Navitas助力小米推出下一代氮化镓充电器

GaNSense™ 控制 IC 驱动小米的 90W 下一代 GaN 充电器，为超便携式快速充电的性能、尺寸和重量树立了新的标准。

加州托兰斯，2025 年 7 月 31 日（GLOBE NEWSWIRE）——下一代 GaNFast™ 氮化镓 (GaN) 和 GeneSiC™ 碳化硅 (SiC) 功率半导体的行业领导者纳维半导体 (Navitas Semiconductor )（纳斯达克股票代码：NVTS）今天宣布，小米的下一代 90W GaN 充电器将由纳维的 GaNSense 控制 IC 供电。

作为世界上最小的 90 W 充电器，这款超紧凑、高功率密度的充电器尺寸仅为 34 × 45 × 34 毫米，重量仅为 65 克——约为典型 GaN 充电器尺寸的一半和重量的三分之一。”

该充电器在初级侧集成了纳微 (Navitas) 的 NV9580 GaNSense Control 功率 IC，并在次级侧集成了 NV9701 同步整流控制器 IC。GaNSense Control系列将^第四代 GaN 功率与高频控制功能相结合。它不仅具备单片集成 GaN 功率场效应晶体管 (FET) 和 GaN 驱动器的所有优势，还在单个表贴封装中集成了控制器和保护功能，适用于高密度、高效率的充电器、适配器和辅助电源设计。

GaNSense 控制 IC 提供最高工作频率，从而最大程度地减小系统尺寸和重量。集成无损电流感测、高压启动以及无需 VDD 电感等特性，可减少元件数量并提高系统效率。Navitas 的 GaNSense 控制 IC 瞬态击穿电压高达 800 V，且无 PCB 热点，能够以最小的尺寸提供一流的效率。

纳微高级副总裁兼亚太区总经理查志强表示：“小米90W GaN充电器的推出标志着我们与小米长期合作的又一个里程碑。我们将GaNSense控制IC的创新技术与小米领先的系统专业知识相结合，为超便携式快速充电器树立了新的标杆。纳微将继续与小米合作，利用我们的GaN技术持续创新。”

关于纳维
纳微半导体（Navitas Semiconductor，纳斯达克股票代码：NVTS）成立于2014年，是唯一一家专注于下一代功率半导体的供应商，致力于功率创新十周年。GaNFast ™功率IC集成了氮化镓（GaN）功率和驱动技术，并具有控制、传感和保护功能，可实现更快的充电速度、更高的功率密度和更佳的节能效果。与之互补的GeneSiC™功率器件是经过优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅（SiC）解决方案。公司重点关注的市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电、工业、移动和消费电子。纳微拥有超过300项已授权或正在申请的专利，并拥有业界首个也是唯一一个20年GaNFast质保。纳微是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

Navitas Semiconductor、GaNFast、GaNSense、GeneSiC 和 Navitas 徽标是 Navitas Semiconductor Limited 及其附属公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志均为或可能是用于识别其各自所有者产品或服务的商标或注册商标。

联系信息
Llew Vaughan-Edmunds，产品管理与营销高级总监
info@navitassemi.com

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