中微公司获得发明专利授权：“反应腔、高深宽比结构及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“反应腔、高深宽比结构及其形成方法”，专利申请号为CN202510550377.2，授权日为2025年7月25日。

专利摘要：一种反应腔、高深宽比结构及其形成方法，其中，反应腔包括：下电极，设于所述反应腔内，所述下电极用于支撑基片；至少一个高频射频源，施加到所述下电极，以形成并维持反应腔内的等离子体；至少一个低频射频源，施加到所述下电极；在刻蚀所述基片的过程中，所述低频射频源的射频频率小于等于300kHz；进气装置，用于向所述反应腔内输送刻蚀气体和碳氟气体，所述刻蚀气体包括卤化氢气体和能够产生卤化氢的气体；所述碳氟气体中的碳原子数小于等于3个，所述刻蚀气体与碳氟气体的流量比大于9:1；所述基片的温度小于30°C；利用所述反应腔对所述基片进行刻蚀处理，所述高深宽比的深宽比大于70:1。利用所述反应腔形成的高深宽比结构的形貌良好。

今年以来中微公司新获得专利授权85个，与去年同期持平。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了14.18亿元，同比增73.59%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目66次；财产线索方面有商标信息98条，专利信息1522条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源：天眼查APP

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