模出货 后，纳微的投片量一度占据了台积电氮化镓产能的一半以上。可以说，两者在氮化镓产业的成功是相互成就的。

但市场人士指出，氮化镓产业目前已进入规模化发展阶段， 8 英寸氮化镓技术 正 成为下一步发展的主流 ，目前 台积电的 6 英寸工艺从成本到规模到产品竞争力上均已无法满足市场发展需求 ，或是其选择退出的原因之一。

此前，纳微半导体因与英伟达的合作消息而备受关注，股价迄今累计暴涨近 3 倍， 市值由原先的不足 4 亿美元升至目前超过 1 4 亿美元。值此关键时刻，最重要的代工厂却“罢工”了，带来的打击可想而知。

F abless 厂商业务受阻， I DM 模式渐成行业主流

除纳微之外，“停产”也将迫使其他一众与台积电合作的氮化镓功率器件设计公司（ Fabless 模式）只能另寻出路，与其他代工厂合作。但一时之间需要解决的困难可不少，要知道，台积电在氮化镓代工市场的份额高达 4 0 % 。

例如，纳微选择的新对象——力积电需要在未来 1 至 2 年 内完成所有产品的认证和量产切换 ，它能否在短时间内稳定复制出台积电世界级的良率和一致性，依然是个大大的问号。

在氮化镓领域，主要存在 Fabless 和 IDM 两种模式。 前者 专注于 芯片 设计 和销售，而晶圆制造、封装和测试则交给台积电等代工厂；后者即是从外延片、芯片设计、晶圆制造到封装及测试都自主完成。

通常而言， I DM 模式更强调全生命周期控制以及垂直整合，需要技术和资金雄厚的企业才能玩得转。但 I DM 模式能够更好地控制成本、质量和供应链，建立先发优势和长期竞争力，产品供应能力也更加稳定。

在某种程度上，台积电的停产表明了氮化镓代工模式正走向失败， Fabless 厂商业务受阻 ， I DM 模式进一步成为功率半导体的主流方向，而英诺赛科等具备稳定产线的 I DM 厂商可能借机抢占更多市场份额。

中国氮 化镓产业崛起，英诺赛科或吃下最大红利

A I 算力高速增长带来的庞大需求，以及台积电退出所遗留下来的市场空白，将成为氮化镓产业链竞争者“群雄逐鹿”的战场，并将深刻影响全球及中国氮化镓产业发展的格局。

一方面，碳化硅及氮化镓头部公司 Wolfspeed 遭遇破产重组，专注于垂直功率氮化镓 器件的 NexGen 公司破产 ，比利时氮化镓 代工厂 BelGaN 倒闭 ，正使得全球氮化镓产业的主导权逐渐向头部实力玩家集中。

另一方面，中国氮化镓产业经过多年发展已成崛起之势，目前已形成“技术独立 - 市场需求 - 供应链生态”三位一体的稳定局 面，广阔的市场需求、稳定的产线和完善的供应链都将令中国厂商成为强悍的竞争者。

而全球氮化镓功率器件市场中，英诺赛科、美国 Power Integrations 、美国纳微半导体和美国 EPC 处于领先地位 ，其中英诺赛科稳居龙头；此外，德国英飞凌、日本瑞萨分别通过收购 GaN Systems 、 Transphorm 布局氮化镓业务 。

其中，作为 I DM 模式的代表性企业，英诺赛科是全球首家实现 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆量产的公司， 目前拥有两座 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆厂 ， 2025 年底总产能 将 达到 2 万片 / 月 ，是中国氮 化镓领域毫无争议的“新王”。

据弗若斯特沙利文的数据，按 2 023 年的收入计，英诺赛科占据了全球氮化镓功率半导体市场超 1 /3 的份额，排名全球第一；若以折算氮化镓分立器件出货量计，其市占率更是高达 4 2.4 % 。

Yole 的数据则显示， 6 英寸 GaN-on-Si 虽仍占主流，但 8 英寸 GaN-on-Si 正在加速普及 ，预计到 2029 年 8 英寸晶圆将占总需求的 64% 以上 。这使得英诺赛科 等拥有较高产能和良率的头部厂商将占据明显优势。

在氮化镓赛道迎来大爆发的机遇下，英诺赛科正在消费电子、 A I 数据中心、人形机器人、新能源汽车、可再生能源及工业应用等多个领域全面开花，并有望凭借其全产业链布局、强悍的技术实力和多样化产品组合，吃下最大的市场红利！

（本文首发于活报告公众号，ID：livereport）